27-02 : Physique et chimie des matériaux semi-conducteur

27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur
27-03 Métallurgie appliquée au semi-conducteur
27-04 Propriétés électriques des composants à semi-conducteur(transistor-diode)
27-05 Microélectronique

Ouvrages de la bibliothèque en indexation 27-02

Caractérisation et nettoyage du silicium / Annie Baudrant

Public ISBD Titre : Caractérisation et nettoyage du silicium : caractérisation physico-chimique et nettoyage par voie humide Type de document : texte imprimé Auteurs : Annie Baudrant, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2003 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 218 p. Présentation : couv. ill.,ill. Format : 24,2 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0605-2 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Depuis la réalisation du premier circuit intégré il y a plus de quarante ans, les étapes de fabrication en micro-électronique sont restées les mêmes. Les procédés ont cependant considérablement évolué, dans l'objectif de diminuer toutes les dimensions, pour intégrer toujours plus. Des techniques nouvelles et complexes se cachent aujourd'hui derrière un procédé de fabrication. Le présent ouvrage passe en revue l'ensemble des étapes élémentaires : nettoyage, dépôt métallique, dépôt de couche diélectrique, oxydation, dopage, gravure, lithographie. Sont également présentées les techniques de caractérisation, indispensables pour juger de la qualité des procédés. Chaque étape fait l'objet d'un chapitre : le procédé, les équipements et la physique des techniques y sont détaillés. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1 Nettoyage du silicium en micro-électronique par voie humide 1.2 Sources de contamination lors de l'élaboration des circuits intégrés. 1.3 Effets des contaminants et de la rugosité sur une étape critique : l'oxyde de grille. 1.4 Objectifs en termes de propreté des tranches. 1.5 Mécanismes fondamentaux de retrait de la contamination par voie humide. 1.6 Mécanisme de redépôt de la contamination dans les bains. 1.7 Chimies des étapes de nettoyage utilisées pour les procédés front-end. 1.8 Exemples de séquences de nettoyages utilisées. 1.9 États physico-chimiques des surfaces après nettoyage. 1.11 Données utiles. Chapitre 2 Techniques de caractérisation physico-chimique Christophe Wyon. 2.2 Interactions physiques avec la matière. 2.3 Caractérisations physiques. 2.4 Caractérisation de la contamination. 2.5Conclusions générales. -Index Caractérisation et nettoyage du silicium : caractérisation physico-chimique et nettoyage par voie humide [texte imprimé] / Annie Baudrant, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2003 . - 218 p. : couv. ill.,ill. ; 24,2 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-0605-2 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Depuis la réalisation du premier circuit intégré il y a plus de quarante ans, les étapes de fabrication en micro-électronique sont restées les mêmes. Les procédés ont cependant considérablement évolué, dans l'objectif de diminuer toutes les dimensions, pour intégrer toujours plus. Des techniques nouvelles et complexes se cachent aujourd'hui derrière un procédé de fabrication. Le présent ouvrage passe en revue l'ensemble des étapes élémentaires : nettoyage, dépôt métallique, dépôt de couche diélectrique, oxydation, dopage, gravure, lithographie. Sont également présentées les techniques de caractérisation, indispensables pour juger de la qualité des procédés. Chaque étape fait l'objet d'un chapitre : le procédé, les équipements et la physique des techniques y sont détaillés. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1 Nettoyage du silicium en micro-électronique par voie humide 1.2 Sources de contamination lors de l'élaboration des circuits intégrés. 1.3 Effets des contaminants et de la rugosité sur une étape critique : l'oxyde de grille. 1.4 Objectifs en termes de propreté des tranches. 1.5 Mécanismes fondamentaux de retrait de la contamination par voie humide. 1.6 Mécanisme de redépôt de la contamination dans les bains. 1.7 Chimies des étapes de nettoyage utilisées pour les procédés front-end. 1.8 Exemples de séquences de nettoyages utilisées. 1.9 États physico-chimiques des surfaces après nettoyage. 1.11 Données utiles. Chapitre 2 Techniques de caractérisation physico-chimique Christophe Wyon. 2.2 Interactions physiques avec la matière. 2.3 Caractérisations physiques. 2.4 Caractérisation de la contamination. 2.5Conclusions générales. -Index

