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Micro et nanosystèmes autonomes en énergie / Marc Belleville

Public ISBD Titre : Micro et nanosystèmes autonomes en énergie : des applications aux fonctions et technologies Type de document : texte imprimé Auteurs : Marc Belleville, Auteur ; Cyril Condemine, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2012 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 391 p. Présentation : ill. Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2517-6 Langues : Français (fre) Catégories : PHYSIQUE Index. décimale : 05-10 Physique des semi-conducteurs Résumé : Cet ouvrage propose un panorama détaillé des micro et nanosystèmes autonomes en énergie, couvrant à la fois les principes mis en oeuvre et les derniers développements. Une étude approfondie d'applications dans les domaines aéronautiques, médicaux et du contrôle des bâtiments permet de dresser les grandes spécifications de tels systèmes et de leurs sous-composants. Les techniques les plus récentes de récupération et conversion d'énergie d'origine photovoltaïque, thermique et mécanique sont présentées. Un état de l'art sur les interfaces capteurs, le traitement du signal numérique et les liaisons radiofréquence, ultra-basse consommation, complète ce panorama. Enfin, des techniques d'optimisation de l'énergie au niveau du microsystème/noeud de capteur et d'un réseau de capteurs sont introduites et discutées. Traité EGEM Conçu et organisé dans un souci de relier étroitement les fondements physiques et les méthodes théoriques au caractère industriel des disciplines traitées, ce traité constitue un état de l'art structuré autour des quatre grands domaines suivants Électronique et micro-électronique Optoélectronique Génie électrique Microsystèmes Chaque ouvrage développe aussi bien les aspects fondamentaux qu'expérimentaux du domaine qu'il étudie. Une classification des différents chapitres contenus dans chacun, une bibliographie et un index détaillé orientent le lecteur vers ses points d'intérêt immédiats : celui-ci dispose ainsi d'un guide pour ses réflexions ou pour ses choix. Les savoirs, théories et méthodes rassemblés dans chaque ouvrage ont été choisis pour leur pertinence dans l'avancée des connaissances ou pour la qualité des résultats obtenus. Note de contenu : Sommaire Introduction aux micro et nanosystèmes autonomes en énergie et présentation des contributions Chapitre 1. Les capteurs au cœur du contrôle du bâtiment Chapitre 2. Vers l'autonomie énergétique des dispositifs médicaux implantables Chapitre 3. Les systèmes autonomes en énergie dans les applications aéronautiques Chapitre 4. Récupération d'énergie par effet photovoltaïque Chapitre 5. La récupération d'énergie mécanique Chapitre 6. La récupération d'énergie thermique Chapitre 7. Micro-accumulateurs lithium Chapitre 8. Les capteurs à ultra-basse consommation Chapitre 9. Traitement du signal à très basse consommation dans les systèmes autonomes Chapitre 10. Les liaisons et protocoles radio-fréquence ultra-basse consommation Chapitre 11. Gestion de