Etude des Proprietes des Transistors Dmos Lateraux Hyperfrequence en Amplification / BOUREMLI Mohamed

Public ISBD Titre : Etude des Proprietes des Transistors Dmos Lateraux Hyperfrequence en Amplification Type de document : texte imprimé Auteurs : BOUREMLI Mohamed, Auteur Année de publication : 2001 Importance : 99 P. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : LDMOS  puissance  hyperfrèquence  modèlisation  PSPICE Résumé : ce mèmoire traite de la modèlisation du transistor LDMOS de puissance fonctionnant dans la bande PCS (1.8 GHz-2.2GHz). dans un premier temps, nous avons prèsentè les diffèrentes structures et les particularitès des transistors MOS de puissance (structures verticales et latèrales). dans un deuxième temps,nous avons prèsentè un modèle mathèmatique du transistor LDMOS à partir des mècanismes physique qui règissent son fonctionnent la mèthodologie est basèe sur l'intègration des èquations de courant et de conservation de son nous avons ainsi èlaborè un modèle globale du transistor hyperfrèquence de puissance compatible avec les simulateurs ouverts. Directeur de thèse : B BELMEKKI Etude des Proprietes des Transistors Dmos Lateraux Hyperfrequence en Amplification [texte imprimé] / BOUREMLI Mohamed, Auteur . - 2001 . - 99 P. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : LDMOS  puissance  hyperfrèquence  modèlisation  PSPICE Résumé : ce mèmoire traite de la modèlisation du transistor LDMOS de puissance fonctionnant dans la bande PCS (1.8 GHz-2.2GHz). dans un premier temps, nous avons prèsentè les diffèrentes structures et les particularitès des transistors MOS de puissance (structures verticales et latèrales). dans un deuxième temps,nous avons prèsentè un modèle mathèmatique du transistor LDMOS à partir des mècanismes physique qui règissent son fonctionnent la mèthodologie est basèe sur l'intègration des èquations de courant et de conservation de son nous avons ainsi èlaborè un modèle globale du transistor hyperfrèquence de puissance compatible avec les simulateurs ouverts. Directeur de thèse : B BELMEKKI

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2265	02-09-244	version papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt

Les Matèriaux à BIP : Calcul des Propriètès Optiques et Application dans le Filtrage et Le Confinement Optique dans les Lasers / DJELGHOUM Farida

Public ISBD Titre : Les Matèriaux à BIP : Calcul des Propriètès Optiques et Application dans le Filtrage et Le Confinement Optique dans les Lasers Type de document : texte imprimé Auteurs : DJELGHOUM Farida, Auteur Année de publication : 2002 Importance : 118 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : les mèthodes de calcul  matèriau BIP unidimensionnel unifotme  semi-conducteurs  avec dèfaut  optiques et application Les Matèriaux à BIP : Calcul des Propriètès Optiques et Application dans le Filtrage et Le Confinement Optique dans les Lasers [texte imprimé] / DJELGHOUM Farida, Auteur . - 2002 . - 118 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : les mèthodes de calcul  matèriau BIP unidimensionnel unifotme  semi-conducteurs  avec dèfaut  optiques et application

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2269	02-09-248	version papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt

Modélisation du laser à semiconducteur à puits quantique à base de Nitrures. / DELLA KRACHAI née MELOUK Kheira 