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
1101	27-02-02	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1101
1102	27-02-02	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1102
1103	27-02-02	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1103

Chimie en microélectronique / Yannick Le Tiec

Public ISBD Titre : Chimie en microélectronique Type de document : texte imprimé Auteurs : Yannick Le Tiec, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2013 Collection : Micro et Nano Électronique et Systèmes Importance : 384 p. Présentation : couv. ill. en en coul Format : 23,7 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-3918-0 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage. Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1. La chimie en Front End Of the Line (FEOL) : dépôts, empilements de grilles, épitaxies et contacts 1.2. Empilements de grilles. 1.3. La chimie impliquée dans les matériaux cristallins. 1.4. Les contacts au niveau de la grille et des zones « Source » et « Drain ». Chapitre 2. La chimie dans les interconnexions 2.2. Interconnexions : généralités et historiques. 2.3. Dépôts des diélectriques. 2.4. Dépôt et propriétés des couches métalliques pour les structures d’interconnexions. 2.5. Procédé de nettoyage des interconnexions cuivre. Chapitre 3. Chimie de la préparation des surfaces par voie humide : nettoyage, attaque chimique et séchage 3.2. Nettoyage. 3.3. Attaque chimique par voie humide. 3.4. Rinçage et séchage Chapitre 4. Utilisation et gestion des fluides chimiques en microélectronique 4.1. Eau ultrapure (EUP). 4.2. L’utilisation des gaz dans la microélectronique. 4.3. Gaz dissous. 4.4. Produits chimiques de haute pureté. 4.5. Gestion des déchets. 4.6. Notations. Chapitre 5. Fonctionnalisation des surfaces pour micros et nanosystèmes :application pour capteurs chimiques et biologiques 5.2. Matériaux. 5.3. Procédé de fonctionnalisation. 5.4. Immobilisation de molécules et macromolécules. 5.5. Applications Conclusion. Bibliographie. Liste des abréviations. Index. Chimie en microélectronique [texte imprimé] / Yannick Le Tiec, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2013 . - 384 p. : couv. ill. en en coul ; 23,7 cm.. - (Micro et Nano Électronique et Systèmes) . ISBN : 978-2-7462-3918-0 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage. Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1. La chimie en Front End Of the Line (FEOL) : dépôts, empilements de grilles, épitaxies et contacts 1.2. Empilements de grilles. 1.3. La chimie impliquée dans les matériaux cristallins. 1.4. Les contacts au niveau de la grille et des zones « Source » et « Drain ». Chapitre 2. La chimie dans les interconnexions 2.2. Interconnexions : généralités et historiques. 2.3. Dépôts des diélectriques. 2.4. Dépôt et propriétés des couches métalliques pour les structures d’interconnexions. 2.5. Procédé de nettoyage des interconnexions cuivre. Chapitre 3. Chimie de la préparation des surfaces par voie humide : nettoyage, attaque chimique et séchage 3.2. Nettoyage. 3.3. Attaque chimique par voie humide. 3.4. Rinçage et séchage Chapitre 4. Utilisation et gestion des fluides chimiques en microélectronique 4.1. Eau ultrapure (EUP). 4.2. L’utilisation des gaz dans la microélectronique. 4.3. Gaz dissous. 4.4. Produits chimiques de haute pureté. 4.5. Gestion des déchets. 4.6. Notations. Chapitre 5. Fonctionnalisation des surfaces pour micros et nanosystèmes :application pour capteurs chimiques et biologiques 5.2. Matériaux. 5.3. Procédé de fonctionnalisation. 5.4. Immobilisation de molécules et macromolécules. 5.5. Applications Conclusion. Bibliographie. Liste des abréviations. Index.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
3617	27-02-03	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3617
3618	27-02-03	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3618
3619	27-02-03	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3619

