27-01 : Technologie des matériaux à semi-conducteur

27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur
27-03 Métallurgie appliquée au semi-conducteur
27-04 Propriétés électriques des composants à semi-conducteur(transistor-diode)
27-05 Microélectronique

Ouvrages de la bibliothèque en indexation 27-01

Advanced Semiconductor Heterostructures / Mitra Dutta

Public ISBD Titre : Advanced Semiconductor Heterostructures : novel devices, potential device applications and basic properties Type de document : texte imprimé Auteurs : Mitra Dutta, Auteur ; Michael A. Stroscio, Auteur Editeur : Singapore, New jersey, London, Hong kong : World Scientific Publishing Co. Année de publication : 2003 Collection : Selected Topics in Electronics and Systems Importance : 233 p. Présentation : ill. Format : 25,4 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-981-238-289-4 Langues : Anglais (eng) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : This volume provides valuable summaries on many aspects of advanced semiconductor heterostructures and highlights the great variety of semiconductor heterostructures that has emerged since their original conception. As exemplified by the chapters in this book, recent progress on advanced semiconductor heterostructures spans a truly remarkable range of scientific fields with an associated diversity of applications. Some of these applications will undoubtedly revolutionize critically important facets of modern technology. At the heart of these advances is the ability to design and control the properties of semiconductor devices on the nanoscale. As an example, the intersubband lasers discussed in this book have a broad range of previously unobtainable characteristics and associated applications as a result of the nanoscale dimensional control of the underlying semiconductor heterostructures. As this book illustrates, an astounding variety of heterostructures can be fabricated with current technology; the potentially widespread use of layered quantum dots fabricated with nanoscale precision in biological applications opens up exciting advances in medicine. In addition, many more excellent examples of the remarkable impact being made through the use of semiconductor heterostructures are given. The summaries in this volume provide timely insights into what we know now about selected areas of advanced semiconductor heterostructures and also provide foundations for further developments. Note de contenu : CONTENTS -NOVEL HETERSTRUCTURE DEVICES ELECTRON-PHONON INTERACTIONS IN INTERSUBBAND LASER HETEROSTRUCTURES QUANTUM DOT INFRARED DETECTORS AND SOURCES Generation of Terahertz Emission Based on Intersubband Transitions MID-INFRARED GaSb-BASED LASERS WITH TYPE-I HETEROINTERFACES ADVANCES IN QUANTUM-DOT RESEARCH AND TECHNOLOGY: THE PATH TO APPLICATION IN BIOLOGY -POTENTIAL DEVICE APPLICATIONS AN BASIC PROPERTIES HIGH-FIELD ELECTRON TRANSPORT CONTROLLED BY OPTICAL PHONON EMISSION IN NITRIDES COOLING BY INVERSE NOTTINGHAM EFFECT WITH RESONANT TUNNELING THE PHYSICS OF SINGLE ELECTRON TRANSISTORS CARRIER CAPTURE AND TRANSPORT WITHIN TUNNEL INJECTION LASERS: A QUANTUM TRANSPORT ANALYSIS THE INFLUENCE OF ENVIRONMENTAL EFFECTS ON THE ACOUSTIC PHONON SPECTRA IN QUANTUM-DOT HETEROSTRUCTURES QUANTUM DEVICES WITH MULTIPOLE-ELECTRODE - HETEROJUNCTIONS HYBRID STRUCTURES Advanced Semiconductor Heterostructures : novel devices, potential device applications and basic properties [texte imprimé] / Mitra Dutta, Auteur ; Michael A. Stroscio, Auteur . - Singapore, New jersey, London, Hong kong : World Scientific Publishing Co., 2003 . - 233 p. : ill. ; 25,4 cm.. - (Selected Topics in Electronics and Systems) . ISBN : 978-981-238-289-4 Langues : Anglais (eng) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : This volume provides valuable summaries on many aspects of advanced semiconductor heterostructures and highlights the great variety of semiconductor heterostructures that has emerged since their original conception. As exemplified by the chapters in this book, recent progress on advanced semiconductor heterostructures spans a truly remarkable range of scientific fields with an associated diversity of applications. Some of these applications will undoubtedly revolutionize critically important facets of modern technology. At the heart of these advances is the ability to design and control the properties of semiconductor devices on the nanoscale. As an example, the intersubband lasers discussed in this book have a broad range of previously unobtainable characteristics and associated applications as a result of the nanoscale dimensional control of the underlying semiconductor heterostructures. As this book illustrates, an astounding variety of heterostructures can be fabricated with current technology; the potentially widespread use of layered quantum dots fabricated with nanoscale precision in biological applications opens up exciting advances in medicine. In addition, many more excellent examples of the remarkable impact being made through the use of semiconductor heterostructures are given. The summaries in this volume provide timely insights into what we know now about selected areas of advanced semiconductor heterostructures and also provide foundations for further developments. Note de contenu : CONTENTS -NOVEL HETERSTRUCTURE DEVICES ELECTRON-PHONON INTERACTIONS IN INTERSUBBAND LASER HETEROSTRUCTURES QUANTUM DOT INFRARED DETECTORS AND SOURCES Generation of Terahertz Emission Based on Intersubband Transitions MID-INFRARED GaSb-BASED LASERS WITH TYPE-I HETEROINTERFACES ADVANCES IN QUANTUM-DOT RESEARCH AND TECHNOLOGY: THE PATH TO APPLICATION IN BIOLOGY -POTENTIAL DEVICE APPLICATIONS AN BASIC PROPERTIES HIGH-FIELD ELECTRON TRANSPORT CONTROLLED BY OPTICAL PHONON EMISSION IN NITRIDES COOLING BY INVERSE NOTTINGHAM EFFECT WITH RESONANT TUNNELING THE PHYSICS OF SINGLE ELECTRON TRANSISTORS CARRIER CAPTURE AND TRANSPORT WITHIN TUNNEL INJECTION LASERS: A QUANTUM TRANSPORT ANALYSIS THE INFLUENCE OF ENVIRONMENTAL EFFECTS ON THE ACOUSTIC PHONON SPECTRA IN QUANTUM-DOT HETEROSTRUCTURES QUANTUM DEVICES WITH MULTIPOLE-ELECTRODE - HETEROJUNCTIONS HYBRID STRUCTURES

