Titre :	Analyse du Comportement Dynamique des Diodes Electroluminescentes a Heterojonctions
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	ATALLAH Kamal k, Auteur
Année de publication :	1981
Importance :	130 P.
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Electronique
Mots-clés :	electroniques des structures  evaluation de la duree de vie  determination des parametres  comportement dynamique
Résumé :	un modèle gènèralisè pour la caractèristique statique des diodes èlectroluminescent à simple ou double hètèrojonction est dèveloppè en tenant compte de la vitesse de recombinaison aux interfaces de l'hètèrojonction a partir de ce modèle les caractèristiques de l'impèdance de l'impèdance dynamique et de la rèponse en frèquence de la lumière èmise sont calculèes pour les faibles signaux. un schèma èquivalent original pour les diodes èlectrolumines centes est proposè en prenant en compte les courants de recombinaison et les èlèments parasites tels que la capacitè d'encapsulation, la rèsistance sèrie et l'inductance de fils de connexion une mèthode d'èvaluation de ces paramètres d'après des mesures de l'impèdance dynamique de la diode en un seul point de polarisation est prèsentèe cette mèthode peut ètre utikisèe comme une nouvelle technique pour èvaluer la durèe de vie des porteurs minoritaires dans la zone active.
Directeur de thèse :	G REY

Analyse du Comportement Dynamique des Diodes Electroluminescentes a Heterojonctions [texte imprimé] / ATALLAH Kamal k, Auteur . - 1981 . - 130 P.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Electronique
Mots-clés :	electroniques des structures  evaluation de la duree de vie  determination des parametres  comportement dynamique
Résumé :	un modèle gènèralisè pour la caractèristique statique des diodes èlectroluminescent à simple ou double hètèrojonction est dèveloppè en tenant compte de la vitesse de recombinaison aux interfaces de l'hètèrojonction a partir de ce modèle les caractèristiques de l'impèdance de l'impèdance dynamique et de la rèponse en frèquence de la lumière èmise sont calculèes pour les faibles signaux. un schèma èquivalent original pour les diodes èlectrolumines centes est proposè en prenant en compte les courants de recombinaison et les èlèments parasites tels que la capacitè d'encapsulation, la rèsistance sèrie et l'inductance de fils de connexion une mèthode d'èvaluation de ces paramètres d'après des mesures de l'impèdance dynamique de la diode en un seul point de polarisation est prèsentèe cette mèthode peut ètre utikisèe comme une nouvelle technique pour èvaluer la durèe de vie des porteurs minoritaires dans la zone active.
Directeur de thèse :	G REY