Titre :	Optimisation des figures de mérite d’une structure détectrice à base d’antimoniures
Type de document :	document électronique
Auteurs :	MAHI Khaled, Auteur
Année de publication :	2019/2020
Accompagnement :	CD
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Physique:Physique des Plasmas et des Matériaux
Mots-clés :	Antimoniures, InAsSb, hétérojonction, caractéristique I-V, processus de transport.
Résumé :	Après les progrès réalisés par la technologie du Silicium (Si), dans le domaine de la microélectronique et de l’optoélectronique, les chercheurs se sont intéressés à d’autres matériaux semiconducteurs tels que les composés antimoniures, pour la réalisation de nouveaux dispositifs. Ces recherches ont été motivées par des applications telles que les télécommunications, l’imagerie médicale la détection et la conversion thermophotovoltaïque, où le silicium ne pouvait être utilisé. Malheureusement, les performances des dispositifs utilisant les antimoniures, qui sont étroitement liées au transport des charges et aux paramètres électriques des dispositifs à jonctions, sont encore à améliorer. La limitation des performances est causée essentiellement par les courants d’obscurité élevés et les faibles caractéristiques électriques, souvent observé dans les composants à base d’alliages III-V et contenant de l’antimoine. Afin de juger le fonctionnement d’un composant et d’optimiser ces performances, des paramètres tels que le coefficient d’idéalité n, le courant de saturation Is, la résistance série Rs et la résistance de fuite dite aussi résistance shunt (Rsh) du composant, doivent être déterminés avec la meilleur précision possible. Ces paramètres, d’une grande importance, donnent une première idée les phénomènes de conduction mis en jeu dans un dispositif. Dans le cadre de notre thèse, nous présentons, dans un premier temps, une étude des caractéristiques courant-tension (I-V) dans les interfaces à jonctions p-n, en général. Après un exposé de quelques méthodes de la littérature pour l’extraction de l’ensemble des paramètres (n, Is, Rs, Rsh), nous expliquons les techniques analytiques que nous proposons pour le traitement des données courant-tension (I-V) et l’extraction des quatre paramètres cités. L’autre partie de notre travail concerne la structure particulière à double jonction GaAlAsSb(p)/GaAlAsSb(n)/ InAsSb(n), dédiée à la réalisation de cellules détectrices de rayonnement. Dans un premier temps, nous traitons par différentes méthodes les variations expérimentales (I-V) de la structure à 300K. Nous effectuons, par la suite, une analyse phénoménologique de ce comportement courant-tension. Cette analyse vise l’identification des processus de transport dans la structure, afin de limiter les courants électriques et optimiser son fonctionnement.
Directeur de thèse :	AIT KACI Hocine

Optimisation des figures de mérite d’une structure détectrice à base d’antimoniures [document électronique] / MAHI Khaled, Auteur . - 2019/2020 . -  + CD.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Physique:Physique des Plasmas et des Matériaux
Mots-clés :	Antimoniures, InAsSb, hétérojonction, caractéristique I-V, processus de transport.
Résumé :	Après les progrès réalisés par la technologie du Silicium (Si), dans le domaine de la microélectronique et de l’optoélectronique, les chercheurs se sont intéressés à d’autres matériaux semiconducteurs tels que les composés antimoniures, pour la réalisation de nouveaux dispositifs. Ces recherches ont été motivées par des applications telles que les télécommunications, l’imagerie médicale la détection et la conversion thermophotovoltaïque, où le silicium ne pouvait être utilisé. Malheureusement, les performances des dispositifs utilisant les antimoniures, qui sont étroitement liées au transport des charges et aux paramètres électriques des dispositifs à jonctions, sont encore à améliorer. La limitation des performances est causée essentiellement par les courants d’obscurité élevés et les faibles caractéristiques électriques, souvent observé dans les composants à base d’alliages III-V et contenant de l’antimoine. Afin de juger le fonctionnement d’un composant et d’optimiser ces performances, des paramètres tels que le coefficient d’idéalité n, le courant de saturation Is, la résistance série Rs et la résistance de fuite dite aussi résistance shunt (Rsh) du composant, doivent être déterminés avec la meilleur précision possible. Ces paramètres, d’une grande importance, donnent une première idée les phénomènes de conduction mis en jeu dans un dispositif. Dans le cadre de notre thèse, nous présentons, dans un premier temps, une étude des caractéristiques courant-tension (I-V) dans les interfaces à jonctions p-n, en général. Après un exposé de quelques méthodes de la littérature pour l’extraction de l’ensemble des paramètres (n, Is, Rs, Rsh), nous expliquons les techniques analytiques que nous proposons pour le traitement des données courant-tension (I-V) et l’extraction des quatre paramètres cités. L’autre partie de notre travail concerne la structure particulière à double jonction GaAlAsSb(p)/GaAlAsSb(n)/ InAsSb(n), dédiée à la réalisation de cellules détectrices de rayonnement. Dans un premier temps, nous traitons par différentes méthodes les variations expérimentales (I-V) de la structure à 300K. Nous effectuons, par la suite, une analyse phénoménologique de ce comportement courant-tension. Cette analyse vise l’identification des processus de transport dans la structure, afin de limiter les courants électriques et optimiser son fonctionnement.
Directeur de thèse :	AIT KACI Hocine