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
2885	27-01-12	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	2885

Les composants optoélectroniques / François Cerf

Public ISBD Titre : Les composants optoélectroniques Type de document : texte imprimé Auteurs : François Cerf, Auteur Editeur : Paris : Hermes Science Publications Année de publication : 2000 Importance : 271 p. Présentation : ill. Format : 23,4 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0082-1 Langues : Français (fre) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : Cet ouvrage aborde l'optoélectronique du point de vue de l'analyse et des méthodes de mise en oeuvre des composants optoélectroniques utilisés entre autres dans les domaines de la télécommunication, la détection, la mesure et l'imagerie. La démarche adoptée permet de comprendre les problèmes rencontrés lors de l'utilisation de ces différents composants. Largement illustré, il est organisé en deux parties : l'étude des caractéristiques des différentes sources et détecteurs optoélectroniques tels que les photodiodes PIN et PDA, les photomultiplicateurs, les détecteurs de position PSD, les intensificateurs d'images, les CCD, les Led et diodes laser,... et l'étude des technologies associées aux systèmes optoélectroniques tels que l'optimisation des étages d'acquisition, les codes de transmission, l'acquisition des données opto-numériques par convertisseurs de types Delta-Sigma, la régulation de température par modules Peltier. Il s'adresse aux étudiants et techniciens travaillant dans l’électronique ou le génie optique et à ceux qui sont confrontés aux problèmes de l'interfaçage entre ces deux disciplines. Note de contenu : Sommaires 1. Notion de photométrie vbcr Partie 1. Sources et détecteurs 2. Sources diverses 3. Diodes électroluminescentes 4. Les diodes laser 5. Les photodiodes 6. Les photodiodes à avalanche 7. Cellule photorésistante ou LDR 8. Les photomultiplicateurs 9. Les capteurs de position PSD 10. Acquisition d'images Partie 2. Technologies associées aux systèmes optoélectroniques 11. Signaux et systèmes en optoélectronique 12. Montage transimpédance 13. Acquisition optonumérique 14. Télécommunications optiques 15. Liaison guidée : câble ou fibre optique 16. Les codes de transmission d'une liaison numérique 17. Régulation en température Annexes -Index Les composants optoélectroniques [texte imprimé] / François Cerf, Auteur . - Paris : Hermes Science Publications, 2000 . - 271 p. : ill. ; 23,4 cm. ISBN : 978-2-7462-0082-1 Langues : Français (fre) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : Cet ouvrage aborde l'optoélectronique du point de vue de l'analyse et des méthodes de mise en oeuvre des composants optoélectroniques utilisés entre autres dans les domaines de la télécommunication, la détection, la mesure et l'imagerie. La démarche adoptée permet de comprendre les problèmes rencontrés lors de l'utilisation de ces différents composants. Largement illustré, il est organisé en deux parties : l'étude des caractéristiques des différentes sources et détecteurs optoélectroniques tels que les photodiodes PIN et PDA, les photomultiplicateurs, les détecteurs de position PSD, les intensificateurs d'images, les CCD, les Led et diodes laser,... et l'étude des technologies associées aux systèmes optoélectroniques tels que l'optimisation des étages d'acquisition, les codes de transmission, l'acquisition des données opto-numériques par convertisseurs de types Delta-Sigma, la régulation de température par modules Peltier. Il s'adresse aux étudiants et techniciens travaillant dans l’électronique ou le génie optique et à ceux qui sont confrontés aux problèmes de l'interfaçage entre ces deux disciplines. Note de contenu : Sommaires 1. Notion de photométrie vbcr Partie 1. Sources et détecteurs 2. Sources diverses 3. Diodes électroluminescentes 4. Les diodes laser 5. Les photodiodes 6. Les photodiodes à avalanche 7. Cellule photorésistante ou LDR 8. Les photomultiplicateurs 9. Les capteurs de position PSD 10. Acquisition d'images Partie 2. Technologies associées aux systèmes optoélectroniques 11. Signaux et systèmes en optoélectronique 12. Montage transimpédance 13. Acquisition optonumérique 14. Télécommunications optiques 15. Liaison guidée : câble ou fibre optique 16. Les codes de transmission d'une liaison numérique 17. Régulation en température Annexes -Index

