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Détecteurs optoélectroniques / Didier Decoster

Public ISBD Titre : Détecteurs optoélectroniques Type de document : texte imprimé Auteurs : Didier Decoster, Auteur ; Joseph Harari, Auteur Editeur : Paris : Hermes science/Lavoisier Année de publication : 2002 Collection : Traité EGEM Electronique-Génie Electrique-Microsystèmes Importance : 245 p. Présentation : couv. ill. en en coul Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0562-8 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : La photodétection représente une fonction qui trouve sa place dans un grand nombre de systèmes professionnels ou grand public. Les applications sont nombreuses (télécommunications optiques fibrées ou en espace libre, isolation galvanique, capteur solaire, détecteur de présence, etc.) et sont toutes fondées sur le même processus : transformer une puissance lumineuse en signal électrique, ce signal devant être le plus élevé possible, pour un flux optique aussi faible que possible. Lorsqu'il s'agit de transmettre des informations rapides, voire très rapides, il faut que ce photodétecteur réagisse très vite. Ces considérations élémentaires impliquent qu'un certain nombre de performances soient atteintes, pour satisfaire les exigences de l'application envisagée. C'est dans ce contexte qu'un certain nombre de structures photodétectrices ont été envisagées : photoconducteurs, photodiodes p-n et PIN, photodiodes à avalanche, phototransistors, photodiodes Schottky, photodétecteurs MSM (Metal Semiconductor Metal). Cet ouvrage rassemble les connaissances les plus approfondies et les plus marquantes actuellement sur la photodétection pour des longueurs d'onde comprises entre l'infrarouge proche et l'ultraviolet. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1 Généralités sur les photodétecteurs à semi-conducteurs Chapitre 2 Photodiodes PIN pour le visible et le proche infrarouge Chapitre 3 Les photodiodes à avalanche Chapitre 4 Les phototransistors Chapitre 5 Les photodiodes métal-semi-conducteur-métal (MSM) Chapitre 6 Photodétecteurs pour l'ultraviolet Chapitre 7 Le bruit dans les photodiodes et les systèmes de photoréception Détecteurs optoélectroniques [texte imprimé] / Didier Decoster, Auteur ; Joseph Harari, Auteur . - Paris : Hermes science/Lavoisier, 2002 . - 245 p. : couv. ill. en en coul ; 24 cm.. - (Traité EGEM Electronique-Génie Electrique-Microsystèmes) . ISBN : 978-2-7462-0562-8 Langues : Français (fre) Catégories : SEMI CONDUCTEURS Index. décimale : 27-01 Technologie des matériaux à semi-conducteur Résumé : La photodétection représente une fonction qui trouve sa place dans un grand nombre de systèmes professionnels ou grand public. Les applications sont nombreuses (télécommunications optiques fibrées ou en espace libre, isolation galvanique, capteur solaire, détecteur de présence, etc.) et sont toutes fondées sur le même processus : transformer une puissance lumineuse en signal électrique, ce signal devant être le plus élevé possible, pour un flux optique aussi faible que possible. Lorsqu'il s'agit de transmettre des informations rapides, voire très rapides, il faut que ce photodétecteur réagisse très vite. Ces considérations élémentaires impliquent qu'un certain nombre de performances soient atteintes, pour satisfaire les exigences de l'application envisagée. C'est dans ce contexte qu'un certain nombre de structures photodétectrices ont été envisagées : photoconducteurs, photodiodes p-n et PIN, photodiodes à avalanche, phototransistors, photodiodes Schottky, photodétecteurs MSM (Metal Semiconductor Metal). Cet ouvrage rassemble les connaissances les plus approfondies et les plus marquantes actuellement sur la photodétection pour des longueurs d'onde comprises entre l'infrarouge proche et l'ultraviolet. Note de contenu : Table des matières Chapitre 1 Généralités sur les photodétecteurs à semi-conducteurs Chapitre 2 Photodiodes PIN pour le visible et le proche infrarouge Chapitre 3 Les photodiodes à avalanche Chapitre 4 Les phototransistors Chapitre 5 Les photodiodes métal-semi-conducteur-métal (MSM) Chapitre 6 Photodétecteurs pour l'ultraviolet Chapitre 7 Le bruit dans les photodiodes et les systèmes de photoréception

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
1209	27-01-05	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1209
1210	27-01-05	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1210
1211	27-01-05	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1211