Electrical Properties of Materials / Laszlo Solymar

Public ISBD Titre : Electrical Properties of Materials Type de document : texte imprimé Auteurs : Laszlo Solymar, Auteur ; Donald Walsh, Auteur Mention d'édition : 8th. ed. Editeur : Oxford, New York : Oxford University Press Année de publication : 2010 Importance : 443 p. Présentation : couv. ill. en coul., ill. Format : 24,5 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-0-19-956591-7 Langues : Anglais (eng) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Electrical Properties of Materials are emphasized; in addition, topics are selected in order to explain the operation of devices having applications (or possible future applications) in engineering. The mathematics, kept deliberately to a minimum, is well within the grasp of a second-year student. This is achieved by choosing the simplest model that can display the essential properties of a phenomenom, and then examining the difference between the ideal and the actual behaviour. The whole text is designed as an undergraduate course. However most individual sections are self contained and can be used as background reading in graduate courses, and for interested persons who want to explore advances in microelectronics, lasers, nanotechnology and several other topics that impinge on modern life. Key Features Solutions manual available on request from the publisher's website. Full coverage of the whole field of the electrical properties of materials, including device applications Written in a style that appeals to undergraduates Has been endorsed by lecturers as 'bedtime reading Economic with the use of mathematics New to this edition Entire new chapter on Metamaterials, alongside expanded coverage of plasma phenomena and anomalous dispersion. Coverage of new developments in many areas, including THz devices, semiconductor devices, spintronics, quantum-dot devices, optoelectronic devices and superconductors. An informal and highly accessible writing style, a simple treatment of mathematics, and clear guide to applications, have made this book a classic text in electrical and electronic engineering. Students will find it both readable and comprehensive. Note de contenu : Table of Contents 1: The electron as a particle 2: The electron as a wave 3: The electron 4: The hydrogen atom and the periodic table 5: Bonds 6: The free electron theory of metals 7: The band theory of solids 8: Semiconductors 9: Principles of semiconductor devices 10: Dielectric materials 11: Magnetic materials 12: Lasers 13: Optoelectronics 14: Superconductivity 15: Metamaterials Electrical Properties of Materials [texte imprimé] / Laszlo Solymar, Auteur ; Donald Walsh, Auteur  . -  8th. ed. . - Oxford, New York : Oxford University Press, 2010 . - 443 p. : couv. ill. en coul., ill. ; 24,5 cm. ISBN : 978-0-19-956591-7 Langues : Anglais (eng) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Electrical Properties of Materials are emphasized; in addition, topics are selected in order to explain the operation of devices having applications (or possible future applications) in engineering. The mathematics, kept deliberately to a minimum, is well within the grasp of a second-year student. This is achieved by choosing the simplest model that can display the essential properties of a phenomenom, and then examining the difference between the ideal and the actual behaviour. The whole text is designed as an undergraduate course. However most individual sections are self contained and can be used as background reading in graduate courses, and for interested persons who want to explore advances in microelectronics, lasers, nanotechnology and several other topics that impinge on modern life. Key Features Solutions manual available on request from the publisher's website. Full coverage of the whole field of the electrical properties of materials, including device applications Written in a style that appeals to undergraduates Has been endorsed by lecturers as 'bedtime reading Economic with the use of mathematics New to this edition Entire new chapter on Metamaterials, alongside expanded coverage of plasma phenomena and anomalous dispersion. Coverage of new developments in many areas, including THz devices, semiconductor devices, spintronics, quantum-dot devices, optoelectronic devices and superconductors. An informal and highly accessible writing style, a simple treatment of mathematics, and clear guide to applications, have made this book a classic text in electrical and electronic engineering. Students will find it both readable and comprehensive. Note de contenu : Table of Contents 1: The electron as a particle 2: The electron as a wave 3: The electron 4: The hydrogen atom and the periodic table 5: Bonds 6: The free electron theory of metals 7: The band theory of solids 8: Semiconductors 9: Principles of semiconductor devices 10: Dielectric materials 11: Magnetic materials 12: Lasers 13: Optoelectronics 14: Superconductivity 15: Metamaterials

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
2740	27-02-05	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	2740
2741	27-02-05	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	2741

