Titre :	Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Collectif, Auteur ; Emmanuel Defay, Directeur de la recherche
Editeur :	Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier
Année de publication :	2011
Collection :	EGEM Série Électronique et Micro-Électronique
Importance :	455 p.
Présentation :	ill.
Format :	23,9 cm.
ISBN/ISSN/EAN :	978-2-7462-2562-6
Langues :	Français (fre)
Index. décimale :	09-04 Technologie de composants
Résumé :	Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction. Bien que ces matériaux soient bien maîtrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes. Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties.
Note de contenu :	Table des matières Préface. Chapitre 1. L'approche thermodynamique. Chapitre 2. Effet des contraintes sur les couches minces. Chapitre 3. Technologies de dépôts et mise en forme. Chapitre 4. Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins. Chapitre 5. Caractérisation physico-chimique et électrique. Chapitre 6. Caractérisation radio-fréquence. Chapitre 7. Courants de fuite dans les condensateurs PZT. Chapitre 8. Capacités intégrées. Chapitre 9. Fiabilité des condensateurs PZT. Chapitre 10. Capacités variables ferroélectriques. Chapitre 11. Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications. -Index.

Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium [texte imprimé] / Collectif, Auteur ; Emmanuel Defay, Directeur de la recherche . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2011 . - 455 p. : ill. ; 23,9 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) .
ISBN : 978-2-7462-2562-6
Langues : Français (fre)

Index. décimale :	09-04 Technologie de composants
Résumé :	Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction. Bien que ces matériaux soient bien maîtrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes. Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties.
Note de contenu :	Table des matières Préface. Chapitre 1. L'approche thermodynamique. Chapitre 2. Effet des contraintes sur les couches minces. Chapitre 3. Technologies de dépôts et mise en forme. Chapitre 4. Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins. Chapitre 5. Caractérisation physico-chimique et électrique. Chapitre 6. Caractérisation radio-fréquence. Chapitre 7. Courants de fuite dans les condensateurs PZT. Chapitre 8. Capacités intégrées. Chapitre 9. Fiabilité des condensateurs PZT. Chapitre 10. Capacités variables ferroélectriques. Chapitre 11. Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications. -Index.