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| Titre : | Optimisation des figures de mérite et du transport électronique dans une cellule thermo-photovoltaïque à base de GaSb | | Type de document : | document électronique | | Auteurs : | MEHARRAR Fatima Zohra, Auteur | | Année de publication : | 2018-2019 | | Accompagnement : | CD | | Langues : | Français (fre) | | Catégories : | Physique:Science Radiologique et Imagerie
| | Mots-clés : | GaSb , cellule thermophotovoltaique , réponse spectrale, comportement électro- optique | | Résumé : | Dans ce travail de thèse nous nous somme intéressés à un composant convertisseur de
rayonnement utilisant le GaSb comme matériau actif. La cellule étudiée est composée de
quatre couches et présente un dessin simple : GaSb (substrat-p) / GaSb (buffer-p) / GaSb-nid
/ GaSb (cap-n). Notre étude a porté sur l’analyse expérimentale et numérique du
comportement électro-optique de ce composant, à température ambiante.
En utilisant le code de calcul AMPS-1D, nous avons simulé les caractéristiques
courant-tension (J-V), à l’obscurité et sous éclairement, en considérant quatre paramètres
importants. Il s’agit de l’épaisseur de la couche active, du dopage cette dernière, des défauts
dans la structure et de la barrière au niveau du contact métallique avant. En ajustant les
caractéristiques simulées aux courbes expérimentales, obtenus sur une cellule de laboratoire,
nous avons déduits ce qui suit:
La cellule est caractérisée par une hauteur de barrière au niveau du contact
métallique de 0.24 eV. Le dopage dans la couche active est de l’ordre de 1015 cm-3 pour une
épaisseur de 2 μm. Ces résultats donnent pour les figures de mérite de la cellule : JSC = 18.75
mA/cm2, VOC = 0.23 V, FF = 0.67 et Eff =2.98%. L’efficacité peut aller jusqu’à 3 % si l’on
considère une couche absorbante plus épaisse, par exemple de 3 μm.
Afin d’améliorer ce rendement nous envisageons d’examiner le comportement éléctrooptique
de notre cellule, sous l’effet de températures élevées et sous l’effet de flux ou
concentrations lumineuses importantes. | | Directeur de thèse : | AIT KACI .H |
Optimisation des figures de mérite et du transport électronique dans une cellule thermo-photovoltaïque à base de GaSb [document électronique] / MEHARRAR Fatima Zohra, Auteur . - 2018-2019 . - + CD. Langues : Français ( fre) | Catégories : | Physique:Science Radiologique et Imagerie
| | Mots-clés : | GaSb , cellule thermophotovoltaique , réponse spectrale, comportement électro- optique | | Résumé : | Dans ce travail de thèse nous nous somme intéressés à un composant convertisseur de
rayonnement utilisant le GaSb comme matériau actif. La cellule étudiée est composée de
quatre couches et présente un dessin simple : GaSb (substrat-p) / GaSb (buffer-p) / GaSb-nid
/ GaSb (cap-n). Notre étude a porté sur l’analyse expérimentale et numérique du
comportement électro-optique de ce composant, à température ambiante.
En utilisant le code de calcul AMPS-1D, nous avons simulé les caractéristiques
courant-tension (J-V), à l’obscurité et sous éclairement, en considérant quatre paramètres
importants. Il s’agit de l’épaisseur de la couche active, du dopage cette dernière, des défauts
dans la structure et de la barrière au niveau du contact métallique avant. En ajustant les
caractéristiques simulées aux courbes expérimentales, obtenus sur une cellule de laboratoire,
nous avons déduits ce qui suit:
La cellule est caractérisée par une hauteur de barrière au niveau du contact
métallique de 0.24 eV. Le dopage dans la couche active est de l’ordre de 1015 cm-3 pour une
épaisseur de 2 μm. Ces résultats donnent pour les figures de mérite de la cellule : JSC = 18.75
mA/cm2, VOC = 0.23 V, FF = 0.67 et Eff =2.98%. L’efficacité peut aller jusqu’à 3 % si l’on
considère une couche absorbante plus épaisse, par exemple de 3 μm.
Afin d’améliorer ce rendement nous envisageons d’examiner le comportement éléctrooptique
de notre cellule, sous l’effet de températures élevées et sous l’effet de flux ou
concentrations lumineuses importantes. | | Directeur de thèse : | AIT KACI .H |
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