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Etude ,modélisation ,et simulation des transistors de filières CMOS sur SOI avancées / BENAISSE Djoumana
Titre : Etude ,modélisation ,et simulation des transistors de filières CMOS sur SOI avancées Type de document : document électronique Auteurs : BENAISSE Djoumana, Auteur Année de publication : 2018 / 2019 Importance : 102 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : La technologie MOS SOI (« Silicon On Insulator ») .
La technologie MOS sur substrat massif (« bulk »).
Les fréquences de coupures élevées.
Les applications hyperfréquences .
Les circuits numériques, analogiques et hyperfréquences.
Le modèle non linéaire pour les transistors MOS SOI
l’effet kink.
Le transistor partiellement désertés sur substrat SOI.Résumé : La technologie MOS SOI (« Silicon On Insulator ») a déjà montré son intérêt pour les circuits numériques par rapport à la technologie MOS sur substrat massif (« bulk »). Avec l’entrée des technologies MOS dans l’ère des dimensions nanométriques, les transistors atteignent des fréquences de coupures élevées, ouvrant la voie aux applications hyperfréquences et de ce fait à l’intégration sur la même puce des circuits numériques, analogiques et hyperfréquences.
Dans ce mémoire, nous avons étudié par simulation un modèle non linéaire pour les transistors MOS SOI utile pour les applications en hyperfréquences. Ce modèle reproduit de manière précise les caractéristiques hyperfréquences des transistors MOS en régime grand signal. Il tient en compte l’effet kink, présent dans les composants partiellement désertés sur substrat SOI.
قد أظهرت التكنولوجيا اهتماما فائقا في مجال صناعة الذارات الرقمية بدلا من التكنولوجيا على حامل جد مضخم . إن دخول هده التكنولوجيا أدى إلى تصغير أبعاد المقاحل التي استدركت عملها في ترددات القطع العالية وهدا راجع إلى عملية تصغير الأبعاد على نفس الجزء للذارات الرقمية, الغير رقمية والعالية الترددات. في هده المذكرة, قمنا بدراسة عن طريق المحاكاة لنموذج غير خطي للمقاحل المستعملة في الترددات العالية. هدا النموذج يعيد حساب خصائص الترددات المرتفعة للمقاحل في نطاق الإشارات الكبيرة . يأخذ هدا الأخير بعين الاعتبار مفعول الذي يظهر في العناصر المرغوب فيها جزئيا على حامل
.
CMOS SOI technology ("Silicon On Insulator") has already shown interest in digital circuits relative to MOS technology on bulk substrate ("bulk"). With the entry of MOS technology in the era of nanometer dimensions, the transistors attain frequencies of higher denominations, paving the way for microwave applications and thus integrating on the same chip digital circuits, analog and microwave.
In this paper, we studied a nonlinear simulation model for SOI MOS transistors useful for microwave applications. This model reproduces accurately the microwave characteristics of MOS transistors in large signal regime. It takes into account the kink effect, present in partially deserted SOI substrate components.
Directeur de thèse : PACHA Ali Etude ,modélisation ,et simulation des transistors de filières CMOS sur SOI avancées [document électronique] / BENAISSE Djoumana, Auteur . - 2018 / 2019 . - 102 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : La technologie MOS SOI (« Silicon On Insulator ») .
La technologie MOS sur substrat massif (« bulk »).
Les fréquences de coupures élevées.
Les applications hyperfréquences .
Les circuits numériques, analogiques et hyperfréquences.
Le modèle non linéaire pour les transistors MOS SOI
l’effet kink.
Le transistor partiellement désertés sur substrat SOI.Résumé : La technologie MOS SOI (« Silicon On Insulator ») a déjà montré son intérêt pour les circuits numériques par rapport à la technologie MOS sur substrat massif (« bulk »). Avec l’entrée des technologies MOS dans l’ère des dimensions nanométriques, les transistors atteignent des fréquences de coupures élevées, ouvrant la voie aux applications hyperfréquences et de ce fait à l’intégration sur la même puce des circuits numériques, analogiques et hyperfréquences.
