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Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 1 / Philippe Cazenave

Public ISBD Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 1 : dispositifs au silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2004 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 335 p. Présentation : ill. Format : 24,2 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0987-9 Langues : Français (fre) Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du modèle de Gummel et Poon. Note de contenu : Table des matières Avant-propos. Chapitre 1.Approche fondamentale du transistor bipolaire. Chapitre 2.Mécanismes limitatifs dans le transistor bipolaire. Chapitre 3.Comportement dynamique du transistor bipolaire. Chapitre 4.Modèle de Gummel et Poon. Chapitre 5.Intégration des structures bipolaires au silicium. -Index. Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 1 : dispositifs au silicium [texte imprimé] / Philippe Cazenave, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2004 . - 335 p. : ill. ; 24,2 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-0987-9 Langues : Français (fre) Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunications et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Cet ouvrage, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la fois sous l'aspect physique en orientant sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés) et sous l'aspect technologique en traitant des structures (standards et évoluées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Le volume 1 est consacré au transistor bipolaire au silicium (BJT ou SBT). Il développe les effets fondamentaux et de second ordre qui en régissent le fonctionnement, décrit ses structures et s'attarde sur l'établissement du modèle de Gummel et Poon. Note de contenu : Table des matières Avant-propos. Chapitre 1.Approche fondamentale du transistor bipolaire. Chapitre 2.Mécanismes limitatifs dans le transistor bipolaire. Chapitre 3.Comportement dynamique du transistor bipolaire. Chapitre 4.Modèle de Gummel et Poon. Chapitre 5.Intégration des structures bipolaires au silicium. -Index.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
3758	09-04-16	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3758
3759	09-04-16	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3759

Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 2 / Philippe Cazenave

Public ISBD Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 2 : dispositifs à hétérojonctions Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave, Auteur Editeur : Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier Année de publication : 2005 Collection : EGEM Série Électronique et Micro-Électronique Importance : 234 p. Présentation : ill. Format : 23,9 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1172-8 Langues : Français (fre) Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1.Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V Chapitre 2.Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe Chapitre 3.Modélisation bipolaire avancée Chapitre 4.Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -Bibliographie. -Index. Modélisation du transistor bipolaire intégré T. 2 : dispositifs à hétérojonctions [texte imprimé] / Philippe Cazenave, Auteur . - Cachan : Hermes Science Publication/Lavoisier, 2005 . - 234 p. : ill. ; 23,9 cm.. - (EGEM Série Électronique et Micro-Électronique) . ISBN : 978-2-7462-1172-8 Langues : Français (fre) Index. décimale : 09-04 Technologie de composants Résumé : Premier dispositif amplificateur "solide" et acteur des débuts de l'électronique intégrée, le transistor bipolaire préside aujourd'hui au développement tant des circuits de radiocommunication et de communications par fibres optiques, que des circuits analogiques linéaires et des circuits mixtes d'acquisition et de conversion de données. Inégalé sur le plan de la rapidité en charge, il est au même titre que le transistor MOS, un composant électronique majeur. Modélisation du transistor bipolaire intégré aborde le transistor bipolaire sous l'aspect physique , il oriente sa présentation vers l'établissement des modèles électriques (basiques et avancés). Il l'envisage aussi sous l'aspect technologique, en traitant des structures (standards et avancées) et de leur optimisation. Axé sur le composant intégré, il exclut les spécificités des transistors bipolaires de puissance. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1.Transistors bipolaires à hétérojonctions : généralités et dispositifs III-V Chapitre 2.Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe Chapitre 3.Modélisation bipolaire avancée Chapitre 4.Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires -Bibliographie. -Index.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
3756	09-04-17	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3756
3757	09-04-17	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	3757