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1391	27-01-04	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1391
1392	27-01-04	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1392
1393	27-01-04	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1393

Détecteurs optoélectroniques / Didier Decoster

Public ISBD Titre : Détecteurs optoélectroniques Type de document : texte imprimé Auteurs : Didier Decoster, Auteur ; Joseph Harari, Auteur Editeur : Paris : Hermes science/Lavoisier Année de publication : 2002 Collection : Traité EGEM Electronique-Génie Electrique-Microsystèmes Importance : 245 p. Présentation : couv. ill. en en coul Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0562-8 Langues : Français (fre) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : La photodétection représente une fonction qui trouve sa place dans un grand nombre de systèmes professionnels ou grand public. Les applications sont nombreuses (télécommunications optiques fibrées ou en espace libre, isolation galvanique, capteur solaire, détecteur de présence, etc.) et sont toutes fondées sur le même processus : transformer une puissance lumineuse en signal électrique, ce signal devant être le plus élevé possible, pour un flux optique aussi faible que possible. Lorsqu'il s'agit de transmettre des informations rapides, voire très rapides, il faut que ce photodétecteur réagisse très vite. Ces considérations élémentaires impliquent qu'un certain nombre de performances soient atteintes, pour satisfaire les exigences de l'application envisagée. C'est dans ce contexte qu'un certain nombre de structures photodétectrices ont été envisagées : photoconducteurs, photodiodes p-n et PIN, photodiodes à avalanche, phototransistors, photodiodes Schottky, photodétecteurs MSM (Metal Semiconductor Metal). Cet ouvrage rassemble les connaissances les plus approfondies et les plus marquantes actuellement sur la photodétection pour des longueurs d'onde comprises entre l'infrarouge proche et l'ultraviolet. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1 Généralités sur les photodétecteurs à semi-conducteurs Chapitre 2 Photodiodes PIN pour le visible et le proche infrarouge Chapitre 3 Les photodiodes à avalanche Chapitre 4 Les phototransistors Chapitre 5 Les photodiodes métal-semi-conducteur-métal (MSM) Chapitre 6 Photodétecteurs pour l'ultraviolet Chapitre 7 Le bruit dans les photodiodes et les systèmes de photoréception Détecteurs optoélectroniques [texte imprimé] / Didier Decoster, Auteur ; Joseph Harari, Auteur . - Paris : Hermes science/Lavoisier, 2002 . - 245 p. : couv. ill. en en coul ; 24 cm.. - (Traité EGEM Electronique-Génie Electrique-Microsystèmes) . ISBN : 978-2-7462-0562-8 Langues : Français (fre) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : La photodétection représente une fonction qui trouve sa place dans un grand nombre de systèmes professionnels ou grand public. Les applications sont nombreuses (télécommunications optiques fibrées ou en espace libre, isolation galvanique, capteur solaire, détecteur de présence, etc.) et sont toutes fondées sur le même processus : transformer une puissance lumineuse en signal électrique, ce signal devant être le plus élevé possible, pour un flux optique aussi faible que possible. Lorsqu'il s'agit de transmettre des informations rapides, voire très rapides, il faut que ce photodétecteur réagisse très vite. Ces considérations élémentaires impliquent qu'un certain nombre de performances soient atteintes, pour satisfaire les exigences de l'application envisagée. C'est dans ce contexte qu'un certain nombre de structures photodétectrices ont été envisagées : photoconducteurs, photodiodes p-n et PIN, photodiodes à avalanche, phototransistors, photodiodes Schottky, photodétecteurs MSM (Metal Semiconductor Metal). Cet ouvrage rassemble les connaissances les plus approfondies et les plus marquantes actuellement sur la photodétection pour des longueurs d'onde comprises entre l'infrarouge proche et l'ultraviolet. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1 Généralités sur les photodétecteurs à semi-conducteurs Chapitre 2 Photodiodes PIN pour le visible et le proche infrarouge Chapitre 3 Les photodiodes à avalanche Chapitre 4 Les phototransistors Chapitre 5 Les photodiodes métal-semi-conducteur-métal (MSM) Chapitre 6 Photodétecteurs pour l'ultraviolet Chapitre 7 Le bruit dans les photodiodes et les systèmes de photoréception