l'énergie dans un microsystème autonome Chapitre 12. Optimisation énergétique des réseaux de capteurs -Index Micro et nanosystèmes autonomes en énergie : des applications aux fonctions et technologies [texte imprimé] / Marc Belleville, Auteur ; Cyril Condemine, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2012 . - 391 p. : ill. ; 24 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-2517-6 Langues : Français (fre) Catégories : PHYSIQUE Index. décimale : 05-10 Physique des semi-conducteurs Résumé : Cet ouvrage propose un panorama détaillé des micro et nanosystèmes autonomes en énergie, couvrant à la fois les principes mis en oeuvre et les derniers développements. Une étude approfondie d'applications dans les domaines aéronautiques, médicaux et du contrôle des bâtiments permet de dresser les grandes spécifications de tels systèmes et de leurs sous-composants. Les techniques les plus récentes de récupération et conversion d'énergie d'origine photovoltaïque, thermique et mécanique sont présentées. Un état de l'art sur les interfaces capteurs, le traitement du signal numérique et les liaisons radiofréquence, ultra-basse consommation, complète ce panorama. Enfin, des techniques d'optimisation de l'énergie au niveau du microsystème/noeud de capteur et d'un réseau de capteurs sont introduites et discutées. Traité EGEM Conçu et organisé dans un souci de relier étroitement les fondements physiques et les méthodes théoriques au caractère industriel des disciplines traitées, ce traité constitue un état de l'art structuré autour des quatre grands domaines suivants Électronique et micro-électronique Optoélectronique Génie électrique Microsystèmes Chaque ouvrage développe aussi bien les aspects fondamentaux qu'expérimentaux du domaine qu'il étudie. Une classification des différents chapitres contenus dans chacun, une bibliographie et un index détaillé orientent le lecteur vers ses points d'intérêt immédiats : celui-ci dispose ainsi d'un guide pour ses réflexions ou pour ses choix. Les savoirs, théories et méthodes rassemblés dans chaque ouvrage ont été choisis pour leur pertinence dans l'avancée des connaissances ou pour la qualité des résultats obtenus. Note de contenu : Sommaire Introduction aux micro et nanosystèmes autonomes en énergie et présentation des contributions Chapitre 1. Les capteurs au cœur du contrôle du bâtiment Chapitre 2. Vers l'autonomie énergétique des dispositifs médicaux implantables Chapitre 3. Les systèmes autonomes en énergie dans les applications aéronautiques Chapitre 4. Récupération d'énergie par effet photovoltaïque Chapitre 5. La récupération d'énergie mécanique Chapitre 6. La récupération d'énergie thermique Chapitre 7. Micro-accumulateurs lithium Chapitre 8. Les capteurs à ultra-basse consommation Chapitre 9. Traitement du signal à très basse consommation dans les systèmes autonomes Chapitre 10. Les liaisons et protocoles radio-fréquence ultra-basse consommation Chapitre 11. Gestion de l'énergie dans un microsystème autonome Chapitre 12. Optimisation énergétique des réseaux de capteurs -Index

