les Thèses Soutenues à l'USTO MB
vous cherchez une thèse?
A partir de cette page vous pouvez :
Retourner au premier écran avec les recherches... | Votre compte |
Catégories



Applications de la spectrométrie de fluorescence X à l’analyse et la caractérisation des matériaux. / LOTFI BOUTAHAR
![]()
Titre : Applications de la spectrométrie de fluorescence X à l’analyse et la caractérisation des matériaux. Type de document : texte imprimé Auteurs : LOTFI BOUTAHAR, Auteur Année de publication : 24-06-2014 Importance : 108 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : Spectrométrie fluorescence X XRF Skyray Analyse quantitative Analyse qualitative Rayons X EDX3600B, WDX Résumé : Ce travail est constitué de deux volets :
1. Le premier volet consiste à faire une synthèse sur l’aspect physique de la spectrométrie de fluorescence X (XRF en Anglais) et de diverses applications dans l’analyse qualitative et quantitative de différents types de matériaux. On a eu ainsi l’occasion de se familiariser avec les principes physiques de la XRF et les applications multiples et variées dans différents domaines : recherche, industrie etc, aussi on a pris connaissance des différentes catégories d’analyseurs XRF, ainsi que leurs diverses formes.
2. Le deuxième volet du travail est expérimental. On a installé, mis en marche et calibré le spectromètre de fluorescence X à dispersion d’énergie EDX3600B. On a eu également l’occasion d’appliquer la fluorescence X à la caractérisation de différents types de matériaux : alliages métalliques (écrou de cuivre, bague en argent, balle en plomb, Louis d’or, morceau de verre) et couches minces (FeCo/Si et Fe/differents substrats).
On a abouti à des résultats (XRF) très satisfaisants lors de l’analyse qualitative (détection des éléments constituants les substrats et les couches déposées) et quantitative (mesure de la composition et des épaisseurs) des couches minces par rapport à ceux de RBS.
Directeur de thèse : KRACHNI Omar Applications de la spectrométrie de fluorescence X à l’analyse et la caractérisation des matériaux. [texte imprimé] / LOTFI BOUTAHAR, Auteur . - 24-06-2014 . - 108 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : Spectrométrie fluorescence X XRF Skyray Analyse quantitative Analyse qualitative Rayons X EDX3600B, WDX Résumé : Ce travail est constitué de deux volets :
1. Le premier volet consiste à faire une synthèse sur l’aspect physique de la spectrométrie de fluorescence X (XRF en Anglais) et de diverses applications dans l’analyse qualitative et quantitative de différents types de matériaux. On a eu ainsi l’occasion de se familiariser avec les principes physiques de la XRF et les applications multiples et variées dans différents domaines : recherche, industrie etc, aussi on a pris connaissance des différentes catégories d’analyseurs XRF, ainsi que leurs diverses formes.
2. Le deuxième volet du travail est expérimental. On a installé, mis en marche et calibré le spectromètre de fluorescence X à dispersion d’énergie EDX3600B. On a eu également l’occasion d’appliquer la fluorescence X à la caractérisation de différents types de matériaux : alliages métalliques (écrou de cuivre, bague en argent, balle en plomb, Louis d’or, morceau de verre) et couches minces (FeCo/Si et Fe/differents substrats).
On a abouti à des résultats (XRF) très satisfaisants lors de l’analyse qualitative (détection des éléments constituants les substrats et les couches déposées) et quantitative (mesure de la composition et des épaisseurs) des couches minces par rapport à ceux de RBS.
