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Caractérisation et modélisation simplifiée du comportement courant tension d'un dispositif multicouches / MAHI Khaled
Titre : Caractérisation et modélisation simplifiée du comportement courant tension d'un dispositif multicouches Type de document : texte imprimé Auteurs : MAHI Khaled, Auteur Année de publication : 2008 Importance : 88 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : la méthode de norde, la méthode de werner , la méthode de ranuarez , dispositif multicouches Directeur de thèse : AIT KACI.H Caractérisation et modélisation simplifiée du comportement courant tension d'un dispositif multicouches [texte imprimé] / MAHI Khaled, Auteur . - 2008 . - 88 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : la méthode de norde, la méthode de werner , la méthode de ranuarez , dispositif multicouches Directeur de thèse : AIT KACI.H Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8481 02-05-558 version papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Caractéristiques électriques des interfaces homojonction et hétérojonction à bases d’antimoniures / MECHRAOUI SAAD
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Titre : Caractéristiques électriques des interfaces homojonction et hétérojonction à bases d’antimoniures : Application à une cellule photovoltaïque GaSb(p)-GaSb(n) Type de document : document électronique Auteurs : MECHRAOUI SAAD, Auteur Année de publication : 2012 Importance : 79 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : homojonction , hétérojonction à bases d’antimoniures , les caractéristique électrique Résumé : Parmi les candidats à la réalisation de composants électroniques et optoélectroniques,
opérant dans la gamme infrarouge du rayonnement solaire, les alliages à base d’antimoine se
trouvent en excellente position. Ils présentent des énergies de bandes interdites qui leur
permettent de couvrir une large gamme, du proche infrarouge à l’infrarouge lointain.
Parmi ces matériaux, le GaSb peut être utilisé dans la fabrication de diodes lasers et
cellules pour la conversion photovoltaïque. Notre travail a consisté en l’étude des systèmes à
homojonction et hétérojonction, utilisant, comme couche contact le GaSb, fortement dopé P.
L’objectif est de déterminer les propriétés électriques de ces interfaces et de conclure quant à
la possibilité de les utiliser pour la fabrication d’un composant actif.
Les trois systèmes étudiés dans ce mémoire sont : l’homojonction GaSb(p)/GaSb(n),
l’hétérojonction GaSb(p)/GaAlAsSb(n) et l’hétérojonction GaSb(p)/InAsSb(n). Après avoir
déterminé leurs caractéristiques électriques, telles que le champ électrique E, le potentiel
électrique V et le diagramme des bandes d’énergies, à l’équilibre et dans chaque cas, nous
avons étudié l’influence d’une polarisation extérieure, directe et inverse, sur ces mêmes
propriétés d’interfaces.
Cette étude nous a permis, par la suite, d’effectuer une modélisation du transport des
charges dans la structure particulière GaSb(p)/GaSb(n). Les résultats de la modélisation
sont, à la fin, confrontés aux résultats de mesures courant-tension, réalisées sur une cellule
photovoltaïque (PV) réelle, à homojonction GaSb(p)/GaSb(n).Directeur de thèse : AIT KACI.Hocine Caractéristiques électriques des interfaces homojonction et hétérojonction à bases d’antimoniures : Application à une cellule photovoltaïque GaSb(p)-GaSb(n) [document électronique] / MECHRAOUI SAAD, Auteur . - 2012 . - 79 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : homojonction , hétérojonction à bases d’antimoniures , les caractéristique électrique Résumé : Parmi les candidats à la réalisation de composants électroniques et optoélectroniques,
opérant dans la gamme infrarouge du rayonnement solaire, les alliages à base d’antimoine se
trouvent en excellente position. Ils présentent des énergies de bandes interdites qui leur
permettent de couvrir une large gamme, du proche infrarouge à l’infrarouge lointain.
Parmi ces matériaux, le GaSb peut être utilisé dans la fabrication de diodes lasers et
cellules pour la conversion photovoltaïque. Notre travail a consisté en l’étude des systèmes à
homojonction et hétérojonction, utilisant, comme couche contact le GaSb, fortement dopé P.
L’objectif est de déterminer les propriétés électriques de ces interfaces et de conclure quant à
la possibilité de les utiliser pour la fabrication d’un composant actif.
Les trois systèmes étudiés dans ce mémoire sont : l’homojonction GaSb(p)/GaSb(n),
l’hétérojonction GaSb(p)/GaAlAsSb(n) et l’hétérojonction GaSb(p)/InAsSb(n). Après avoir
déterminé leurs caractéristiques électriques, telles que le champ électrique E, le potentiel
électrique V et le diagramme des bandes d’énergies, à l’équilibre et dans chaque cas, nous
avons étudié l’influence d’une polarisation extérieure, directe et inverse, sur ces mêmes
propriétés d’interfaces.
