Documents disponibles dans la collection

Electronique et photo-électronique des matériaux et composants T. 1 / André Moliton

Public ISBD Titre : Electronique et photo-électronique des matériaux et composants T. 1 : électronique des matériaux Type de document : texte imprimé Auteurs : André Moliton, Auteur Editeur : Paris : Hermes science/Lavoisier Année de publication : 2009 Collection : Collection Technique et Scientifique des Télécommunications Importance : 296 P. Présentation : couv. ill. en coul., ill. Format : 23,3 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2109-3 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Électronique et photo-électronique des matériaux et composants propose, à travers des cours et des exercices corrigés, un enseignement pédagogique permettant d'appréhender et d'appliquer les bases des propriétés électroniques des matériaux et du fonctionnement physique des composants. Ce premier volume rappelle les fondements physiques nécessaires à la détermination des niveaux d'énergie dans les matériaux et les structures électroniques. Le transport électronique y est étudié en détail en fonction des différents types de perturbations (électrique, magnétique, magnétoélectrique, thermoélectrique). Enrichi de nombreux exemples, Électronique et photo-électronique des matériaux et composants permet une approche concrète de ces notions essentielles appliquées notamment au domaine des magnétorésistances, à l'effet Hall, aux effets thermoélectroniques (Seebeck, Peltier). Les méthodes de mesure des principaux paramètres de caractérisations sont également présentées à la fois d'un point de vue théorique et pratique. Note de contenu : Sommaire : Chapitre 1: distribution des électrons et signification du niveau de Fermi Chapitre 2: Métaux et semi-conducteurs à l'équilibre thermodynamique (isolés : pas de perturbation extérieure) Chapitre 3: Métaux et semi-conducteurs hors équilibre soumis à une faible perturbation électrique : 1. Théories classiques Chapitre 4: Métaux et semi-conducteurs hors équilibre sous l'effet d'une faible perturbation électrique : 2. Théorie semi- classique (équilibre de transport de Boltzmann) Chapitre 5: Perturbation par un champ magnétique : effet Hall et magnétorésistance Chapitre 6: Perturbation par un gradient de température : effets thermoélectriques Chapitre 7: Mesures électriques : 1. Mesure de résistivités, de résistances carrées et de contact Chapitre 8: Mesures électriques : 2. Méthode de Van der Pauw ; mesures magnétoélectriques, des mobilités, du pouvoir thermoélectrique. -Index Electronique et photo-électronique des matériaux et composants T. 1 : électronique des matériaux [texte imprimé] / André Moliton, Auteur . - Paris : Hermes science/Lavoisier, 2009 . - 296 P. : couv. ill. en coul., ill. ; 23,3 cm.. - (Collection Technique et Scientifique des Télécommunications) . ISBN : 978-2-7462-2109-3 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Électronique et photo-électronique des matériaux et composants propose, à travers des cours et des exercices corrigés, un enseignement pédagogique permettant d'appréhender et d'appliquer les bases des propriétés électroniques des matériaux et du fonctionnement physique des composants. Ce premier volume rappelle les fondements physiques nécessaires à la détermination des niveaux d'énergie dans les matériaux et les structures électroniques. Le transport électronique y est étudié en détail en fonction des différents types de perturbations (électrique, magnétique, magnétoélectrique, thermoélectrique). Enrichi de nombreux exemples, Électronique et photo-électronique des matériaux et composants permet une approche concrète de ces notions essentielles appliquées notamment au domaine des magnétorésistances, à l'effet Hall, aux effets thermoélectroniques (Seebeck, Peltier). Les méthodes de mesure des principaux paramètres de caractérisations sont également présentées à la fois d'un point de vue théorique et pratique. Note de contenu : Sommaire : Chapitre 1: distribution des électrons et signification du niveau de Fermi Chapitre 2: Métaux et semi-conducteurs à l'équilibre thermodynamique (isolés : pas de perturbation extérieure) Chapitre 3: Métaux et semi-conducteurs hors équilibre soumis à une faible perturbation électrique : 1. Théories classiques Chapitre 4: Métaux et semi-conducteurs hors équilibre sous l'effet d'une faible perturbation électrique : 2. Théorie semi- classique (équilibre de transport de Boltzmann) Chapitre 5: Perturbation par un champ magnétique : effet Hall et magnétorésistance Chapitre 6: Perturbation par un gradient de température : effets thermoélectriques Chapitre 7: Mesures électriques : 1. Mesure de résistivités, de résistances carrées et de contact Chapitre 8: Mesures électriques : 2. Méthode de Van der Pauw ; mesures magnétoélectriques, des mobilités, du pouvoir thermoélectrique. -Index