Fundamentals of Semiconductor Lasers / Takahiro Numai

Public ISBD Titre : Fundamentals of Semiconductor Lasers Type de document : texte imprimé Auteurs : Takahiro Numai, Auteur Editeur : Berlin Heidelberg : Springer-Verlag Année de publication : 2004 Collection : Springer Series in Optical Sciences Importance : 259 p. Présentation : couv. ill. en coul., ill. Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-0-387-40836-1 Langues : Anglais (eng) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Fundamentals of Semiconductor Lasers explains the physics and fundamental characteristics of semiconductor lasers with regard to systems applications. The detailed and comprehensive presentation is unique in that it encourages the reader to consider different semiconductor lasers from different angles. Emphasis is placed on recognizing common concepts such operating principles and structure, and solving problems based on individual situations. The treatment is enhanced by an historical account of advances in semiconductor lasers over the years, discussing both those ideas that have persisted over the years and those that have faded out. The first four chapters cover the basics of semiconductors, including band structures, optical transitions, optical waveguides, and optical resonators. The remaining chapters discuss operating principles and basic characteristics of semiconductor lasers, and advanced topics including dynamic single-mode lasers, quantum well lasers, and control of spontaneous emission. The reader need only be familiar with undergraduate-level electromagnetism and quantum mechanics. After reading this book, the student will be able to think critically about semiconductor lasers, and be able to read and understand journal papers in the field. This book will be essential to any advanced undergraduate or graduate student of semiconductor lasers, and any professional physicist or engineer looking for a good overview of the subject. Written for: Advanced undergraduate or graduate student of semiconductor lasers, and any professional physicist or engineer looking for a good overview of the subject Note de contenu : Sommaire Preface 1 Band Structures 2 Optical Transitions 3 Optical Waveguides 4 Optical Resonators 5 Fundamentals of Semiconductor Lasers 6 Dynamic single-mode LDs 7 Quantum Well LDs 8 Control of Spontaneous Emission A Cyclotron Resonance B Time-Independent Perturbation Theory C Time-Dependent Perturbation Theory D TE-Mode and TM-Mode E Characteristic Matrix in Discrete Approach F Free Carrier Absorption and Plasma Effect G Relative Intensity Noise (RIN) -Index Fundamentals of Semiconductor Lasers [texte imprimé] / Takahiro Numai, Auteur . - Berlin Heidelberg : Springer-Verlag, 2004 . - 259 p. : couv. ill. en coul., ill. ; 24 cm.. - (Springer Series in Optical Sciences) . ISBN : 978-0-387-40836-1 Langues : Anglais (eng) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Fundamentals of Semiconductor Lasers explains the physics and fundamental characteristics of semiconductor lasers with regard to systems applications. The detailed and comprehensive presentation is unique in that it encourages the reader to consider different semiconductor lasers from different angles. Emphasis is placed on recognizing common concepts such operating principles and structure, and solving problems based on individual situations. The treatment is enhanced by an historical account of advances in semiconductor lasers over the years, discussing both those ideas that have persisted over the years and those that have faded out. The first four chapters cover the basics of semiconductors, including band structures, optical transitions, optical waveguides, and optical resonators. The remaining chapters discuss operating principles and basic characteristics of semiconductor lasers, and advanced topics including dynamic single-mode lasers, quantum well lasers, and control of spontaneous emission. The reader need only be familiar with undergraduate-level electromagnetism and quantum mechanics. After reading this book, the student will be able to think critically about semiconductor lasers, and be able to read and understand journal papers in the field. This book will be essential to any advanced undergraduate or graduate student of semiconductor lasers, and any professional physicist or engineer looking for a good overview of the subject. Written for: Advanced undergraduate or graduate student of semiconductor lasers, and any professional physicist or engineer looking for a good overview of the subject Note de contenu : Sommaire Preface 1 Band Structures 2 Optical Transitions 3 Optical Waveguides 4 Optical Resonators 5 Fundamentals of Semiconductor Lasers 6 Dynamic single-mode LDs 7 Quantum Well LDs 8 Control of Spontaneous Emission A Cyclotron Resonance B Time-Independent Perturbation Theory C Time-Dependent Perturbation Theory D TE-Mode and TM-Mode E Characteristic Matrix in Discrete Approach F Free Carrier Absorption and Plasma Effect G Relative Intensity Noise (RIN) -Index

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2017	27-02-07	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	2017
2018	27-02-07	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	2018