Dans ce mémoire, nous avons étudié par simulation un modèle non linéaire pour les transistors MOS SOI utile pour les applications en hyperfréquences. Ce modèle reproduit de manière précise les caractéristiques hyperfréquences des transistors MOS en régime grand signal. Il tient en compte l’effet kink, présent dans les composants partiellement désertés sur substrat SOI.
قد أظهرت التكنولوجيا اهتماما فائقا في مجال صناعة الذارات الرقمية بدلا من التكنولوجيا على حامل جد مضخم . إن دخول هده التكنولوجيا أدى إلى تصغير أبعاد المقاحل التي استدركت عملها في ترددات القطع العالية وهدا راجع إلى عملية تصغير الأبعاد على نفس الجزء للذارات الرقمية, الغير رقمية والعالية الترددات. في هده المذكرة, قمنا بدراسة عن طريق المحاكاة لنموذج غير خطي للمقاحل المستعملة في الترددات العالية. هدا النموذج يعيد حساب خصائص الترددات المرتفعة للمقاحل في نطاق الإشارات الكبيرة . يأخذ هدا الأخير بعين الاعتبار مفعول الذي يظهر في العناصر المرغوب فيها جزئيا على حامل
.
CMOS SOI technology ("Silicon On Insulator") has already shown interest in digital circuits relative to MOS technology on bulk substrate ("bulk"). With the entry of MOS technology in the era of nanometer dimensions, the transistors attain frequencies of higher denominations, paving the way for microwave applications and thus integrating on the same chip digital circuits, analog and microwave.
In this paper, we studied a nonlinear simulation model for SOI MOS transistors useful for microwave applications. This model reproduces accurately the microwave characteristics of MOS transistors in large signal regime. It takes into account the kink effect, present in partially deserted SOI substrate components.
Directeur de thèse : PACHA Ali Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2605 02-09-582 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
02-09-582.pdfAdobe Acrobat PDF Etude et Modèlisation des Transistors MOS et MOS/SOI Uitracourts pour les applications basse Consommation / MORSO Mohammed
Titre : Etude et Modèlisation des Transistors MOS et MOS/SOI Uitracourts pour les applications basse Consommation Type de document : texte imprimé Auteurs : MORSO Mohammed, Auteur Année de publication : 2009 Importance : 115 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : silicium sur isolant (SOI) effets de canaux court effets de porteurs chauds transistor MOS SOI partiellement dèsertè effets de substrat flottant auto-èchauffement fffet "kink" Résumé : cette ètude a pour but de mettre en èvidence et de mieux comprendre à l'aide de la modèlisation analytique les principaux phènomènes physiques pouvant se produire dans les transistors MOS sur substrat massif et sur substrat SOI submicronique de la filière technologique 130 nm.
l'èvolution des technologies des semi-conducteurs vers des gèomètries de plus en plus petits permet un accroissement des performances et des fonctionnalitès par puce mais s'accompagne simultanèment d'une augmentation de la puissance dissipèe alors que les utilisateurs sont de plus en plus intèressès d'applications portables, la conception de circuits intègrès doit dèsormais prendre en compte le budget de puissance allouè il est donc essentiel de dèvelopper des circuits microèlectroniques de très basse puissance la rèduction de la tension d'alimentation vdd s'avère une approche très intèressante puisque cela permet de rèduire la puissance dynamique quadratiquement et la puissance statique des courants de fuite exponentiellement cependant, bien que rèduire fortement la tension d'alimentation soit une mèthode efficace pour diminuer la consommation, elle ne peut pas ètre appliquèe arbitrairement car cela affecte nègativement les performances, le dèlai dans les portes en ULV (ultra large voltage): elle prèsente des performances supèrieures à celles obtenues en CMOS à substrat massif la technologique SOI permet donc de diminuer la consommation des circuits intègrès à frèquence de fonctionnement ègale
Directeur de thèse : T BOUTCHACHA Etude et Modèlisation des Transistors MOS et MOS/SOI Uitracourts pour les applications basse Consommation [texte imprimé] / MORSO Mohammed, Auteur . - 2009 . - 115 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : silicium sur isolant (SOI) effets de canaux court effets de porteurs chauds transistor MOS SOI partiellement dèsertè effets de substrat flottant auto-èchauffement fffet "kink" Résumé : cette ètude a pour but de mettre en èvidence et de mieux comprendre à l'aide de la modèlisation analytique les principaux phènomènes physiques pouvant se produire dans les transistors MOS sur substrat massif et sur substrat SOI submicronique de la filière technologique 130 nm.