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
1945	09-04-09	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1945
2145	09-04-09	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	2145

Electronique et photo-électronique des matériaux et composants T. 2 / André Moliton

Public ISBD Titre : Electronique et photo-électronique des matériaux et composants T. 2 : photo-électronique et composants Type de document : texte imprimé Auteurs : André Moliton, Auteur Editeur : Paris : Hermes science/Lavoisier Année de publication : 2009 Collection : Collection Technique et Scientifique des Télécommunications Importance : 360 p. Présentation : couv. ill. en coul., ill. Format : 23,3 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2197-0 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Electronique et photo-électronique des matériaux et composants propose, à travers des cours et des exercices corrigés, un enseignement pédagogique permettant d'appréhender et d'appliquer les bases des propriétés électroniques des matériaux et du fonctionnement physique des composants. Ce deuxième volume présente l'application des propriétés des matériaux et analyse le fonctionnement physique et pratique des composants qui exploitent les propriétés induites par la juxtaposition de matériaux différents. Après avoir décrit les fondements physiques de l'interaction des rayonnements avec les semiconducteurs, cet ouvrage explique le fonctionnement des composants et plus particulièrement celui des dispositifs photo-électroniques. Les interfaces jouant un rôle essentiel, les applications aux composants classiques de ces propriétés électroniques (jonctions, transistors MOS notamment) sont détaillées. La présentation des mécanismes de photo-conduction permet ensuite de mieux comprendre les applications des phénomènes de photo-conduction principalement les photo-récepteurs et les photo-émetteurs. Un développement plus particulier est fait pour les cellules photovoltaïques (avec l'optimisation de leurs paramètres de fonctionnement) et les diodes électroluminescentes en tenant compte de leur insertion dans les systèmes d'affichage. Note de contenu : Sommaire : Chapitre 1: Interaction rayonnement/semi-conducteur : caractérisations optiques et électroniques. Chapitre 2: Dopage électronique et traitement des matériaux par faisceaux d'ions. Chapitre 3: Interfaces à l'équilibre et hors équilibre. Injection électronique. Chapitre 4: Exemples de composants électroniques : des jonctions PN et de l'effet transistor aux transistors MOS. Chapitre 5: Les photorécepteurs - I. Photoconductivité et diffusion ambipolaire, photorésistance, paramètres caractéristiques. Chapitre 6: Les photorécepteurs - II. Photodiodes et cellules photovoltaïques, phototransistors. Chapitre 7: Dopage optique et effets non linéaires. Exemples d'applications aux composants. Chapitre 8: Émetteurs optoélectroniques. -Index Electronique et photo-électronique des matériaux et composants T. 2 : photo-électronique et composants [texte imprimé] / André Moliton, Auteur . - Paris : Hermes science/Lavoisier, 2009 . - 360 p. : couv. ill. en coul., ill. ; 23,3 cm.. - (Collection Technique et Scientifique des Télécommunications) . ISBN : 978-2-7462-2197-0 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Electronique et photo-électronique des matériaux et composants propose, à travers des cours et des exercices corrigés, un enseignement pédagogique permettant d'appréhender et d'appliquer les bases des propriétés électroniques des matériaux et du fonctionnement physique des composants. Ce deuxième volume présente l'application des propriétés des matériaux et analyse le fonctionnement physique et pratique des composants qui exploitent les propriétés induites par la juxtaposition de matériaux différents. Après avoir décrit les fondements physiques de l'interaction des rayonnements avec les semiconducteurs, cet ouvrage explique le fonctionnement des composants et plus particulièrement celui des dispositifs photo-électroniques. Les interfaces jouant un rôle essentiel, les applications aux composants classiques de ces propriétés électroniques (jonctions, transistors MOS notamment) sont détaillées. La présentation des mécanismes de photo-conduction permet ensuite de mieux comprendre les applications des phénomènes de photo-conduction principalement les photo-récepteurs et les photo-émetteurs. Un développement plus particulier est fait pour les cellules photovoltaïques (avec l'optimisation de leurs paramètres de fonctionnement) et les diodes électroluminescentes en tenant compte de leur insertion dans les systèmes d'affichage. Note de contenu : Sommaire : Chapitre 1: Interaction rayonnement/semi-conducteur : caractérisations optiques et électroniques. Chapitre 2: Dopage électronique et traitement des matériaux par faisceaux d'ions. Chapitre 3: Interfaces à l'équilibre et hors équilibre. Injection électronique. Chapitre 4: Exemples de composants électroniques : des jonctions PN et de l'effet transistor aux transistors MOS. Chapitre 5: Les photorécepteurs - I. Photoconductivité et diffusion ambipolaire, photorésistance, paramètres caractéristiques. Chapitre 6: Les photorécepteurs - II. Photodiodes et cellules photovoltaïques, phototransistors. Chapitre 7: Dopage optique et effets non linéaires. Exemples d'applications aux composants. Chapitre 8: Émetteurs optoélectroniques. -Index