Directeur de thèse : KRACHNI Omar Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8678 02-05-754 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Applications de la spectrométrie de fluorescence X à l’analyse et la caractérisation des matériaux.Adobe Acrobat PDFContribution à l’étude des propriétés physico-chimique de composés ternaires magnétiques: Méthodes Ab-initio / MAIZIA Ahmed
![]()
Titre : Contribution à l’étude des propriétés physico-chimique de composés ternaires magnétiques: Méthodes Ab-initio Type de document : texte imprimé Auteurs : MAIZIA Ahmed, Auteur Année de publication : 2022-2023 Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : DFT, Heusler, semi-métalliques, spin polarisation
DFT, full-Heusler , half-métallic , ferromagneticRésumé : Les alliages Heusler ont suscité un énorme intérêt expérimental et théorique. Cette attention est due essentiellement à leurs nouvelles possibles applications en sciences de l'ingénieur. Le principal domaine d'application de ces alliages est la spintronique qui combine les avantages des matériaux magnétiques et des semi-conducteurs en commun. Dans ce travail, les calculs de premiers principes basé sur la méthode FP-LAPW ont été effectués dans le cadre de la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT), pour étudier les structures électroniques et les propriétés magnétiques des nouveaux composés full-Heusler : Mn2OsZ (Z=Ga, Ge, In, Sn).Les calculs de la structure électronique pour Mn2OsGe montrent un caractère ferrimagnétique semi-métalliques, avec une bande interdite indirecte -X de 0.315 eV au paramètres de réseau optimisés et une polarisation de spin atteignant 100% au niveau de Fermi. Les trois full-Heusler Mn2OsGa, Mn2OsIn et Mn2OsSn ont un comportement métallique ferromagnétique dans leur structure la plus stable avec une spin polarisation respectivement égal à 37.2%, 15.5 and 12.77au niveau de Fermi.
Heusler alloys received tremendous experimental and theoretical interest. This attention is
due essentially to their new possible applications in engineering science. The main field of
application of these alloys is spintronics which combine the advantages of magnetic materials and
semiconductors to be in common. In this work, first principles FP-LAPW calculations were
performed in the frame work of Density Functional Theory (DFT), to study the electronic
structures and magnetic properties for the new full-Heusler compounds: Mn2OsZ (Z=Ga, Ge, In,
Sn).The electronic structure calculations for Mn2OsGe show half-metallic ferrimagnetic
characters, with indirect band gaps of 0.315 eV at optimised lattice parameters ans spin
polarization reach 100% at the Fermi level. The three full-Heusler Mn2OsGa, Mn2OsIn and
Mn2OsSn exhibit metallic ferromagnetic behavior in their most stable structure with a spin
polarization equal to 37.2%, 15.5 and 12.77 respectively at the Fermi level.Directeur de thèse : BELKHARROUBI Fadila Contribution à l’étude des propriétés physico-chimique de composés ternaires magnétiques: Méthodes Ab-initio [texte imprimé] / MAIZIA Ahmed, Auteur . - 2022-2023 . - + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : DFT, Heusler, semi-métalliques, spin polarisation
DFT, full-Heusler , half-métallic , ferromagneticRésumé : Les alliages Heusler ont suscité un énorme intérêt expérimental et théorique. Cette attention est due essentiellement à leurs nouvelles possibles applications en sciences de l'ingénieur. Le principal domaine d'application de ces alliages est la spintronique qui combine les avantages des matériaux magnétiques et des semi-conducteurs en commun. Dans ce travail, les calculs de premiers principes basé sur la méthode FP-LAPW ont été effectués dans le cadre de la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT), pour étudier les structures électroniques et les propriétés magnétiques des nouveaux composés full-Heusler : Mn2OsZ (Z=Ga, Ge, In, Sn).Les calculs de la structure électronique pour Mn2OsGe montrent un caractère ferrimagnétique semi-métalliques, avec une bande interdite indirecte -X de 0.315 eV au paramètres de réseau optimisés et une polarisation de spin atteignant 100% au niveau de Fermi. Les trois full-Heusler Mn2OsGa, Mn2OsIn et Mn2OsSn ont un comportement métallique ferromagnétique dans leur structure la plus stable avec une spin polarisation respectivement égal à 37.2%, 15.5 and 12.77au niveau de Fermi.