l'èvolution des technologies des semi-conducteurs vers des gèomètries de plus en plus petits permet un accroissement des performances et des fonctionnalitès par puce mais s'accompagne simultanèment d'une augmentation de la puissance dissipèe alors que les utilisateurs sont de plus en plus intèressès d'applications portables, la conception de circuits intègrès doit dèsormais prendre en compte le budget de puissance allouè il est donc essentiel de dèvelopper des circuits microèlectroniques de très basse puissance la rèduction de la tension d'alimentation vdd s'avère une approche très intèressante puisque cela permet de rèduire la puissance dynamique quadratiquement et la puissance statique des courants de fuite exponentiellement cependant, bien que rèduire fortement la tension d'alimentation soit une mèthode efficace pour diminuer la consommation, elle ne peut pas ètre appliquèe arbitrairement car cela affecte nègativement les performances, le dèlai dans les portes en ULV (ultra large voltage): elle prèsente des performances supèrieures à celles obtenues en CMOS à substrat massif la technologique SOI permet donc de diminuer la consommation des circuits intègrès à frèquence de fonctionnement ègale
Directeur de thèse : T BOUTCHACHA Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2360 02-09-338 version papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt
Titre : Etude et modélisation d'un transtor MOSFET à Double-Grille sysmétrique. Type de document : document électronique Auteurs : Fatima KERTOUS, Auteur ; BOUTCHACHA. Touati, Directeur de thèse Année de publication : 2012 Importance : 95 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : MOSFET double-grille effet canal court effet DIBL MOSFETdouble-grille en mode symétrique l’architecture SOI. Résumé : L’évolution de la technologie des semi-conducteurs vers des géométries de plus en plus fines permet un accroissement des performances et des fonctionnalités par puce, mais ceci conduit cependant à l’apparition d’effets néfastes tels que l’effet DIBL. Pour minimiser ces effets, il est intéressant de se tourner vers de nouvelles architectures telles que l’architecture SOI double grille.
Nous proposons un modèle compact de transistor MOSFET à Double-Grille en mode symétrique. Ce modèle repose sur une expression analytique et explicite, simple à maitriser pour le dimensionnement. La dégradation de la pente sous le seuil, l’effet canal court, l’effet DIBL, la tension de saturation, la modulation de la longueur du canal sont bien pris en compte.
La simulation avec le programme de résolution des équations ‘Schrödinger- Poisson’, montre que l’architecture SOI double grille contrôle mieux le canal que l’architecture SOI à une seule grille. Les résultats obtenus montrent également que la diminution des paramètres technologiques (longueur du canal et l’épaisseur du canal) s’accompagne d’un accroissement important du courant de drain ID.
La validité de nos résultats a été confirmée en les comparant avec des simulations en 2D [65].Directeur de thèse : BOUTCHACHA. Touati Etude et modélisation d'un transtor MOSFET à Double-Grille sysmétrique. [document électronique] / Fatima KERTOUS, Auteur ; BOUTCHACHA. Touati, Directeur de thèse . - 2012 . - 95 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : MOSFET double-grille effet canal court effet DIBL MOSFETdouble-grille en mode symétrique l’architecture SOI. Résumé : L’évolution de la technologie des semi-conducteurs vers des géométries de plus en plus fines permet un accroissement des performances et des fonctionnalités par puce, mais ceci conduit cependant à l’apparition d’effets néfastes tels que l’effet DIBL. Pour minimiser ces effets, il est intéressant de se tourner vers de nouvelles architectures telles que l’architecture SOI double grille.