Cette étude nous a permis, par la suite, d’effectuer une modélisation du transport des
charges dans la structure particulière GaSb(p)/GaSb(n). Les résultats de la modélisation
sont, à la fin, confrontés aux résultats de mesures courant-tension, réalisées sur une cellule
photovoltaïque (PV) réelle, à homojonction GaSb(p)/GaSb(n).Directeur de thèse : AIT KACI.Hocine Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8612 02-05-688 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Caractéristiques électriques des interfaces homojonction et hétérojonction à bases d’antimoniures : Application à une cellule photovoltaïque GaSb(p)-GaSb(n)Adobe Acrobat PDFEtude ab initio des propriéte physiques pérovskites à haute permittivité diélectrique / Hebbour Nadjet
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Titre : Etude ab initio des propriéte physiques pérovskites à haute permittivité diélectrique Type de document : document électronique Auteurs : Hebbour Nadjet, Auteur Année de publication : 2010 Importance : 76 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : Calcul ab inition, pérovskite,thermodynamique,optoélectronique. Résumé : Le sujet de mémoire concerne l'étude ab initio des propriété structurales (énergie de cohésion, pas de réseaux module de rigidité et sa dérivées )élastique, électronique,( gap, DOS et densité de charge) , optique (fonction diélectrique complexe, indice de réfraction et thermodynamique).
Les matériaux de type ABO3, les pérovskites ont révélé un immense intérêt au cours de ces dernières années. L'étude s'appuiera sur la théorie de la fonctionnelle de densité qui bien parfaite , tend a s'imposer comme le standard pour le câble des structures électronique grâce a ses bonnes prédictions énergétiques et structuralesDirecteur de thèse : HAMDACHE Fatima Etude ab initio des propriéte physiques pérovskites à haute permittivité diélectrique [document électronique] / Hebbour Nadjet, Auteur . - 2010 . - 76 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : Calcul ab inition, pérovskite,thermodynamique,optoélectronique. Résumé : Le sujet de mémoire concerne l'étude ab initio des propriété structurales (énergie de cohésion, pas de réseaux module de rigidité et sa dérivées )élastique, électronique,( gap, DOS et densité de charge) , optique (fonction diélectrique complexe, indice de réfraction et thermodynamique).
Les matériaux de type ABO3, les pérovskites ont révélé un immense intérêt au cours de ces dernières années. L'étude s'appuiera sur la théorie de la fonctionnelle de densité qui bien parfaite , tend a s'imposer comme le standard pour le câble des structures électronique grâce a ses bonnes prédictions énergétiques et structuralesDirecteur de thèse : HAMDACHE Fatima Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8522 02-05-599 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Etude ab initio des propriéte sphysiques pérovskit à haute perméttivité diélectriqueAdobe Acrobat PDFÉtude ab initio des propriétés structurales et Magnétiques des antipérovskites Fe3MC (M= Zn, Al, Ga, et Sn). / ROUABHIA Abdelkrim
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Titre : Étude ab initio des propriétés structurales et Magnétiques des antipérovskites Fe3MC (M= Zn, Al, Ga, et Sn). Type de document : document électronique Auteurs : ROUABHIA Abdelkrim, Auteur Année de publication : 2010 Importance : 58 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : DFT ,LDA ,GGA ,APW ,LAPW . Directeur de thèse : AMRANI Bouhalouane Étude ab initio des propriétés structurales et Magnétiques des antipérovskites Fe3MC (M= Zn, Al, Ga, et Sn). [document électronique] / ROUABHIA Abdelkrim, Auteur . - 2010 . - 58 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : DFT ,LDA ,GGA ,APW ,LAPW . Directeur de thèse : AMRANI Bouhalouane Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8536 02-05-613 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Étude ab initio des propriétés structurales et Magnétiques des antipérovskites Fe3MC (M= Zn, Al, Ga, et Sn).Adobe Acrobat PDFMise au point d'un banc de mesures capacité -tension différentielle / EL-ASSED ZEMALLACH OUARRI Kada
Titre : Mise au point d'un banc de mesures capacité -tension différentielle : application à un composant a base de GaSb Type de document : texte imprimé Auteurs : EL-ASSED ZEMALLACH OUARRI Kada, Auteur Année de publication : 2008 Importance : 77 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : La zone de déplétion , d'une hétérojonction , GaSb Directeur de thèse : AIT KACI.H Mise au point d'un banc de mesures capacité -tension différentielle : application à un composant a base de GaSb [texte imprimé] / EL-ASSED ZEMALLACH OUARRI Kada, Auteur . - 2008 . - 77 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : La zone de déplétion , d'une hétérojonction , GaSb Directeur de thèse : AIT KACI.H Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8482 02-05-559 version papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt
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