Optoelectronic sensors / Didier Decoster

Public ISBD Titre : Optoelectronic sensors Type de document : texte imprimé Auteurs : Didier Decoster, Auteur ; Joseph Harari, Auteur Editeur : USA : John wiley & Sons Année de publication : 2009 Importance : 274 p. Présentation : couv. ill. en coul., ill. Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-1-84821-078-3 Langues : Anglais (eng) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-09 capteurs Résumé : This book provides accessible and authoritative coverage of semiconductor-based photodetectors for various optical wavelengths. It begins by explaining the main characteristics of all photodetectors, before moving on to cover the classical PIN photodiode, the avalanche photodiode, phototransistors, the metal-semiconductor-metal photodiode and photodetectors designed for ultraviolet wavelengths. Coverage concludes with a discussion of the issues surrounding the very important question of noise in these types of sensors. Written by a wide range of specialists in this field, this book represents an indispensable resource for those looking to increase their understanding of optoelectronics. Note de contenu : Table of contents: Chapter 1. Introduction to Semiconductor Photodetectors 1.1. Brief overview of semiconductor materials 1.2. Photodetection with semiconductors: basic phenomena 1.3. Semiconductor devices 1.4. p-n junctions and p-i-n structures 1.5. Avalanche effect in p-i-n structures 1.6. Schottky junction 1.7. Metal-semiconductor-metal (MSM) structures 1.8. Operational parameters of photodetectors Chapter 2. PIN Photodiodes for the Visible and Near-Infrared 2.1. Introduction 15 2.2. Physical processes occurring in photodiodes 2.3. Static characteristics of PIN photodiodes 2.4. Dynamic characteristics of PIN photodiodes 2.5. Semiconductor materials used in PIN photodiodes for the visible and near-infrared 2.6. New photodiode structures Chapter 3. Avalanche Photodiodes 3.1. Introduction 3.2. History 3.3. The avalanche effect 3.4. Properties of avalanche photodiodes 3.5. Technological considerations 3.6. Silicon avalanche photodiodes 3.7. Avalanche photodiodes based on gallium arsenide 3.8. Germanium avalanche photodiodes 3.9. Avalanche photodiodes based on indium phosphate (InP) 3.10. III-V low-noise avalanche photodiodes 3.11. Prospects Chapter 4. Phototransistors 4.1. Introduction 4.2. Phototransistors 4.3. The bipolar phototransistor: description and principles of operation 4.4. Photodetector circuits based on phototransistors 4.5. Applications Chapter 5. Metal-Semiconductor-Metal Photodiodes 5.1. Introduction 5.2. Operation and structure 5.3. Static and dynamic characteristics 5.4. Integration possibilities and conclusion Chapter 6. Ultraviolet Photodetectors 6.1. Introduction 6.2. The UV-visible contrast 6.3. Si and SiC photodetectors for UV photodetection 6.4. UV detectors based on III-V nitrides Chapter 7. Noise in Photodiodes and Photoreceiver Systems 7.1. Mathematical tools for noise 7.2. Fundamental noise sources 7.3. Excess noise 7.4. Analysis of noise electrical circuits 7.5. Noise in photodetectors 7.6. Noise optimization of photodetectors 7.7. Calculation of the noise of a photoreceiver -Index Optoelectronic sensors [texte imprimé] / Didier Decoster, Auteur ; Joseph Harari, Auteur . - USA : John wiley & Sons, 2009 . - 274 p. : couv. ill. en coul., ill. ; 24 cm. ISBN : 978-1-84821-078-3 Langues : Anglais (eng) Catégories : ELECTRONIQUE Index. décimale : 09-09 capteurs Résumé : This book provides accessible and authoritative coverage of semiconductor-based photodetectors for various optical wavelengths. It begins by explaining the main characteristics of all photodetectors, before moving on to cover the classical PIN photodiode, the avalanche photodiode, phototransistors, the metal-semiconductor-metal photodiode and photodetectors designed for ultraviolet wavelengths. Coverage concludes with a discussion of the issues surrounding the very important question of noise in these types of sensors. Written by a wide range of specialists in this field, this book represents an indispensable resource for those looking to increase their understanding of optoelectronics. Note de contenu : Table of contents: Chapter 1. Introduction to Semiconductor Photodetectors 1.1. Brief overview of semiconductor materials 1.2. Photodetection with semiconductors: basic phenomena 1.3. Semiconductor devices 1.4. p-n junctions and p-i-n structures 1.5. Avalanche effect in p-i-n structures 1.6. Schottky junction 1.7. Metal-semiconductor-metal (MSM) structures 1.8. Operational parameters of photodetectors Chapter 2. PIN Photodiodes for the Visible and Near-Infrared 2.1. Introduction 15 2.2. Physical processes occurring in photodiodes 2.3. Static characteristics of PIN photodiodes 2.4. Dynamic characteristics of PIN photodiodes 2.5. Semiconductor materials used in PIN photodiodes for the visible and near-infrared 2.6. New photodiode structures Chapter 3. Avalanche Photodiodes 3.1. Introduction 3.2. History 3.3. The avalanche effect 3.4. Properties of avalanche photodiodes 3.5. Technological considerations 3.6. Silicon avalanche photodiodes 3.7. Avalanche photodiodes based on gallium arsenide 3.8. Germanium avalanche photodiodes 3.9. Avalanche photodiodes based on indium phosphate (InP) 3.10. III-V low-noise avalanche photodiodes 3.11. Prospects Chapter 4. Phototransistors 4.1. Introduction 4.2. Phototransistors 4.3. The bipolar phototransistor: description and principles of operation 4.4. Photodetector circuits based on phototransistors 4.5. Applications Chapter 5. Metal-Semiconductor-Metal Photodiodes 5.1. Introduction 5.2. Operation and structure 5.3. Static and dynamic characteristics 5.4. Integration possibilities and conclusion Chapter 6. Ultraviolet Photodetectors 6.1. Introduction 6.2. The UV-visible contrast 6.3. Si and SiC photodetectors for UV photodetection 6.4. UV detectors based on III-V nitrides Chapter 7. Noise in Photodiodes and Photoreceiver Systems 7.1. Mathematical tools for noise 7.2. Fundamental noise sources 7.3. Excess noise 7.4. Analysis of noise electrical circuits 7.5. Noise in photodetectors 7.6. Noise optimization of photodetectors 7.7. Calculation of the noise of a photoreceiver -Index

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	N.Inventaire
1892	09-09-08	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	1892
2619	09-09-08	Livre	Bibliothèque de Génie Electrique- USTO	Documentaires	Exclu du prêt	2619