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
3211	05-10-02	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3211
3212	05-10-02	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3212

Mesures en hyperfréquences / Daniel Pasquet

Public ISBD Titre : Mesures en hyperfréquences Type de document : texte imprimé Auteurs : Daniel Pasquet, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2004 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 222 p. Présentation : couv. ill. en coul., ill. Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0958-9 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-02 Mesures-schémas-circuits éléctroniques Résumé : Les dispositifs électroniques fonctionnent à des fréquences de plus en plus élevées. Il est important de pouvoir en analyser le comportement par des techniques de mesure clairement définies. Le but de cet ouvrage est de décrire de manière précise les principales techniques de mesure utilisées en hyperfréquences. Il s'agit de techniques spécifiques parfois différentes de celles employées à des fréquences plus basses. Cet ouvrage s'adresse à toutes les personnes désireuses de s'initier à ces méthodes. En particulier, les ingénieurs habitués à des techniques plus classiques de basses fréquences pourront y trouver les informations indispensables pour élargir leurs compétences. Les étudiants en master et les élèves-ingénieurs qui se spécialisent dans le domaine des télécommunications et de l'électronique embarquée y trouveront un support utile en complément aux enseignements qu'ils suivent. Note de contenu : Table des matiéres: Chapitre1:Analyse de réseaux 1-Principes de l'analyse de réseaux 2-Analyseur de réseaux scalaire 3-Analyseur de réseaux vectoriel à deux ou trois coupleurs 4- Analyseurs de réseaux à quatre coupleurs 5- Calibrage et épluchage des mesures 6- Mesures dans des plages de températures importantes 7- Analyseur de réseaux de type "six-port". Chapitre2:Mesure des paramètres de bruit 1-ntroduction 2- Définitions 3- Mesure du bruit dans les dipôles 4- Mesure du facteur de bruit 5- Mesure des quatre paramètres de bruit 6- Conclusion et perspectives Chapitre3:La mesure du bruit de phase en hyperfréquences 1- Introduction 2- Bruit de phase et d'amplitude : définitions et grandeurs utiles 3- La mesure du bruit de phase des oscillateurs 4- Bruit de phase des quadripôles 5- Bruit d'amplitude 6- Techniques spécifiques pour la détection de phase à très haute performance 7- Sources de référence pour la mesure et la conversion de fréquence 8- Conclusion. Bibliographie. Glossaire Chapitre4:Mesures non-linéaires 1-Position du problème 2- Mesures à des fins de modélisation non-linéaire de type circuit 3- Mesure à des fins de modélisation non-linéaire comportementale 4- Autres mesures relatives à la puissance 5- Conclusion générale. Bibliographie. Mesures en hyperfréquences [texte imprimé] / Daniel Pasquet, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2004 . - 222 p. : couv. ill. en coul., ill. ; 24 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-0958-9 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-02 Mesures-schémas-circuits éléctroniques Résumé : Les dispositifs électroniques fonctionnent à des fréquences de plus en plus élevées. Il est important de pouvoir en analyser le comportement par des techniques de mesure clairement définies. Le but de cet ouvrage est de décrire de manière précise les principales techniques de mesure utilisées en hyperfréquences. Il s'agit de techniques spécifiques parfois différentes de celles employées à des fréquences plus basses. Cet ouvrage s'adresse à toutes les personnes désireuses de s'initier à ces méthodes. En particulier, les ingénieurs habitués à des techniques plus classiques de basses fréquences pourront y trouver les informations indispensables pour élargir leurs compétences. Les étudiants en master et les élèves-ingénieurs qui se spécialisent dans le domaine des télécommunications et de l'électronique embarquée y trouveront un support utile en complément aux enseignements qu'ils suivent. Note de contenu : Table des matiéres: Chapitre1:Analyse de réseaux 1-Principes de l'analyse de réseaux 2-Analyseur de réseaux scalaire 3-Analyseur de réseaux vectoriel à deux ou trois coupleurs 4- Analyseurs de réseaux à quatre coupleurs 5- Calibrage et épluchage des mesures 6- Mesures dans des plages de températures importantes 7- Analyseur de réseaux de type "six-port". Chapitre2:Mesure des paramètres de bruit 1-ntroduction 2- Définitions 3- Mesure du bruit dans les dipôles 4- Mesure du facteur de bruit 5- Mesure des quatre paramètres de bruit 6- Conclusion et perspectives Chapitre3:La mesure du bruit de phase en hyperfréquences 1- Introduction 2- Bruit de phase et d'amplitude : définitions et grandeurs utiles 3- La mesure du bruit de phase des oscillateurs 4- Bruit de phase des quadripôles 5- Bruit d'amplitude 6- Techniques spécifiques pour la détection de phase à très haute performance 7- Sources de référence pour la mesure et la conversion de fréquence 8- Conclusion. Bibliographie. Glossaire Chapitre4:Mesures non-linéaires 1-Position du problème 2- Mesures à des fins de modélisation non-linéaire de type circuit 3- Mesure à des fins de modélisation non-linéaire comportementale 4- Autres mesures relatives à la puissance 5- Conclusion générale. Bibliographie.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
692	09-02-27	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	692
693	09-02-27	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	693

Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium / Collectif

Public ISBD Titre : Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Collectif, Auteur ; Emmanuel Defay, Directeur de la recherche Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2011 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 455 p. Présentation : ill. Format : 23,9 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2562-6 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction. Bien que ces matériaux soient bien maîtrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes. Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties. Note de contenu : Table des matières Préface. Chapitre 1. L'approche thermodynamique. Chapitre 2. Effet des contraintes sur les couches minces. Chapitre 3. Technologies de dépôts et mise en forme. Chapitre 4. Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins. Chapitre 5. Caractérisation physico-chimique et électrique. Chapitre 6. Caractérisation radio-fréquence. Chapitre 7. Courants de fuite dans les condensateurs PZT. Chapitre 8. Capacités intégrées. Chapitre 9. Fiabilité des condensateurs PZT. Chapitre 10. Capacités variables ferroélectriques. Chapitre 11. Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications. -Index. Diélectriques ferroélectriques intégrés sur silicium [texte imprimé] / Collectif, Auteur ; Emmanuel Defay, Directeur de la recherche . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2011 . - 455 p. : ill. ; 23,9 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-2562-6 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Ce livre est dédié à l'intégration des matériaux diélectriques ferroélectriques dans la technologie silicium. Il s'agit principalement de matériaux issus de la famille des matériaux pérovskites qui présentent des propriétés électriques remarquables : permittivité diélectrique très élevée, effet mémoire (ferroélectricité), piézoélectricité, électrostriction. Bien que ces matériaux soient bien maîtrisés à l'état de céramique, les couches minces et notamment celles sur le silicium, le sont beaucoup moins. Ces dix dernières années ont vu une progression technologique sans précédent quant à l'intégration de ces matériaux diélectriques sur le silicium et notamment pour les microsystèmes. Cet ouvrage est ainsi dédié à la description de ces matériaux à travers un traitement thermodynamique particulièrement développé pour le cas des couches minces, les technologies mises en jeu pour arriver à les synthétiser, les caractérisations spécifiques utilisées et finalement, la description de plusieurs réalisations technologies abouties. Note de contenu : Table des matières Préface. Chapitre 1. L'approche thermodynamique. Chapitre 2. Effet des contraintes sur les couches minces. Chapitre 3. Technologies de dépôts et mise en forme. Chapitre 4. Analyse par diffraction des rayons X de films minces polycristallins. Chapitre 5. Caractérisation physico-chimique et électrique. Chapitre 6. Caractérisation radio-fréquence. Chapitre 7. Courants de fuite dans les condensateurs PZT. Chapitre 8. Capacités intégrées. Chapitre 9. Fiabilité des condensateurs PZT. Chapitre 10. Capacités variables ferroélectriques. Chapitre 11. Mémoires ferroélectriques FRAM : principe, limitations, innovations et applications. -Index.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
3014	09-04-13	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3014
3015	09-04-13	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3015

Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 1 / Philippe Cazenave

Public ISBD Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 1 : dispositifs au silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2004 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 335 p. Présentation : ill. Format : 24,2 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0987-9 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du modèle de Gummel et Poon. Note de contenu : Table des matières Avant-propos. Chapitre 1.Approche fondamentale du transistor bipolaire. Chapitre 2.Mécanismes limitatifs dans le transistor bipolaire. Chapitre 3.Comportement dynamique du transistor bipolaire. Chapitre 4.Modèle de Gummel et Poon. Chapitre 5.Intégration des structures bipolaires au silicium. -Index. Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 1 : dispositifs au silicium [texte imprimé] / Philippe Cazenave, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2004 . - 335 p. : ill. ; 24,2 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-0987-9 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du modèle de Gummel et Poon. Note de contenu : Table des matières Avant-propos. Chapitre 1.Approche fondamentale du transistor bipolaire. Chapitre 2.Mécanismes limitatifs dans le transistor bipolaire. Chapitre 3.Comportement dynamique du transistor bipolaire. Chapitre 4.Modèle de Gummel et Poon. Chapitre 5.Intégration des structures bipolaires au silicium. -Index.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
3758	09-04-16	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3758
3759	09-04-16	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3759

Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 2 / Philippe Cazenave

Public ISBD Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 2 : dispositifs à hétérojonctions Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2005 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 234 p. Présentation : ill. Format : 23,9 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1172-8 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1.Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V Chapitre 2.Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe Chapitre 3.Modélisation bipolaire avancée Chapitre 4.Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -Bibliographie. -Index. Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 2 : dispositifs à hétérojonctions [texte imprimé] / Philippe Cazenave, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2005 . - 234 p. : ill. ; 23,9 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-1172-8 Langues : Français (fre) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1.Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V Chapitre 2.Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe Chapitre 3.Modélisation bipolaire avancée Chapitre 4.Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -Bibliographie. -Index.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
3756	09-04-17	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3756
3757	09-04-17	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3757

Matériaux piézoélectriques intégrés sur silicium / Emmanuel Defay

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Imagerie médicale à base de photons / Hervé Fanet

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Imagerie médicale à base de champ magnétique et d'ultrasons / André Briguet

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Modélisation, caractérisation et mesures de circuits intégrés passifs RF / Pierre Saguet

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Conception des dispositifs actifs hyperfréquences / Jean-Luc Gautier

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Dispositifs hyperfréquences actifs et passifs / Daniel Pasquet

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Traitement des puces électroniques et nouveaux procédés d'interconnexion / Gilles Poupon

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Caractérisation et nettoyage du silicium / Annie Baudrant

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Conception logique et physique des systèmes monopuces / Ahmed-Amine Jerraya

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Packaging avancé sur silicium / Gilles Poupon

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