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
1946	09-04-10	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1946
1947	09-04-10	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1947

Communications Ultra Large Bande / Pascal Pagani

Public ISBD Titre : Communications Ultra Large Bande : le canal de propagation radioélectrique Type de document : texte imprimé Auteurs : Pascal Pagani, Auteur ; Friedman Tchoffo Talom, Auteur ; Patrice Pajusco, Auteur Editeur : Paris : Hermes science/Lavoisier Année de publication : 2007 Collection : Collection Technique et Scientifique des Télécommunications Importance : 247 p. Présentation : couv. ill. Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1636-5 Langues : Français (fre) Catégories : TELECOMMUNICATION Index. décimale : 28-07 Transmissions par câbles et satellites Résumé : La technologie Ultra Large Bande (ULB) consiste à utiliser des signaux radio s'étalant sur une bande de fréquences de l'ordre de 500 MHz à plusieurs GHz. Ses caractéristiques uniques ouvrent la voie à des systèmes de communication sans fil à très haut débit, mais également à des applications de localisation et d'imagerie. Cet ouvrage didactique dévoile tous les aspects du canal de propagation pour les systèmes ULB. La technologie ULB est présentée à travers ses applications, la régulation du spectre et les différentes techniques de communication. Communications Ultra Large Bande : le canal de propagation radioélectrique rappelle ensuite les fondements théoriques de la propagation radioélectrique et dresse un état de l'art des techniques de sondage de canal adaptées à l'ULB. Les deux principes de modélisation du canal ULB sont développés et largement illustrés : la modélisation déterministe qui repose sur la simulation des phénomènes de propagation dans un environnement donné et la modélisation statistique qui s'appuie sur une analyse expérimentale des caractéristiques du canal. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1. La technologie ULB et ses applications. 1.2. Définition de l'ULB et évolution historique. 1.3. Spécificités de l'ULB. 1.4. Applications envisagées. 1.5. Évolution de la régulation. 1.6. Systèmes de communication ULB et normalisation. Chapitre 2. La propagation des ondes radioélectriques. 2.2. Définition du canal de propagation. 2.3. Représentation du canal de propagation. 2.4. Paramètres de caractérisation du canal. Chapitre 3. Sondage du canal de propagation ULB. 3.2. Particularités du sondage de canal en ULB. 3.3. Techniques de mesures utilisées pour le sondage en ULB. 3.4. Campagnes de mesures ULB. Chapitre 4. Modélisation déterministe du canal en ULB. 4.2. Présentation de la modélisation déterministe. 4.3. Particularités de la modélisation déterministe en ULB. 4.4. Modèles déterministes ULB existants. 4.5. Illustration de la formalisation d'un modèle déterministe. 4.6. Prise en compte des caractéristiques d'antennes réelles dans la modélisation déterministe. 4.7. Effets des matériaux sur les propriétés du canal. 4.8. Comparaisons entre mesures et simulations. Chapitre 5. Modélisation statistique du canal en ULB. 5.1. Caractérisation expérimentale des paramètres radioélectriques. 5.2. Modélisation statistique du canal. 