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Lithographie submicronique par faisceau d'electrons a haute tension (100KeV) / CAMON Henri

Public ISBD Titre : Lithographie submicronique par faisceau d'electrons a haute tension (100KeV) Type de document : texte imprimé Auteurs : CAMON Henri, Auteur Année de publication : 1984 Importance : 107 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Phusique du solide Mots-clés : Microlithographie par électrons, microlithographie submicronique , cristallographie du PMMA, rétrodiffusion d’électrons à 100 KeV dans Si etAsGa ,interaction d’électrons à100 KeVdans le PMMA , trajectoires d’élecctrons par méthode de monte- carlo Résumé : L’objet de cette étude a été de préciser l’intérêt que présente l’utilisation de haute , tension (100 keV) en lithographie par faisceau d’électrons pour l’obtention de motifs submicroniques , la mise au point d’un programmede calcul de monte-carlo , nous a permis de simuler les interactions du faisceau d’électrons avec un échantillon composé d’une couche épaisse de résine déposée sur un substrat massif de silicium ou d’arséniure de gallium nous avons alors analysé les caractéristique du faisceau rétrodiffusé par les deux types de substrat , puis déterminé la répartition spatiale de l’énergie déposée dans la résine , nous avons réalisé avec un microscope électronique équipé d’un canon à émission de champ des motifs submicroniques dont la largeur est inférieure à 100 nm une diminution des effets d’interproximité liée à la faible influence de la rétrodiffusion par le substrat a été mise en évidence ,un premier essai de caractéisation de la résine à très haute tension a permis de définir la structure cristalline de la couche sensible Directeur de thèse : J.L.BALLADORE Lithographie submicronique par faisceau d'electrons a haute tension (100KeV) [texte imprimé] / CAMON Henri, Auteur . - 1984 . - 107 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Phusique du solide Mots-clés : Microlithographie par électrons, microlithographie submicronique , cristallographie du PMMA, rétrodiffusion d’électrons à 100 KeV dans Si etAsGa ,interaction d’électrons à100 KeVdans le PMMA , trajectoires d’élecctrons par méthode de monte- carlo Résumé : L’objet de cette étude a été de préciser l’intérêt que présente l’utilisation de haute , tension (100 keV) en lithographie par faisceau d’électrons pour l’obtention de motifs submicroniques , la mise au point d’un programmede calcul de monte-carlo , nous a permis de simuler les interactions du faisceau d’électrons avec un échantillon composé d’une couche épaisse de résine déposée sur un substrat massif de silicium ou d’arséniure de gallium nous avons alors analysé les caractéristique du faisceau rétrodiffusé par les deux types de substrat , puis déterminé la répartition spatiale de l’énergie déposée dans la résine , nous avons réalisé avec un microscope électronique équipé d’un canon à émission de champ des motifs submicroniques dont la largeur est inférieure à 100 nm une diminution des effets d’interproximité liée à la faible influence de la rétrodiffusion par le substrat a été mise en évidence ,un premier essai de caractéisation de la résine à très haute tension a permis de définir la structure cristalline de la couche sensible Directeur de thèse : J.L.BALLADORE

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
8144	02-05-222	version papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt