Titre :	Réalisation et étude des propriétés électroniques des couches de Silicium poreux
Type de document :	document électronique
Auteurs :	ZELLAGUI Rahima, Auteur
Année de publication :	2012
Importance :	82 p.
Accompagnement :	CD
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Physique:Technologie de Matériaux et Physique des Dispositifs.
Mots-clés :	silicium, silicium poreux, luminescence, couche mince
Résumé :	Le but de ce travail est la réalisation du silicium poreux pour des fins optoélectroniques. Le silicium poreux possède un gap élevé de l’ordre de 2 eV supérieur et en double à celui du silicium. Cette propriété lui confère une position parmi les matériaux absorbant dans le visible. Cette propriété d’absorption ne peut avoir lieu dans le cas du silicium Nous avons réalisé du silicium poreux à partir de différent substrats différemment dopés avec une orientation cristalline (100). Le choix est porté sur le silicium car il offre un support de travail favorable pour la réalisation de dispositifs optoélectroniques. Le silicium poreux est obtenu dans notre laboratoire par l’attaque anodique de la surface du silicium par un agent acide tel que l’acide fluorhydrique (HF). L’attaque anodique est effectuée dans une cellule en téflon réalisée dans notre laboratoire. Les paramètres expérimentaux fondamentaux résident sur la concentration de l’acide HF, la densité de courant et le temps d’anodisation. Nous avons utilisé de faible concentration HF a fin de ne pas détériorer les propriétés cristalline du matériau d’origine. Des épaisseurs faibles sont obtenues de l’ordre de 50 nm jusqu'à 300 nm. Cet intervalle d’épaisseur est important car il permet d’obtenir des résistances transversales faibles de quelque 100 Ohms. Nous avons caractérisé les échantillons par les techniques optiques telles que la réfléctance qui nous a permis de montrer l’origine de la bande de réfléctance qui est issue du matériau. Nous avons montré grâce à ces mesures que la bande de réfléctance est d’origine géométrique (réflexion de Bragg) quand l’épaisseur est comprise entre (100 nm est 300 nm). Alors que l’émission est intrinsèque ou propre au matériau pour de faibles épaisseurs moins que 100 nm. Les mesures électriques I-V révèlent un comportement de diode de Schottky pour les échantillons silicium poreux sur silicium. Une qualité électrique acceptable est obtenue caractérisée par un facteur d’idéalité de l’ordre de 1.50. Cette valeur confirme et indique les phénomènes thermoélectronique et recombinant de l’interface métal/ silicium poreux. Comme perspective nous envisageons réaliser des mesures de photoluminescence pour les couches de faibles épaisseurs a fin de confirmer la luminescence du matériau, ainsi que la réalisation de dispositifs électroluminescents dans la bande visible
Directeur de thèse :	HAMZAOUI Saad

Réalisation et étude des propriétés électroniques des couches de Silicium poreux [document électronique] / ZELLAGUI Rahima, Auteur . - 2012 . - 82 p. + CD.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Physique:Technologie de Matériaux et Physique des Dispositifs.
Mots-clés :	silicium, silicium poreux, luminescence, couche mince
Résumé :	Le but de ce travail est la réalisation du silicium poreux pour des fins optoélectroniques. Le silicium poreux possède un gap élevé de l’ordre de 2 eV supérieur et en double à celui du silicium. Cette propriété lui confère une position parmi les matériaux absorbant dans le visible. Cette propriété d’absorption ne peut avoir lieu dans le cas du silicium Nous avons réalisé du silicium poreux à partir de différent substrats différemment dopés avec une orientation cristalline (100). Le choix est porté sur le silicium car il offre un support de travail favorable pour la réalisation de dispositifs optoélectroniques. Le silicium poreux est obtenu dans notre laboratoire par l’attaque anodique de la surface du silicium par un agent acide tel que l’acide fluorhydrique (HF). L’attaque anodique est effectuée dans une cellule en téflon réalisée dans notre laboratoire. Les paramètres expérimentaux fondamentaux résident sur la concentration de l’acide HF, la densité de courant et le temps d’anodisation. Nous avons utilisé de faible concentration HF a fin de ne pas détériorer les propriétés cristalline du matériau d’origine. Des épaisseurs faibles sont obtenues de l’ordre de 50 nm jusqu'à 300 nm. Cet intervalle d’épaisseur est important car il permet d’obtenir des résistances transversales faibles de quelque 100 Ohms. Nous avons caractérisé les échantillons par les techniques optiques telles que la réfléctance qui nous a permis de montrer l’origine de la bande de réfléctance qui est issue du matériau. Nous avons montré grâce à ces mesures que la bande de réfléctance est d’origine géométrique (réflexion de Bragg) quand l’épaisseur est comprise entre (100 nm est 300 nm). Alors que l’émission est intrinsèque ou propre au matériau pour de faibles épaisseurs moins que 100 nm. Les mesures électriques I-V révèlent un comportement de diode de Schottky pour les échantillons silicium poreux sur silicium. Une qualité électrique acceptable est obtenue caractérisée par un facteur d’idéalité de l’ordre de 1.50. Cette valeur confirme et indique les phénomènes thermoélectronique et recombinant de l’interface métal/ silicium poreux. Comme perspective nous envisageons réaliser des mesures de photoluminescence pour les couches de faibles épaisseurs a fin de confirmer la luminescence du matériau, ainsi que la réalisation de dispositifs électroluminescents dans la bande visible
Directeur de thèse :	HAMZAOUI Saad