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Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance / Stéphane Lefebvre

Public ISBD Titre : Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance Type de document : texte imprimé Auteurs : Stéphane Lefebvre, Auteur ; Francis Miserey, Auteur Editeur : Londres, Paris, New-York : Tec & Doc / Lavoisier Année de publication : 2004 Importance : 428 p. Présentation : couv. ill. en coul., ill. Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7430-0719-5 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTROTECHNIQUE Index. décimale : 10-05 Electronique de puissance et industrielle Résumé : L'électronique envahissant toutes les branches de l'industrie moderne, les composants à semi-conducteur sont devenus le quotidien des ingénieurs et des techniciens. Connaître leurs comportements pour savoir les utiliser au mieux de leurs capacités est donc devenu une nécessité. Privilégiant une approche à la fois transversale et pratique, chaque chapitre se propose d'étudier les mécanismes en jeu quel que soit le composant : répondre aux exigences de tenue en tension, évaluer la rapidité ou limiter les pertes sont autant de situations rencontrées au quotidien par les utilisateurs de composants à semi-conducteur et qui trouveront ici leurs explications. De nombreux schémas et tableaux synoptiques complètent les démonstrations. Cet ouvrage s'adresse aux ingénieurs et techniciens qui souhaitent disposer d'un manuel de référence pour accompagner leurs développements. Il concerne également les étudiants en génie électrique, électronique, électrotechnique et automatique (université, BS et écoles d'ingénieurs) qui trouveront là les connaissances théoriques et techniques nécessaires à la maîtrise de ces composants. Note de contenu : Sommaire -Introduction: fonctionnement et structure des principaux composants(diode-transistor bipolaire-thyristor-IGBT-Hacheur série Chapitre 1:Tenue en tension: Jonction PN-Diode PIN-Transistor Bipolaire-Transistor MOS-IGBT-Thyristor-GTO et IGCT Chapitre 2:Courants directs dans les composants: diode P+IN+ à l'état passant-Transistor Bipolaire de puissance à l'état conducteur-thyristors à l'état passant-courant circulant dans les transistors à grille isolée-courant dans les IGBT Chapitre 3:Modulation de la résistivité Chapitre 4:Effets bi-dimensionnels Chapitre 5:Commutation des composants 5:Commutation des composants de puissance: commutation des composants bipolaires-Commutation des transistors à grille isolée Chapitre 6:Pertes Chapitre 7:Aires de sécurité:diodes-transistors bipolaires-thyristors,GTO,et IGCT-transistors MOS et IGBT Chapitre 8:Circuits d'aide à la commutation et circuits associés: circuit d'aide à la commutation CALC-circuits d'aide à la commutation de blocage-redressement synchrone Chapitre 9: Circuits de commande: commande des transistors bipolaires-commande des thyristors-commande des transistors blocables GTO et IGCT Chapitre 10:Notions sur les propriétés thermiques du silicium et la thermique des composants de puissance: conduction thermique-régimes transitoires-dilatation thermique Chapitre 11:Éléments de technologie du silicium et des composants de puissance Chapitre 12:Intégration des composants de puissance - Semi-conducteurs à grand gap: intégration monolithique(CIP:PICet smart powers-SOI)-intégration hybride -semi conducteurs à grand gap Tableau synoptique des composants de puissance à semi-conducteur:diode PIN-diode schottky -thyristors et LTT- transsistor à jonction bipolaire -GTO et IGCT- transistor MOS-IGBT Complément 1 - Courant électrique dans le silicium Complément 2 - Éléments de Physique des composants Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance [texte imprimé] / Stéphane Lefebvre, Auteur ; Francis Miserey, Auteur . - Londres, Paris, New-York : Tec & Doc / Lavoisier, 2004 . - 428 p. : couv. ill. en coul., ill. ; 24 cm. ISBN : 978-2-7430-0719-5 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTROTECHNIQUE Index. décimale : 10-05 Electronique de puissance et industrielle Résumé : L'électronique envahissant toutes les branches de l'industrie moderne, les composants à semi-conducteur sont devenus le quotidien des ingénieurs et des techniciens. Connaître leurs comportements pour savoir les utiliser au mieux de leurs capacités est donc devenu une nécessité. Privilégiant une approche à la fois transversale et pratique, chaque chapitre se propose d'étudier les mécanismes en jeu quel que soit le composant : répondre aux exigences de tenue en tension, évaluer la rapidité ou limiter les pertes sont autant de situations rencontrées au quotidien par les utilisateurs de composants à semi-conducteur et qui trouveront ici leurs explications. De nombreux schémas et tableaux synoptiques complètent les démonstrations. Cet ouvrage s'adresse aux ingénieurs et techniciens qui souhaitent disposer d'un manuel de référence pour accompagner leurs développements. Il concerne également les étudiants en génie électrique, électronique, électrotechnique et automatique (université, BS et écoles d'ingénieurs) qui trouveront là les connaissances théoriques et techniques nécessaires à la maîtrise de ces composants. Note de contenu : Sommaire -Introduction: fonctionnement et structure des principaux composants(diode-transistor bipolaire-thyristor-IGBT-Hacheur série Chapitre 1:Tenue en tension: Jonction PN-Diode PIN-Transistor Bipolaire-Transistor MOS-IGBT-Thyristor-GTO et IGCT Chapitre 2:Courants directs dans les composants: diode P+IN+ à l'état passant-Transistor Bipolaire de puissance à l'état conducteur-thyristors à l'état passant-courant circulant dans les transistors à grille isolée-courant dans les IGBT Chapitre 3:Modulation de la résistivité Chapitre 4:Effets bi-dimensionnels Chapitre 5:Commutation des composants 5:Commutation des composants de puissance: commutation des composants bipolaires-Commutation des transistors à grille isolée Chapitre 6:Pertes Chapitre 7:Aires de sécurité:diodes-transistors bipolaires-thyristors,GTO,et IGCT-transistors MOS et IGBT Chapitre 8:Circuits d'aide à la commutation et circuits associés: circuit d'aide à la commutation CALC-circuits d'aide à la commutation de blocage-redressement synchrone Chapitre 9: Circuits de commande: commande des transistors bipolaires-commande des thyristors-commande des transistors blocables GTO et IGCT Chapitre 10:Notions sur les propriétés thermiques du silicium et la thermique des composants de puissance: conduction thermique-régimes transitoires-dilatation thermique Chapitre 11:Éléments de technologie du silicium et des composants de puissance Chapitre 12:Intégration des composants de puissance - Semi-conducteurs à grand gap: intégration monolithique(CIP:PICet smart powers-SOI)-intégration hybride -semi conducteurs à grand gap Tableau synoptique des composants de puissance à semi-conducteur:diode PIN-diode schottky -thyristors et LTT- transsistor à jonction bipolaire -GTO et IGCT- transistor MOS-IGBT Complément 1 - Courant électrique dans le silicium Complément 2 - Éléments de Physique des composants

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
1709	10-05-63	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1709