Public ISBD Titre : Modélisation du laser à semiconducteur à puits quantique à base de Nitrures. Type de document : document électronique Auteurs : DELLA KRACHAI née MELOUK Kheira, Auteur ; N. BOUGHANMI, Directeur de thèse Année de publication : 2010 Importance : 91 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : Modélisation  semi-conducteur  puits quantique  fibre optique. Résumé : Aujourd’hui, les diodes laser issues de la technologie des matériaux semiconducteurs sont des composants arrivés à maturité dans de nombreux domaines, dont les plus importants sont les télécommunications par fibre optique ou les systèmes de lecture optique (lecteur de code barre, lecteur de CD, de DVD…). Elles sont élaborées à partir de multicouches d’alliages combinant les éléments de la colonne III (Ga, Al, In) et ceux de la colonne V (As, P, Sb, N) de la table de classification périodique. La croissance orientée de ces couches (l’épitaxie) se réalise par la méthode d’épitaxie en phase vapeur par craquage d’organométalliques (MOVPE), ou par la technique d’épitaxie par jets moléculaires (EJM). Ces techniques sophistiquées permettent la fabrication d’hétérostructures : des multicouches de semiconducteurs dont les épaisseurs individuelles sont contrôlées à la monocouche atomique près. L’épitaxie de ces hétérostructures se réalise sur un substrat monocristallin, généralement constitué par un composé III-V, qui détermine une « filière » technologique. Les filières les plus « établies » sont la filière GaAs (arséniure de gallium) pour les applications dans le visible, et la filière InP (phosphure d’indium) pour les télécommunications à 1,3 et 1,55 μm. Deux filières III-V plus marginales, la filière GaN (nitrure de gallium), et la filière GaSb (antimoniure de gallium) ont permis de réaliser des diodes laser ou diodes électroluminescentes émettant respectivement dans le visible bleu, et dans la gamme spectrale 2-3 μm. De nombreuses voies d’élaboration de cristaux de GaN ont été explorées depuis une dizaine d’années du fait de l’intérêt, pour le développement de ce matériau en micro et optoélectronique, de posséder des substrats monocristallins. La réalisation de tels dispositifs nécessite un confinement des porteurs dans une hétérostructure. Ce confinement peut être obtenu dans un puits de GaN entre deux barrières de AlGaN ou d’InGAN. Aujourd’hui la région active des diodes laser est généralement constituée de puits quantiques : des couches de matériaux suffisamment fines (quelques nanomètres) pour que des effets quantiques apparaissent et confinent les porteurs libres du semiconducteur sur des niveaux d’énergie discrets. Les puits quantiques présentent l’avantage fondamental de permettre le contrôle des caractéristiques d’émission, gain optique, rendement, courant de seuil, énergie des photons. En particulier la longueur d’onde d’émission peut être ajustée dans une certaine gamme par simple réglage de l’épaisseur des puits. Cette configuration permet de limiter au maximum les mécanismes de relaxation Auger. En effet, par ingénierie de la structure de bandes des matériaux, on peut optimiser la structure quantique, position des niveauxd’énergie, densité d’état associée,afin que les processus parasites de relaxation par effet Auger soit les moins nombreux possibles. Directeur de thèse : N. BOUGHANMI Modélisation du laser à semiconducteur à puits quantique à base de Nitrures. [document électronique] / DELLA KRACHAI née MELOUK Kheira, Auteur ; N. BOUGHANMI, Directeur de thèse . - 2010 . - 91 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : Modélisation  semi-conducteur  puits quantique  fibre optique. Résumé : Aujourd’hui, les diodes laser issues de la technologie des matériaux semiconducteurs sont des composants arrivés à maturité dans de nombreux domaines, dont les plus importants sont les télécommunications par fibre optique ou les systèmes de lecture optique (lecteur de code barre, lecteur de CD, de DVD…). Elles sont élaborées à partir de multicouches d’alliages combinant les éléments de la colonne III (Ga, Al, In) et ceux de la colonne V (As, P, Sb, N) de la table de classification périodique. La croissance orientée de ces couches (l’épitaxie) se réalise par la méthode d’épitaxie en phase vapeur par craquage d’organométalliques (MOVPE), ou par la technique d’épitaxie par jets moléculaires (EJM). Ces techniques sophistiquées permettent la fabrication d’hétérostructures : des multicouches de semiconducteurs dont les épaisseurs individuelles sont contrôlées à la monocouche atomique près. L’épitaxie de ces hétérostructures se réalise sur un substrat monocristallin, généralement constitué par un composé III-V, qui détermine une « filière » technologique. Les filières les plus « établies » sont la filière GaAs (arséniure de gallium) pour les applications dans le visible, et la filière InP (phosphure d’indium) pour les télécommunications à 1,3 et 1,55 μm. Deux filières III-V plus marginales, la filière GaN (nitrure de gallium), et la filière GaSb (antimoniure de gallium) ont permis de réaliser des diodes laser ou diodes électroluminescentes émettant respectivement dans le visible bleu, et dans la gamme spectrale 2-3 μm. De nombreuses voies d’élaboration de cristaux de GaN ont été explorées depuis une dizaine d’années du fait de l’intérêt, pour le développement de ce matériau en micro et optoélectronique, de posséder des substrats monocristallins. La réalisation de tels dispositifs nécessite un confinement des porteurs dans une hétérostructure. Ce confinement peut être obtenu dans un puits de GaN entre deux barrières de AlGaN ou d’InGAN. Aujourd’hui la région active des diodes laser est généralement constituée de puits quantiques : des couches de matériaux suffisamment fines (quelques nanomètres) pour que des effets quantiques apparaissent et confinent les porteurs libres du semiconducteur sur des niveaux d’énergie discrets. Les puits quantiques présentent l’avantage fondamental de permettre le contrôle des caractéristiques d’émission, gain optique, rendement, courant de seuil, énergie des photons. En particulier la longueur d’onde d’émission peut être ajustée dans une certaine gamme par simple réglage de l’épaisseur des puits. Cette configuration permet de limiter au maximum les mécanismes de relaxation Auger. En effet, par ingénierie de la structure de bandes des matériaux, on peut optimiser la structure quantique, position des niveauxd’énergie, densité d’état associée,afin que les processus parasites de relaxation par effet Auger soit les moins nombreux possibles. Directeur de thèse : N. BOUGHANMI

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2378	02-09-356	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

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Modélisation TLM de la diffusion thermique dans les composants Semi -conducteurs grand à gap / FERADJI Ahmed 