Heusler alloys received tremendous experimental and theoretical interest. This attention is
due essentially to their new possible applications in engineering science. The main field of
application of these alloys is spintronics which combine the advantages of magnetic materials and
semiconductors to be in common. In this work, first principles FP-LAPW calculations were
performed in the frame work of Density Functional Theory (DFT), to study the electronic
structures and magnetic properties for the new full-Heusler compounds: Mn2OsZ (Z=Ga, Ge, In,
Sn).The electronic structure calculations for Mn2OsGe show half-metallic ferrimagnetic
characters, with indirect band gaps of 0.315 eV at optimised lattice parameters ans spin
polarization reach 100% at the Fermi level. The three full-Heusler Mn2OsGa, Mn2OsIn and
Mn2OsSn exhibit metallic ferromagnetic behavior in their most stable structure with a spin
polarization equal to 37.2%, 15.5 and 12.77 respectively at the Fermi level.Directeur de thèse : BELKHARROUBI Fadila Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 9041 02-05-975 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Thèse de Doctorat Exclu du prêt Documents numériques
02-05-975.pdfAdobe Acrobat PDFContribution à l'étude des propriétés structurales, électroniques, élasrique et optiques de composés InX (X=as,Sb et P). / BOUCHAREF Mohamed
![]()
Titre : Contribution à l'étude des propriétés structurales, électroniques, élasrique et optiques de composés InX (X=as,Sb et P). Type de document : texte imprimé Auteurs : BOUCHAREF Mohamed, Auteur Année de publication : 2012 Importance : 106 p Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : Calcul Ab initio FP-LAPW DET InAs InSb Inp. Résumé : Dans ce travail, nous avons présenté une étude sur les propriétés structurales, électroniques, élastiques et optiques de l'arsenic d'indium (InAs), l'antimony d'indium (InSb) et le phosphure d'indium (InP). Les calculs ont été effectués par la éthode des ondes planes augmentées FP-LAPW qui est basée sur le formalisme de la fonctionnelle de la densité (DFT). Les propriétés structurales telles que les paramètres de maille(ao) et les modules des compressibilités et ses dérivés (Bo et B') des trois matériaux, sont calculées par la méthode précédente pour les trois phases B1, B2, B3; avec les deux approximations de la densité locale (LDA) et du gradient généralisé (GCA). Les résultats trouvés sont en accord avec ceux avancés par l'expérimental et d'autres calculs. Dans l'étude des propriétés électroniques de l'InAs, InSb et l'InP, les valeurs des gaps d'énergie calculées avec l'approche LDA pour la phase la plus stable B3 et comparer avec la phase B1, ces calculs sont en accord avec d'autres calculs. On déterminera aussi les pressions de transition de la phase B3 vers la phase B1 des trois matériaux précédents par les deux approximations. Ainsi pour les propriétés élastiques , nous avons calculé les constantes élastiques (C11-C12 et C44). Les valeurs trouvées de ces dernières sont très proches de celles de l'expérience. Ces résultats sont vérifiés par la méthode de calcul utilisée dans notre travail avec l'approche LDA. En ce qui concerne les propriétés optiques, nous avons calculé la fonction diélectrique (w), la réflectivité R(w), l'indice de réfraction n(w) et le coefficient d'absorption a par l'approche LDA. Directeur de thèse : KADRI Dahane Contribution à l'étude des propriétés structurales, électroniques, élasrique et optiques de composés InX (X=as,Sb et P). [texte imprimé] / BOUCHAREF Mohamed, Auteur . - 2012 . - 106 p + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : Calcul Ab initio FP-LAPW DET InAs InSb Inp. Résumé : Dans ce travail, nous avons présenté une étude sur les propriétés structurales, électroniques, élastiques et optiques de l'arsenic d'indium (InAs), l'antimony d'indium (InSb) et le phosphure d'indium (InP). Les calculs ont été effectués par la éthode des ondes planes augmentées FP-LAPW qui est basée sur le formalisme de la fonctionnelle de la densité (DFT). Les propriétés structurales telles que les paramètres de maille(ao) et les modules des compressibilités et ses dérivés (Bo et B') des trois matériaux, sont calculées par la méthode précédente pour les trois phases B1, B2, B3; avec les deux approximations de la densité locale (LDA) et du gradient généralisé (GCA). Les résultats trouvés sont en accord avec ceux avancés par l'expérimental et d'autres calculs. Dans l'étude des propriétés électroniques de l'InAs, InSb et l'InP, les valeurs des gaps d'énergie calculées avec l'approche LDA pour la phase la plus stable B3 et comparer avec la phase B1, ces calculs sont en accord avec d'autres calculs. On déterminera aussi les pressions