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
1209	27-01-05	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1209
1210	27-01-05	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1210
1211	27-01-05	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1211

Field effect devices Vol. IV / Robert F. Pierret

Public ISBD Titre : Field effect devices Vol. IV Type de document : texte imprimé Auteurs : Robert F. Pierret, Auteur Mention d'édition : 2 ed. Editeur : Reading, Massachusetts, Menlo park... : Addison-Wesley Publishing Company Année de publication : 1990 Collection : Modular Series on Solid State Devices Importance : 203 p. Présentation : couv. ill. en en coul Format : 23 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-0-201-12298-5 Langues : Anglais (eng) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : This book presents both a qualitative and quantitative description of the device. The second edition has been refined to improve pedagogical effectiveness. The second edition examines in detail three of the most basic members of the field device family to introduce the reader to relevant terms, concepts, models, and analytical procedures. Volume IV: Field effect devices, second edition, by Robert F. Pierret provides an introduction to the field-effect family of devices, basic members of the device family- the J-FET/MESFET,MOS-C,and MOSFET-are carefully examined to convey relevant terms, concepts, models, and analytical procedures. the second edition includes Note de contenu : Sommaire 1. J-FET and MESFET. 2. MOS Fundamentals. 3. MOSFETs: An Introduction. 4. Nonideal MOS. 5. Modern FET Structures. Field effect devices Vol. IV [texte imprimé] / Robert F. Pierret, Auteur  . -  2 ed. . - Reading, Massachusetts, Menlo park... : Addison-Wesley Publishing Company, 1990 . - 203 p. : couv. ill. en en coul ; 23 cm.. - (Modular Series on Solid State Devices) . ISBN : 978-0-201-12298-5 Langues : Anglais (eng) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : This book presents both a qualitative and quantitative description of the device. The second edition has been refined to improve pedagogical effectiveness. The second edition examines in detail three of the most basic members of the field device family to introduce the reader to relevant terms, concepts, models, and analytical procedures. Volume IV: Field effect devices, second edition, by Robert F. Pierret provides an introduction to the field-effect family of devices, basic members of the device family- the J-FET/MESFET,MOS-C,and MOSFET-are carefully examined to convey relevant terms, concepts, models, and analytical procedures. the second edition includes Note de contenu : Sommaire 1. J-FET and MESFET. 2. MOS Fundamentals. 3. MOSFETs: An Introduction. 4. Nonideal MOS. 5. Modern FET Structures.

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434	27-01-01	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	434

