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Elaboration et caractérisation de diode Schottky de type n+/n et n+/p à base de couches minces ZnO : Al / BELKHADEM MOHAMED 

Public ISBD Titre : Elaboration et caractérisation de diode Schottky de type n+/n et n+/p à base de couches minces ZnO : Al Type de document : document électronique Auteurs : BELKHADEM MOHAMED, Auteur Année de publication : 2010 Importance : 104 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : diffraction des rayons X-UV-caractérisations J-V des diodes p/n+et n/n+q Résumé : Dans ce travail réalisé dans le cadre de ce mémoire nous avons présenté les résultats expérimentaux d’élaboration et de caractérisation de photodiodes de type n/n+ et p/n+. Dans un premier temps, nous avons focalisé notre étude sur l’élément frontal dans les photodiodes qui est une fenêtre transparente et conductrice formée d’un TCO dopé aluminium en vue d’augmenter sa conductivité. Les processus fondamentaux de son élaboration sont : la préparation du matériau de base (cible de ZnO : Al), la méthode de déposition (pulvérisation cathodique RF) etla réalisation de l’élément de base (contacts Schottky n/n+ et p/n+). Une fois élaborés, les échantillons ont été soumis à une série de caractérisations dans le but de savoir leurs propriétés structurale, optique et électrique. Directeur de thèse : BOUDERBALA Moustafa Elaboration et caractérisation de diode Schottky de type n+/n et n+/p à base de couches minces ZnO : Al [document électronique] / BELKHADEM MOHAMED, Auteur . - 2010 . - 104 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : diffraction des rayons X-UV-caractérisations J-V des diodes p/n+et n/n+q Résumé : Dans ce travail réalisé dans le cadre de ce mémoire nous avons présenté les résultats expérimentaux d’élaboration et de caractérisation de photodiodes de type n/n+ et p/n+. Dans un premier temps, nous avons focalisé notre étude sur l’élément frontal dans les photodiodes qui est une fenêtre transparente et conductrice formée d’un TCO dopé aluminium en vue d’augmenter sa conductivité. Les processus fondamentaux de son élaboration sont : la préparation du matériau de base (cible de ZnO : Al), la méthode de déposition (pulvérisation cathodique RF) etla réalisation de l’élément de base (contacts Schottky n/n+ et p/n+). Une fois élaborés, les échantillons ont été soumis à une série de caractérisations dans le but de savoir leurs propriétés structurale, optique et électrique. Directeur de thèse : BOUDERBALA Moustafa

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
8521	02-05-598	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt

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