| Titre : | Electronique numérique : fonctionnement et modélisation des composants, fabrication des circuits | | Type de document : | texte imprimé | | Auteurs : | Alain Deville, Auteur ; Danielle Deville, Auteur | | Editeur : | Paris : Ellipses | | Année de publication : | 2005 | | Collection : | Technosup | | Importance : | 316 p. | | Présentation : | couv. ill. en coul., ill. | | Format : | 26 cm. | | ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7298-2323-8 | | Langues : | Français (fre) | | Index. décimale : | 09-04 Technologie de composants | | Résumé : | Les circuits intégrés de l'électronique numérique, omniprésents dans notre environnement, sont construits à partir d'un nombre restreint de composants élémentaires.
Ce volume décrit d'abord la scène commune à tous ces composants (schéma de bandes électroniques) et les acteurs (électrons de valence) qui s'y manifestent sous la forme d'excitations (électrons, trous). Puis il étudie le fonctionnement et la modélisation des composants en faisant certains choix propres à rendre compte de la réalité industrielle actuelle ; études parallèles de la jonction p-n et du contact métal/semi-conducteur, traitement du transistor MOS avant le bipolaire, place appréciable donnée à l'injection forte, sans négliger les hétérojonctions, Enfin sont présentées les méthodes de fabrication, les évolutions et les perspectives.
L'ouvrage très précis et très documenté se caractérise par un contact étroit avec la réalité actuelle.
Il s'inscrit dans un traité complet d'électronique avec deux autres ouvrages des mêmes auteurs parus dans la même collection et traitant :
en amont, de la physique pour l'électronique (état quantique, onde électronique, statistique de Fermi)
et en aval, des circuits spécialisés et des applications
| | Note de contenu : | Table des matiéres:
Présentation des chapitres 1 et 2
Chapitre1:Solides cristallins : énergies électroniques et vibrations
Chapitre2:Électrons et trous dans un semi-conducteur
Préliminaires aux chapitres 3 et 4
Chapitre3:Contact métal/semi-conducteur, jonction p-n
Chapitre4:Capacité MOS et transitor MOS
Chapitre5:Transitor bipolaire
Chapitre6:Circuits Intégrés
A1 : Etat liant, état antiliant ; covalence
A2 : Semi-conducteurs : aspects statistiques
A3 : Evolution de paquets d'ondes
Références
Index |
Electronique numérique : fonctionnement et modélisation des composants, fabrication des circuits [texte imprimé] / Alain Deville, Auteur ; Danielle Deville, Auteur . - Paris : Ellipses, 2005 . - 316 p. : couv. ill. en coul., ill. ; 26 cm.. - ( Technosup) . ISBN : 978-2-7298-2323-8 Langues : Français ( fre) | Index. décimale : | 09-04 Technologie de composants | | Résumé : | Les circuits intégrés de l'électronique numérique, omniprésents dans notre environnement, sont construits à partir d'un nombre restreint de composants élémentaires.
Ce volume décrit d'abord la scène commune à tous ces composants (schéma de bandes électroniques) et les acteurs (électrons de valence) qui s'y manifestent sous la forme d'excitations (électrons, trous). Puis il étudie le fonctionnement et la modélisation des composants en faisant certains choix propres à rendre compte de la réalité industrielle actuelle ; études parallèles de la jonction p-n et du contact métal/semi-conducteur, traitement du transistor MOS avant le bipolaire, place appréciable donnée à l'injection forte, sans négliger les hétérojonctions, Enfin sont présentées les méthodes de fabrication, les évolutions et les perspectives.
L'ouvrage très précis et très documenté se caractérise par un contact étroit avec la réalité actuelle.
Il s'inscrit dans un traité complet d'électronique avec deux autres ouvrages des mêmes auteurs parus dans la même collection et traitant :
en amont, de la physique pour l'électronique (état quantique, onde électronique, statistique de Fermi)
et en aval, des circuits spécialisés et des applications
| | Note de contenu : | Table des matiéres:
Présentation des chapitres 1 et 2
Chapitre1:Solides cristallins : énergies électroniques et vibrations
Chapitre2:Électrons et trous dans un semi-conducteur
Préliminaires aux chapitres 3 et 4
Chapitre3:Contact métal/semi-conducteur, jonction p-n
Chapitre4:Capacité MOS et transitor MOS
Chapitre5:Transitor bipolaire
Chapitre6:Circuits Intégrés
A1 : Etat liant, état antiliant ; covalence
A2 : Semi-conducteurs : aspects statistiques
A3 : Evolution de paquets d'ondes
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