Physique des semi-conducteurs / Christian Ngô

Public ISBD Titre : Physique des semi-conducteurs : cours et exercices corrigés Type de document : texte imprimé Auteurs : Christian Ngô, Auteur ; Hélène Ngô, Auteur Mention d'édition : 4 ème ed. Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2012 Importance : 238 p. Présentation : couv. ill. en coul., ill. Format : 23,5 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-058248-8 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Ce livre s’adresse aux étudiants des masters EEA et aux élèves des écoles d’ingénieurs. Les composants électroniques sont partout (montre, téléphone portable, automobile, etc.). Ils simplifient la vie, améliorent le confort et permettent aux systèmes qui les contiennent des performances nouvelles ou exceptionnelles. Ces composants sont pour la plupart réalisés à partir de semi-conducteurs cristallins, en majorité du silicium. Cet ouvrage donne les bases nécessaires pour comprendre le fonctionnement microscopique des composants électroniques élémentaires après avoir introduit des notions en physique statistique et quantique. Les semi-conducteurs utilisés en micro-électronique sont des cristaux et cette caractéristique leur confère des propriétés spéciales qui sont étudiées en détail. Cela permet de comprendre le principe de fonctionnement des principaux composants élémentaires (jonctions, diodes, transistors, etc.) et leurs propriétés optiques. Enfin, l’ouvrage aborde de manière simple la nano-électronique, un domaine en pleine expansion. Des exercices corrigés complètent le cours à la fin de chaque chapitre. Note de contenu : Table des matiéres Chapitre 1 Physique quantique. Chapitre 2 Physique statistique. Chapitre 3 Structure cristalline. Chapitre 4 Bandes d'énergie. Chapitre 5 Dynamique du réseau. Chapitre 6 Semi-conducteurs à l'équilibre. Chapitre 7 Dynamique des électrons. Chapitre 8 Dispositifs élémentaires I . Chapitre 9 Dispositifs élémentaires II . Chapitre 10 Propriétés optiques. Chapitre 11 Vers l'échelle nanométrique. Chapitre 12 Du nanomonde aux applications. Exercices. Corrigés. Bibliographie. Index. Physique des semi-conducteurs : cours et exercices corrigés [texte imprimé] / Christian Ngô, Auteur ; Hélène Ngô, Auteur  . -  4 ème ed. . - Paris : Dunod, 2012 . - 238 p. : couv. ill. en coul., ill. ; 23,5 cm. ISBN : 978-2-10-058248-8 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-02 Physique et chimie des matériaux semi-conducteur Résumé : Ce livre s’adresse aux étudiants des masters EEA et aux élèves des écoles d’ingénieurs. Les composants électroniques sont partout (montre, téléphone portable, automobile, etc.). Ils simplifient la vie, améliorent le confort et permettent aux systèmes qui les contiennent des performances nouvelles ou exceptionnelles. Ces composants sont pour la plupart réalisés à partir de semi-conducteurs cristallins, en majorité du silicium. Cet ouvrage donne les bases nécessaires pour comprendre le fonctionnement microscopique des composants électroniques élémentaires après avoir introduit des notions en physique statistique et quantique. Les semi-conducteurs utilisés en micro-électronique sont des cristaux et cette caractéristique leur confère des propriétés spéciales qui sont étudiées en détail. Cela permet de comprendre le principe de fonctionnement des principaux composants élémentaires (jonctions, diodes, transistors, etc.) et leurs propriétés optiques. Enfin, l’ouvrage aborde de manière simple la nano-électronique, un domaine en pleine expansion. Des exercices corrigés complètent le cours à la fin de chaque chapitre. Note de contenu : Table des matiéres Chapitre 1 Physique quantique. Chapitre 2 Physique statistique. Chapitre 3 Structure cristalline. Chapitre 4 Bandes d'énergie. Chapitre 5 Dynamique du réseau. Chapitre 6 Semi-conducteurs à l'équilibre. Chapitre 7 Dynamique des électrons. Chapitre 8 Dispositifs élémentaires I . Chapitre 9 Dispositifs élémentaires II . Chapitre 10 Propriétés optiques. Chapitre 11 Vers l'échelle nanométrique. Chapitre 12 Du nanomonde aux applications. Exercices. Corrigés. Bibliographie. Index.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
3868	27-02-06	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3868
3869	27-02-06	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3869

Les semi-conducteurs / Christian Ngô

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Smart structures / Paolo Gaudenzi

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