de transition de la phase B3 vers la phase B1 des trois matériaux précédents par les deux approximations. Ainsi pour les propriétés élastiques , nous avons calculé les constantes élastiques (C11-C12 et C44). Les valeurs trouvées de ces dernières sont très proches de celles de l'expérience. Ces résultats sont vérifiés par la méthode de calcul utilisée dans notre travail avec l'approche LDA. En ce qui concerne les propriétés optiques, nous avons calculé la fonction diélectrique (w), la réflectivité R(w), l'indice de réfraction n(w) et le coefficient d'absorption a par l'approche LDA. Directeur de thèse : KADRI Dahane Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8600 02-05-676 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
02-05-676Adobe Acrobat PDF
Titre : Etude par simulation des phénomènes thermostimulés de l’alumine alpha Type de document : document électronique Auteurs : BOUREMANI Amirouche, Auteur Année de publication : 2013 Importance : 92 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : alumine alpha , thermoluminescence conductivité ,électrique thermostimulée ,émission exoélectronique thermostimulée, émission thermoïonique. Résumé : L‟originalité de ce travail réside dans l‟application de modèles prenant en compte la simultanéité de la thermoluminescence (TL), de l‟Emission Exoélectronique Thermostimulée (EETS) et de la conductivité Electrique Thermostimulée (CETS) présentées par l‟alumine alpha monocristallin. Les modèles sont fondés sur un formalisme qui permet de s‟affranchir des hypothèses et approximations rencontrées dans la littérature. Ils tiennent compte du mécanisme thermoïonique pour l‟EETS. Des expressions analytiques adaptées à l‟étude de l‟influence des paramètres du modèle sont utilisées. Elles nécessitent des approximations que nous justifions par comparaison avec une résolution numérique des équations. La validation du modèle est obtenue en confrontant les courbes expérimentales de l‟alumine alpha aux courbes théoriques. L‟alumine alpha est un matériau de choix puisqu‟il présente simultanément les trois phénomènes. Notre étude a concentré principalement sur les pics B‟ (265 K) et D‟ (450 K). Les résultats trouvées dans la littérature montrent que les pièges relatif aux pics B‟ et D‟ sont des pièges à électrons. L‟application du modèle à ces pics conduit à une corrélation satisfaisante entre la théorie et l‟expérience, particulièrement en ce qui concerne la position des pics et l‟ordre de cinétique du piéges associé au pic B‟. En revanche, les largeurs à mi-hauteur des pics théoriques sont légèrement inférieures à celles des pics expérimentaux Directeur de thèse : KADRI Dahane Etude par simulation des phénomènes thermostimulés de l’alumine alpha [document électronique] / BOUREMANI Amirouche, Auteur . - 2013 . - 92 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : alumine alpha , thermoluminescence conductivité ,électrique thermostimulée ,émission exoélectronique thermostimulée, émission thermoïonique. Résumé : L‟originalité de ce travail réside dans l‟application de modèles prenant en compte la simultanéité de la thermoluminescence (TL), de l‟Emission Exoélectronique Thermostimulée (EETS) et de la conductivité Electrique Thermostimulée (CETS) présentées par l‟alumine alpha monocristallin. Les modèles sont fondés sur un formalisme qui permet de s‟affranchir des hypothèses et approximations rencontrées dans la littérature. Ils tiennent compte du mécanisme thermoïonique pour l‟EETS. Des expressions analytiques adaptées à l‟étude de l‟influence des paramètres du modèle sont utilisées. Elles nécessitent des approximations que nous justifions par comparaison avec une résolution numérique des équations. La validation du modèle est obtenue en confrontant les courbes expérimentales de l‟alumine alpha aux courbes théoriques. L‟alumine alpha est un matériau de choix puisqu‟il présente simultanément les trois phénomènes. Notre étude a concentré principalement sur les pics B‟ (265 K) et D‟ (450 K). Les résultats trouvées dans la littérature montrent que les pièges relatif aux pics B‟ et D‟ sont des pièges à électrons. L‟application du modèle à ces pics conduit à une corrélation satisfaisante entre la théorie et l‟expérience, particulièrement en ce qui concerne la position des pics et l‟ordre de cinétique du piéges associé au pic B‟. En revanche, les largeurs à mi-hauteur des pics théoriques sont légèrement inférieures à celles des pics expérimentaux Directeur de thèse : KADRI Dahane Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8651 02-05-727 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Etude par simulation des phénomènes thermostimulés de l’alumine alphaAdobe Acrobat PDF
