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| Titre : | Etude de l'effet de la temeprature de fonctionnement sur les caracteristiques d'une photopile solaire au silicium | | Type de document : | texte imprimé | | Auteurs : | MEKATI Malika, Auteur | | Année de publication : | 2006 | | Importance : | 154 p. | | Langues : | Français (fre) | | Catégories : | Physique:Traitement des surfaces et structure des matériaux
| | Mots-clés : | Silicium cristallin , photovoltaique , P.I.N,PV, la temeprature de fonctionnement | | Résumé : | Dans ce travail de mémoire nous avons étudié par modélisation et simulation une cellule à base de silicium amorphe (a-SI / H) en faisant varier la mobilité la bande interdite en fonction de la température , pour mieux comprendre les différents mécanismes physiques qui se produisent au sein des cellules solaires en se basant sur les cara ctéristiques électriques de la cellule solaire , nous avons utilisé un modèle de simulation numériques à une dimension des dispositifs photovoltaiquies , ce modèle est basé sur la résolution des équations de continuité des électrons et des trous et sur l’équation de poisson , l’introduction des paramétres représentatifs des différentes couches ou des différentes structures permet une simulation des caractéritiques photovoltaiques du dispostif , il tient compte de tous les paramétres de transport dans le a Si H ( mobilité des électrons et des trous , section efficace de capture pour les défauts chargés et neutres des queues de bandes et des états dans le gap et aussi de la température ) la résolution aboutit à la caractéristique I(V) à l’obscurité et sous éclairemnt , la réponse spectrale , le champs électrique , les bandes d’énergie et le nombre de porteurs libres et piégés | | Directeur de thèse : | R.MOSTEFAOUI |
Etude de l'effet de la temeprature de fonctionnement sur les caracteristiques d'une photopile solaire au silicium [texte imprimé] / MEKATI Malika, Auteur . - 2006 . - 154 p. Langues : Français ( fre) | Catégories : | Physique:Traitement des surfaces et structure des matériaux
| | Mots-clés : | Silicium cristallin , photovoltaique , P.I.N,PV, la temeprature de fonctionnement | | Résumé : | Dans ce travail de mémoire nous avons étudié par modélisation et simulation une cellule à base de silicium amorphe (a-SI / H) en faisant varier la mobilité la bande interdite en fonction de la température , pour mieux comprendre les différents mécanismes physiques qui se produisent au sein des cellules solaires en se basant sur les cara ctéristiques électriques de la cellule solaire , nous avons utilisé un modèle de simulation numériques à une dimension des dispositifs photovoltaiquies , ce modèle est basé sur la résolution des équations de continuité des électrons et des trous et sur l’équation de poisson , l’introduction des paramétres représentatifs des différentes couches ou des différentes structures permet une simulation des caractéritiques photovoltaiques du dispostif , il tient compte de tous les paramétres de transport dans le a Si H ( mobilité des électrons et des trous , section efficace de capture pour les défauts chargés et neutres des queues de bandes et des états dans le gap et aussi de la température ) la résolution aboutit à la caractéristique I(V) à l’obscurité et sous éclairemnt , la réponse spectrale , le champs électrique , les bandes d’énergie et le nombre de porteurs libres et piégés | | Directeur de thèse : | R.MOSTEFAOUI |
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