Nous proposons un modèle compact de transistor MOSFET à Double-Grille en mode symétrique. Ce modèle repose sur une expression analytique et explicite, simple à maitriser pour le dimensionnement. La dégradation de la pente sous le seuil, l’effet canal court, l’effet DIBL, la tension de saturation, la modulation de la longueur du canal sont bien pris en compte.
La simulation avec le programme de résolution des équations ‘Schrödinger- Poisson’, montre que l’architecture SOI double grille contrôle mieux le canal que l’architecture SOI à une seule grille. Les résultats obtenus montrent également que la diminution des paramètres technologiques (longueur du canal et l’épaisseur du canal) s’accompagne d’un accroissement important du courant de drain ID.
La validité de nos résultats a été confirmée en les comparant avec des simulations en 2D [65].Directeur de thèse : BOUTCHACHA. Touati Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2447 02-09-425 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Etude et modélisation d'un transtor MOSFET à Double-Grille sysmétriqueAdobe Acrobat PDF Etude des Propriètès Structurales, èlectromques et Magnètiques des Composes tv / BENHAMDANE Tahar
Titre : Etude des Propriètès Structurales, èlectromques et Magnètiques des Composes tv Type de document : texte imprimé Auteurs : BENHAMDANE Tahar, Auteur Année de publication : 2008 Importance : 101 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : linèaire des ondes planes augmentèe la magnètisme discussion Résumé : l'èlectron est fondamentalement connu par sa charge et son spin, la charge a permis le dèveloppement fulgurant de la physique des semi-conducteurs, pour des applications optoèlectroniques (imagerie, communications, dètection ...)l'utilisation du spin ouvre une nouvelle direction pour la conception de nouveaux matèriaux (spintronic) et pour le dèveloppement d'une nouvelle technologie de dispositifs ayant une très grande densitè de stockage, et ou l'information a une très grande vitesse de transmission
le but de ce travail est l'investigation thèorique des propriètès structurales, èlectroniques et magnètiques des composès IV(C,Si,Ge,Sn,Pb) dopès par des mètaux de transition (Mn) l'ètude sera faite par une mèthode de premier principe (mèthode ab initio) de type tout èlectron: la mèthode FLAPW (fUll lineaized augmented plane wave)Directeur de thèse : M FERHAT Etude des Propriètès Structurales, èlectromques et Magnètiques des Composes tv [texte imprimé] / BENHAMDANE Tahar, Auteur . - 2008 . - 101 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : linèaire des ondes planes augmentèe la magnètisme discussion Résumé : l'èlectron est fondamentalement connu par sa charge et son spin, la charge a permis le dèveloppement fulgurant de la physique des semi-conducteurs, pour des applications optoèlectroniques (imagerie, communications, dètection ...)l'utilisation du spin ouvre une nouvelle direction pour la conception de nouveaux matèriaux (spintronic) et pour le dèveloppement d'une nouvelle technologie de dispositifs ayant une très grande densitè de stockage, et ou l'information a une très grande vitesse de transmission
le but de ce travail est l'investigation thèorique des propriètès structurales, èlectroniques et magnètiques des composès IV(C,Si,Ge,Sn,Pb) dopès par des mètaux de transition (Mn) l'ètude sera faite par une mèthode de premier principe (mèthode ab initio) de type tout èlectron: la mèthode FLAPW (fUll lineaized augmented plane wave)Directeur de thèse : M FERHAT Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2350 02-09-328 version papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Etude des propriétés structurales , electroniques et magnétiques des super-réseau(GaN)1/(CuN)1 et(GaN)3/(CuN)1 / Hamida HEDDAR
Titre : Etude des propriétés structurales , electroniques et magnétiques des super-réseau(GaN)1/(CuN)1 et(GaN)3/(CuN)1 Type de document : texte imprimé Auteurs : Hamida HEDDAR, Auteur Année de publication : 2009 Importance : 123 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : electroniques , magnétiques , super- réseaux(GaN)₁/(CuN)₁,(GaN)₃/(CuN)₁,FP-LABW . Résumé : Le travail que nous avons effectué consiste à étudier les propriétés structurales ,électronique et magnétiques des super-réseaux de type 1couche/1couche représenté par (GaN)₁/(CUN)₁ et3 couches/1 couches représenté par(GaN)₃couches/1couches représent par (GaN)₃/(CuN)₁,par la méthode FP-LAPW (full potential linearized a uguented plane waves).