High energy electron diffraction and microscopy hardcover / L.-M. Peng

Public ISBD Titre : High energy electron diffraction and microscopy hardcover Type de document : texte imprimé Auteurs : L.-M. Peng, Auteur Editeur : Oxford, New York : Oxford University Press ISBN/ISSN/EAN : 978-0-19-960224-7 Langues : Anglais (eng) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : This book provides the reader with a comprehensive introduction to high energy electron diffraction and elastic and inelastic scattering of high energy electrons, with particular emphasis on applications to modern electron microscopy. Starting from a survey of fundamental phenomena, the authors introduce the most important concepts underlying modern understanding of high energy electron diffraction. Dynamical diffraction in transmission (THEED) and reflection (RHEED) geometries is treated using a general matrix theory, where computer programs and worked examples are provided to illustrate the concepts and to familiarize the reader with practical applications. Diffuse and inelastic scattering and coherence effects are treated comprehensively both as a perturbation of elastic scattering and within the general multiple scattering quantum mechanical framework of the density matrix method. Among the highlights are the treatment of resonance diffraction of electrons, HOLZ diffraction, the formation of Kikuchi bands and lines and ring patterns, and application of diffraction to monitoring of growing surfaces. Useful practical data are summarised in tables including those of electron scattering factors for all the neutral atoms and many ions, and the temperature dependent Debye-Waller factors given for over 100 elemental crystals and compounds. Note de contenu : Contents 1. Basic concepts of high-energy electron diffraction 2. Kinematic theory 3. Dynamical theory I - general theory 4. Dynamical theory II. transmission high-energy electron diffraction 5. Dynamical theory III. high energy electron diffraction 6. Resonance effects in transmission and reflection high-energy electron diffraction 7. Diffuse and inelastic scattering - elementary processes 8. Diffuse and inelastric scattering - multiple scattering effects 9. Crystal and diffraction symmetry 10. Perturbation methods and tensor theory 11. Digital electron microscopy recording and basic processing 12. Image formation and the retrieval of the wave function 13. The atomic scattering factor and the optical potential 14. Temperature-depenent debye-Waller factors ; A. Some useful mathematical relations B. Green's functions C. FORTRAN listing of RHEED routines D. Parameterization of the atomic scattering factor High energy electron diffraction and microscopy hardcover [texte imprimé] / L.-M. Peng, Auteur . - Oxford, New York : Oxford University Press, [s.d.]. ISBN : 978-0-19-960224-7 Langues : Anglais (eng) Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : This book provides the reader with a comprehensive introduction to high energy electron diffraction and elastic and inelastic scattering of high energy electrons, with particular emphasis on applications to modern electron microscopy. Starting from a survey of fundamental phenomena, the authors introduce the most important concepts underlying modern understanding of high energy electron diffraction. Dynamical diffraction in transmission (THEED) and reflection (RHEED) geometries is treated using a general matrix theory, where computer programs and worked examples are provided to illustrate the concepts and to familiarize the reader with practical applications. Diffuse and inelastic scattering and coherence effects are treated comprehensively both as a perturbation of elastic scattering and within the general multiple scattering quantum mechanical framework of the density matrix method. Among the highlights are the treatment of resonance diffraction of electrons, HOLZ diffraction, the formation of Kikuchi bands and lines and ring patterns, and application of diffraction to monitoring of growing surfaces. Useful practical data are summarised in tables including those of electron scattering factors for all the neutral atoms and many ions, and the temperature dependent Debye-Waller factors given for over 100 elemental crystals and compounds. Note de contenu : Contents 1. Basic concepts of high-energy electron diffraction 2. Kinematic theory 3. Dynamical theory I - general theory 4. Dynamical theory II. transmission high-energy electron diffraction 5. Dynamical theory III. high energy electron diffraction 6. Resonance effects in transmission and reflection high-energy electron diffraction 7. Diffuse and inelastic scattering - elementary processes 8. Diffuse and inelastric scattering - multiple scattering effects 9. Crystal and diffraction symmetry 10. Perturbation methods and tensor theory 11. Digital electron microscopy recording and basic processing 12. Image formation and the retrieval of the wave function 13. The atomic scattering factor and the optical potential 14. Temperature-depenent debye-Waller factors ; A. Some useful mathematical relations B. Green's functions C. FORTRAN listing of RHEED routines D. Parameterization of the atomic scattering factor

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2748	27-01-08	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	2748
2749	27-01-08	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	2749

Matériaux supraconducteurs / Pascal Tixador

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Les nanotechnologies / Michel Wautelet

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Physique et modélisation des composants et des circuits intégrés de puissance / Frédéric Morancho

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Quantum wells, wires and dots / Paul Harrison

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Semi-conducteurs : les bases de la théorie k.p / Guy Fishman

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Semiconductor nanostructures / Thomas Ihn

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Technologie microélectronique - Supélec / Olivier Bonnaud

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The oxford handbook of nanoscience and technology / A. V. Narlikar

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The RF and Microwave Circuit Design Cookbook / Stephen A. Maas

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Traitement des puces électroniques et nouveaux procédés d'interconnexion / Gilles Poupon

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