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Les semiconducteurs de puissance / Pierre Aloisi

Public ISBD Titre : Les semiconducteurs de puissance : de la physique du solide aux applications Type de document : texte imprimé Auteurs : Pierre Aloisi, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2001 Collection : Technosup Importance : 317 p. Présentation : couv. ill. en en coul Format : 26 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-0496-1 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-04 Propriétés électriques des composants à semi-conducteur(transistor-diode) Résumé : L'ouvrage présente un panorama des commutateurs de puissance à semi-conducteurs en s'attachant à apporter à leurs utilisateurs et futurs utilisateurs des réponses pratiques aux problèmes spécifiques de chaque matériel. Partant des équations de la physique du solide et de l'image qu'on peut se faire du comportement des porteurs à l'intérieur des structures, l'auteur en déduit les lois de commande et de protection des composants, et il apporte des outils pour choisir le composant sûr et efficace dans une situation donnée. Les différents semi-conducteurs de puissance aujourd'hui largement utilisés sont ainsi étudiés : les diodes de commutation, les zéners, les transistors bipolaires, la famille des thyristors (dont le GTO ou le TRIAC), le mosfet, l'IGBT et les produits intégrés. Dans chaque cas, des lois simples sont dégagées pour une utilisation efficace et fiable. Puis sont analysées les violentes contraintes thermiques, mécaniques et électromagnétiques et leurs graves conséquences, pour aboutir enfin l'établissement d'un diagnostic en cas de défaillance. Note de contenu : Table des matières I Diodes de commutation II Zéners et diodes à avalanche III Transistor bipolaire de puissance IV Thyristors V Mos de puissance VI IGBT VII Circuit intégré de puissance IXX Résistance thermique IX La fatigue thermique X Les causes de défaillance Les semiconducteurs de puissance : de la physique du solide aux applications [texte imprimé] / Pierre Aloisi, Auteur . - Paris : Ellipses, 2001 . - 317 p. : couv. ill. en en coul ; 26 cm.. - (Technosup) . ISBN : 978-2-7298-0496-1 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-04 Propriétés électriques des composants à semi-conducteur(transistor-diode) Résumé : L'ouvrage présente un panorama des commutateurs de puissance à semi-conducteurs en s'attachant à apporter à leurs utilisateurs et futurs utilisateurs des réponses pratiques aux problèmes spécifiques de chaque matériel. Partant des équations de la physique du solide et de l'image qu'on peut se faire du comportement des porteurs à l'intérieur des structures, l'auteur en déduit les lois de commande et de protection des composants, et il apporte des outils pour choisir le composant sûr et efficace dans une situation donnée. Les différents semi-conducteurs de puissance aujourd'hui largement utilisés sont ainsi étudiés : les diodes de commutation, les zéners, les transistors bipolaires, la famille des thyristors (dont le GTO ou le TRIAC), le mosfet, l'IGBT et les produits intégrés. Dans chaque cas, des lois simples sont dégagées pour une utilisation efficace et fiable. Puis sont analysées les violentes contraintes thermiques, mécaniques et électromagnétiques et leurs graves conséquences, pour aboutir enfin l'établissement d'un diagnostic en cas de défaillance. Note de contenu : Table des matières I Diodes de commutation II Zéners et diodes à avalanche III Transistor bipolaire de puissance IV Thyristors V Mos de puissance VI IGBT VII Circuit intégré de puissance IXX Résistance thermique IX La fatigue thermique X Les causes de défaillance

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
435	27-04-01	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	435