Nous avons divisé notre travail sous quatre chapitres :
Dans le premier chapitre nous avons fait une étude de la théorie de la fonctionnelle de densité(DFT) et celle de la méthode FP-LAPW qui est implémentée dans le code wien2k. dans le deuxiéme chapitre nous avons étudie les super-réseaux à base de nitrures .le troisiéme chapitre a été consacré pour l’étude des matériaux magnétiques.le quatriéme chapitre présent les résultats du présent travail .le résultat le plus intéressant pour les super –réseaux est que le premier type((GaN)₁/(CuN))₁ est trouvé non magnétique avec un moment magnétique de 0,17 uᵝ et le deuxiéme type ((GaN)₃/ (CuN)₁) et mangnétique avec un moment de 2,23uᵝ alors que les atomes présents(Cu,Ga,N) sont non magnétiques
Bien que ce moment magnétique soit faible ,il est du à forte contribution des états du cuivre (CU) et des états pde nitrure(N).
Directeur de thèse : FERHAT,Mohamed Etude des propriétés structurales , electroniques et magnétiques des super-réseau(GaN)1/(CuN)1 et(GaN)3/(CuN)1 [texte imprimé] / Hamida HEDDAR, Auteur . - 2009 . - 123 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : electroniques , magnétiques , super- réseaux(GaN)₁/(CuN)₁,(GaN)₃/(CuN)₁,FP-LABW . Résumé : Le travail que nous avons effectué consiste à étudier les propriétés structurales ,électronique et magnétiques des super-réseaux de type 1couche/1couche représenté par (GaN)₁/(CUN)₁ et3 couches/1 couches représenté par(GaN)₃couches/1couches représent par (GaN)₃/(CuN)₁,par la méthode FP-LAPW (full potential linearized a uguented plane waves).
Nous avons divisé notre travail sous quatre chapitres :
Dans le premier chapitre nous avons fait une étude de la théorie de la fonctionnelle de densité(DFT) et celle de la méthode FP-LAPW qui est implémentée dans le code wien2k. dans le deuxiéme chapitre nous avons étudie les super-réseaux à base de nitrures .le troisiéme chapitre a été consacré pour l’étude des matériaux magnétiques.le quatriéme chapitre présent les résultats du présent travail .le résultat le plus intéressant pour les super –réseaux est que le premier type((GaN)₁/(CuN))₁ est trouvé non magnétique avec un moment magnétique de 0,17 uᵝ et le deuxiéme type ((GaN)₃/ (CuN)₁) et mangnétique avec un moment de 2,23uᵝ alors que les atomes présents(Cu,Ga,N) sont non magnétiques
Bien que ce moment magnétique soit faible ,il est du à forte contribution des états du cuivre (CU) et des états pde nitrure(N).
Directeur de thèse : FERHAT,Mohamed Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 202100 02-09-404 version papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt PermalinkEtude de la technologie MOS-SOI partiellement désertée à très basse tension pour la réduction de l’énergie dissipée dans les circuits électroniques. / BEHIH Aissa
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