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Etude du magnétisme des polytypes 2H-GaN,4H-GaN et 6H dopés par les éléments légers He,Li,Be,B,C,O,F,Ne,Na,Mg et par les métaux 3d de transition Se,Ti,V,Cr,Mn,Fe, Co,Ni:Etude de premier principe / TORRICHI Mohamed 

Public ISBD Titre : Etude du magnétisme des polytypes 2H-GaN,4H-GaN et 6H dopés par les éléments légers He,Li,Be,B,C,O,F,Ne,Na,Mg et par les métaux 3d de transition Se,Ti,V,Cr,Mn,Fe, Co,Ni:Etude de premier principe Type de document : texte imprimé Auteurs : TORRICHI Mohamed, Auteur Année de publication : 2017 Importance : 80 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique de la matière condensée Mots-clés : Semi-conducteur, Polytypisme, Magnétisme, Electronique et structure de bande, DFT Résumé : En utilisant la théorie de la fonctionnelle de densité dans l’approximation du gradient Généralisée, nous explorons le ferromagnétisme induit par le dopage des polytypes 2HGaN, 4H-GaN et 6H-GaN par les atomes légers et non magnétiques (LNM), tels queHe, Li, Be, B, C, O, F, Ne, Na et Mg et par les atomes 3d de transitions (TM), tels que, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co et Ni. Notre calcul de premier principe prédit que tous lesmoments magnétiques totaux des polytypes 2H-GaN, 4H-GaN et 6H-GaN dope avec leséléments suivants X (X = B, C, O, F, Ne, Na) sont nulle a l’exception de X (X = Li,Be et Mg). Il semble que le dopage avec la premièresérie d’éléments ne contribuent pasa la polarisation du spin des polytypes 4H et 6H du GaN. Le dopage avec les atomesnon magnétiques (Li, O et Mg) fournit également une faible contribution du momentmagnétique. Les valeurs trouves sont 1.77μB, 0.93μB et 0.75μB respectivement pour 4HGaN:Li, 4H-GaN:Be et 4H-GaN:Mg. Le dopage des polytypes 4H-GaN:He et 4H-GaN:Ne induit un moment magnétique de 1.77μB pour ces deux composées. Nous avonscherche une éventuelle existence d’une relation entre le moment magnétique total MTOTetla distance de liaison tétraédrique dX-N séparant l’atome dopant X et l’atome hôte N.Pour une variation de la distance dX-N, nous avons calcule le moment magnétique pour les composes 2H-GaN:X, 4H-GaN:X et 6H-GaN:X. Nous n’observons que les systèmes 4HGaN:Mn et 4H-GaN:Cr deviennent demi métallique avec un moment magnétique total respectivement de 3.98μB et de 2.96μB. Le dopage des composes 2H-GaN:X, 4H-GaN:X et 6H-GaN:X par les éléments V, Cr, Mn, Fe, Co et Ni induit un moment magnétique nonnul. Ces composes sont donc ferromagnétiques. Les systèmes 2H-GaN:Sc, 2H-GaN:Ti, 4H-GaN:Sc, 4H-GaN:Ti, 6H-GaN:Sc et 6H-GaN:Ti ne sont pas ferromagnétiques. Les systèmes 6H-GaN:Mn et 6H-GaN:Fe possèdent des moments magnétiques les plus élevés respectivement de 3.98μB et 4.19μB. Le système 4H-GaN dope auNi possède le plus faible moment magnétique de 0.57μB. Le reste du moment magnétique est localise dans la région interstitielle autour des liens (X-N) des atomes X et N. Directeur de thèse : FERHAT Mohamed Etude du magnétisme des polytypes 2H-GaN,4H-GaN et 6H dopés par les éléments légers He,Li,Be,B,C,O,F,Ne,Na,Mg et par les métaux 3d de transition Se,Ti,V,Cr,Mn,Fe, Co,Ni:Etude de premier principe [texte imprimé] / TORRICHI Mohamed, Auteur . - 2017 . - 80 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique de la matière condensée Mots-clés : Semi-conducteur, Polytypisme, Magnétisme, Electronique et structure de bande, DFT Résumé : En utilisant la théorie de la fonctionnelle de densité dans l’approximation du gradient Généralisée, nous explorons le ferromagnétisme induit par le dopage des polytypes 2HGaN, 4H-GaN et 6H-GaN par les atomes légers et non magnétiques (LNM), tels queHe, Li, Be, B, C, O, F, Ne, Na et Mg et par les atomes 3d de transitions (TM), tels que, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co et Ni. Notre calcul de premier principe prédit que tous lesmoments magnétiques totaux des polytypes 2H-GaN, 4H-GaN et 6H-GaN dope avec leséléments suivants X (X = B, C, O, F, Ne, Na) sont nulle a l’exception de X (X = Li,Be et Mg). Il semble que le dopage avec la premièresérie d’éléments ne contribuent pasa la polarisation du spin des polytypes 4H et 6H du GaN. Le dopage avec les atomesnon magnétiques (Li, O et Mg) fournit également une faible contribution du momentmagnétique. Les valeurs trouves sont 1.77μB, 0.93μB et 0.75μB respectivement pour 4HGaN:Li, 4H-GaN:Be et 4H-GaN:Mg. Le dopage des polytypes 4H-GaN:He et 4H-GaN:Ne induit un moment magnétique de 1.77μB pour ces deux composées. Nous avonscherche une éventuelle existence d’une relation entre le moment magnétique total MTOTetla distance de liaison tétraédrique dX-N séparant l’atome dopant X et l’atome hôte N.Pour une variation de la distance dX-N, nous avons calcule le moment magnétique pour les composes 2H-GaN:X, 4H-GaN:X et 6H-GaN:X. Nous n’observons que les systèmes 4HGaN:Mn et 4H-GaN:Cr deviennent demi métallique avec un moment magnétique total respectivement de 3.98μB et de 2.96μB. Le dopage des composes 2H-GaN:X, 4H-GaN:X et 6H-GaN:X par les éléments V, Cr, Mn, Fe, Co et Ni induit un moment magnétique nonnul. Ces composes sont donc ferromagnétiques. Les systèmes 2H-GaN:Sc, 2H-GaN:Ti, 4H-GaN:Sc, 4H-GaN:Ti, 6H-GaN:Sc et 6H-GaN:Ti ne sont pas ferromagnétiques. Les systèmes 6H-GaN:Mn et 6H-GaN:Fe possèdent des moments magnétiques les plus élevés respectivement de 3.98μB et 4.19μB. Le système 4H-GaN dope auNi possède le plus faible moment magnétique de 0.57μB. Le reste du moment magnétique est localise dans la région interstitielle autour des liens (X-N) des atomes X et N. Directeur de thèse : FERHAT Mohamed

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
8786	02-05-862	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

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