Titre :	Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 2 : dispositifs à hétérojonctions
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Philippe Cazenave, Auteur
Editeur :	Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier
Année de publication :	2005
Collection :	EGEM Série Électronique et Micro-Électronique
Importance :	234 p.
Présentation :	ill.
Format :	23,9 cm.
ISBN/ISSN/EAN :	978-2-7462-1172-8
Langues :	Français (fre)
Index. décimale :	09-04 Technologie de composants
Résumé :	Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance.
Note de contenu :	Table des matières Chapitre 1.Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V Chapitre 2.Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe Chapitre 3.Modélisation bipolaire avancée Chapitre 4.Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -Bibliographie. -Index.

Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 2 : dispositifs à hétérojonctions [texte imprimé] / Philippe Cazenave, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2005 . - 234 p. : ill. ; 23,9 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) .
ISBN : 978-2-7462-1172-8
Langues : Français (fre)

Index. décimale :	09-04 Technologie de composants
Résumé :	Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance.
Note de contenu :	Table des matières Chapitre 1.Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V Chapitre 2.Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe Chapitre 3.Modélisation bipolaire avancée Chapitre 4.Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -Bibliographie. -Index.