Titre : Etude des propriétés physiques des chalcopyrites CuFeXe(X=S et Se). Type de document : document électronique Auteurs : DJEBOUR Ben Ali, Auteur Année de publication : 2013 Importance : 112 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : chalcopyrites, DFT , Ab-initio , propriétés structurales, constantes élastiques ,FP-LMTO Résumé : Les composés ayant des structures ternaires de la famille de chalcopyrite de chalcogénure I-III -VI2 (I = Cu, Ag; III = Al, Ga, In, VI = S, Se, Te) forment un groupe étendu de matériaux semi-conducteurs avec des divers propriétés optiques et électriques. Les alliages ternaires avec cette composition sont bien connus par leurs applications potentielles dans l'industrie des dispositifs électronique et dans le domaine photovoltaïque. Du point de vue structural, ils se cristallisent avec une symétrie tétragonale dans le groupe d'espace I42d (N°122). Pour produire des matériaux chalcopyrites intéressants il faut ajouter un cation magnétique ceci offre un comportement à la fois magnétique et semi-conducteur pour cette gamme des matériaux. Ces matériaux on un grand intérêt industriel dans plusieurs domaine d’application tel que la technologie magnéto-électronique ("spintronique") des dispositifs. L’objectif de notre travail est de prédire les propriétés structurales telles que le paramètre de maille, module de compressibilité ainsi que sa dérivée des deux composés CuFeS2. CuFeSe2 et leurs propriétés mécaniques (constantes élastiques, module de Young, coefficient de poisson et de cisaillement), ainsi leurs propriétés électroniques telles que la structure de bandes et la densité d’états et la densité de charge en employant la méthode du premier principe FP-LMTO (Full Potential –Linearized Muffin Tin Orbitals). Directeur de thèse : HIADSI Said Etude des propriétés physiques des chalcopyrites CuFeXe(X=S et Se). [document électronique] / DJEBOUR Ben Ali, Auteur . - 2013 . - 112 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Option Propriétés optique et luminescentes des matériaux Mots-clés : chalcopyrites, DFT , Ab-initio , propriétés structurales, constantes élastiques ,FP-LMTO Résumé : Les composés ayant des structures ternaires de la famille de chalcopyrite de chalcogénure I-III -VI2 (I = Cu, Ag; III = Al, Ga, In, VI = S, Se, Te) forment un groupe étendu de matériaux semi-conducteurs avec des divers propriétés optiques et électriques. Les alliages ternaires avec cette composition sont bien connus par leurs applications potentielles dans l'industrie des dispositifs électronique et dans le domaine photovoltaïque. Du point de vue structural, ils se cristallisent avec une symétrie tétragonale dans le groupe d'espace I42d (N°122). Pour produire des matériaux chalcopyrites intéressants il faut ajouter un cation magnétique ceci offre un comportement à la fois magnétique et semi-conducteur pour cette gamme des matériaux. Ces matériaux on un grand intérêt industriel dans plusieurs domaine d’application tel que la technologie magnéto-électronique ("spintronique") des dispositifs. L’objectif de notre travail est de prédire les propriétés structurales telles que le paramètre de maille, module de compressibilité ainsi que sa dérivée des deux composés CuFeS2. CuFeSe2 et leurs propriétés mécaniques (constantes élastiques, module de Young, coefficient de poisson et de cisaillement), ainsi leurs propriétés électroniques telles que la structure de bandes et la densité d’états et la densité de charge en employant la méthode du premier principe FP-LMTO (Full Potential –Linearized Muffin Tin Orbitals). Directeur de thèse : HIADSI Said Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8625 02-05-701 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
02-05-701.pdfAdobe Acrobat PDFEtude des propriétés structurales, élastiques, électroniques, et optiques des matériaux CuS et CuTe par la méthode FP-LMTO / Boulegane Ala
![]()
PermalinkEtude des propriétés structurales, électroniques, optiques et élastiques des composées Cu X (X= O, Se) / BAGHDALI Imane
![]()
PermalinkEtude des propriétés structurales, électroniques et optiques des Oxydes du Zinc et d'Etain (ZnO et SnO2) / MAIZIA Ahmed
![]()
PermalinkSynthese et caracterisation des fillms de ZnO pur et dopepar le processus de sol-gel spin coating / ARRAR Amina
![]()
PermalinkSynthese et caracterisation des films minces a base d'oxyde de zinc par dip coating l'influence de la molarite du dopage sur les proprietes / TAB Abdelkader
![]()
Permalink
BUC USTOMB'Thèses



Service Thèse de la BUC met à votre disposition L'ensemble des thèses de doctorat et mémoires de magister soutenues à l'USTO MB
Adresse
BUC USTOMB'ThèsesBibliothèque centrale USTOMB
BP 1505 EL M'Naouer USTO ORAN
Algérie
(213)041627180
contact