5.3. Modélisation avancée en configuration dynamique. Annexes. Communications Ultra Large Bande : le canal de propagation radioélectrique [texte imprimé] / Pascal Pagani, Auteur ; Friedman Tchoffo Talom, Auteur ; Patrice Pajusco, Auteur . - Paris : Hermes science/Lavoisier, 2007 . - 247 p. : couv. ill. ; 24 cm.. - (Collection Technique et Scientifique des Télécommunications) . ISBN : 978-2-7462-1636-5 Langues : Français (fre) Catégories : TELECOMMUNICATION Index. décimale : 28-07 Transmissions par câbles et satellites Résumé : La technologie Ultra Large Bande (ULB) consiste à utiliser des signaux radio s'étalant sur une bande de fréquences de l'ordre de 500 MHz à plusieurs GHz. Ses caractéristiques uniques ouvrent la voie à des systèmes de communication sans fil à très haut débit, mais également à des applications de localisation et d'imagerie. Cet ouvrage didactique dévoile tous les aspects du canal de propagation pour les systèmes ULB. La technologie ULB est présentée à travers ses applications, la régulation du spectre et les différentes techniques de communication. Communications Ultra Large Bande : le canal de propagation radioélectrique rappelle ensuite les fondements théoriques de la propagation radioélectrique et dresse un état de l'art des techniques de sondage de canal adaptées à l'ULB. Les deux principes de modélisation du canal ULB sont développés et largement illustrés : la modélisation déterministe qui repose sur la simulation des phénomènes de propagation dans un environnement donné et la modélisation statistique qui s'appuie sur une analyse expérimentale des caractéristiques du canal. Note de contenu : Sommaire Chapitre 1. La technologie ULB et ses applications. 1.2. Définition de l'ULB et évolution historique. 1.3. Spécificités de l'ULB. 1.4. Applications envisagées. 1.5. Évolution de la régulation. 1.6. Systèmes de communication ULB et normalisation. Chapitre 2. La propagation des ondes radioélectriques. 2.2. Définition du canal de propagation. 2.3. Représentation du canal de propagation. 2.4. Paramètres de caractérisation du canal. Chapitre 3. Sondage du canal de propagation ULB. 3.2. Particularités du sondage de canal en ULB. 3.3. Techniques de mesures utilisées pour le sondage en ULB. 3.4. Campagnes de mesures ULB. Chapitre 4. Modélisation déterministe du canal en ULB. 4.2. Présentation de la modélisation déterministe. 4.3. Particularités de la modélisation déterministe en ULB. 4.4. Modèles déterministes ULB existants. 4.5. Illustration de la formalisation d'un modèle déterministe. 4.6. Prise en compte des caractéristiques d'antennes réelles dans la modélisation déterministe. 4.7. Effets des matériaux sur les propriétés du canal. 4.8. Comparaisons entre mesures et simulations. Chapitre 5. Modélisation statistique du canal en ULB. 5.1. Caractérisation expérimentale des paramètres radioélectriques. 5.2. Modélisation statistique du canal. 5.3. Modélisation avancée en configuration dynamique. Annexes.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
1143	28-07-09	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1143
1144	28-07-09	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1144
1145	28-07-09	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1145