Public ISBD Titre : Modélisation TLM de la diffusion thermique dans les composants Semi -conducteurs grand à gap Type de document : document électronique Auteurs : FERADJI Ahmed, Auteur Année de publication : 2016-2017 Importance : 136 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : Semi-conducteurs grand gap  SiC  MESFET  TLM  Auto-échauffement Wide band gap semiconductors  SiC  MESFET  TLM  Self-heating Résumé : Le développement spectaculaire notamment des communications mobiles au cours des dernières années a conduit à une recherche de technologies robustes et fiables, à des coûts relativement raisonnables dans le domaine de l’électronique. Les études développées dans le cadre de nouveaux marchés sont à l’origine d’une évolution importante de tous les secteurs d’activités de l’électronique. Cette évolution est essentiellement dirigée vers le choix de nouvelles technologies autorisant en particulier des densités de puissance importantes et l’optimisation des composants actifs, intégrés dans de nombreux systèmes. C’est dans cette optique, que depuis de nombreuses années, l’industrie des technologies hyperfréquences travaille sur le transistor MESFET ( Metal Semi-Conducteur Field Effect Transistor). Jusqu’à présent, les transistors MESFETs étaient réalisés sur Arséniure de Gallium(AsGa). Mais ce dernier et d’autres matériaux comme le Silicium sont utilisés beaucoup trop près de leurs limites physiques ultimes, en particulier au niveau des densités de puissance fournies. Les semi-conducteurs à large bande interdite ont alors suscité un intérêt important. Leurs propriétés physiques et électriques, que leur confère leur largeur de bande interdite, sont très intéressantes pour un grand nombre d’applications de fortes puissances et à très hautes températures. Cependant, l ‘architecture des transistors de puissance fait qu’il existe au sein de ces structures des zones de fortes densités de puissances où une grande quantité de chaleur est dissipée. Les températures mises en jeu peuvent être élevées selon le type de signaux appliqués. Cela peut détériorer les performances électriques du composant et accélérer son vieillissement. Dans cette thèse nous présentons un modèle numérique basé sur la méthode TLM (Transmission Line Matrix) qui permet de calculer la température due à l’auto-échauffement en tout point d’un transistor 4H-SiC MESFET multi-doigts. Nous proposons par la suite un certain nombre de paramètres qui permettent de minimiser cet auto-échauffement dans un tel composant comme la distance séparant les doigts, la largeur optimale du substrat et le pourcentage de surface du composant qui doit être en contact avec le dissipateur de chaleur The spectacular development of mobile communications in recent years has led to a search for robust and reliable technologies at relatively reasonable costs in the field of electronics. Studies developed in the context of new markets have led to significant changes in all sectors of electronics. This evolution is mainly directed towards the choice of new technologies allowing in particular high power densities and the optimization of active components, integrated in many systems. In this perspective, the microwave technology industry has been working for many years on the MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) transistor. The MESFETs were made on Gallium Arsenide (AsGa). However, the GaAs and other materials such as silicon are used far too close to their ultimate physical limits, in particular in terms of the power densities provided. Wide-band gap semiconductors have attracted considerable interest. Their physical and electrical properties are very attractive for a large number of high power and very high temperature applications. However, the architecture of the power transistors means that there exist within these structures areas of high power densities where a large quantity of heat is dissipated. The temperatures involved can be high depending on the type of signals applied. This can deteriorate the electrical performance of the component and accelerate its aging. In this thesis we present a numerical model based on the TLM (Transmission Line Matrix) method which allows calculating the temperature due to the self-heating at any point of a multi-finger 4H-SiC MESFET transistor. After, we propose a certain number of parameters which allow minimizing this self-heating in such a component as the distance separating the fingers, the optimum width of the substrate and the percentage of surface of the component which must be in contact with the heat sink. Directeur de thèse : SAIDANE Abdelkader Modélisation TLM de la diffusion thermique dans les composants Semi -conducteurs grand à gap [document électronique] / FERADJI Ahmed, Auteur . - 2016-2017 . - 136 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : Semi-conducteurs grand gap  SiC  MESFET  TLM  Auto-échauffement Wide band gap semiconductors  SiC  MESFET  TLM  Self-heating Résumé : Le développement spectaculaire notamment des communications mobiles au cours des dernières années a conduit à une recherche de technologies robustes et fiables, à des coûts relativement raisonnables dans le domaine de l’électronique. Les études développées dans le cadre de nouveaux marchés sont à l’origine d’une évolution importante de tous les secteurs d’activités de l’électronique. Cette évolution est essentiellement dirigée vers le choix de nouvelles technologies autorisant en particulier des densités de puissance importantes et l’optimisation des composants actifs, intégrés dans de nombreux systèmes. C’est dans cette optique, que depuis de nombreuses années, l’industrie des technologies hyperfréquences travaille sur le transistor MESFET ( Metal Semi-Conducteur Field Effect Transistor). Jusqu’à présent, les transistors MESFETs étaient réalisés sur Arséniure de Gallium(AsGa). Mais ce dernier et d’autres matériaux comme le Silicium sont utilisés beaucoup trop près de leurs limites physiques ultimes, en particulier au niveau des densités de puissance fournies. Les semi-conducteurs à large bande interdite ont alors suscité un intérêt important. Leurs propriétés physiques et électriques, que leur confère leur largeur de bande interdite, sont très intéressantes pour un grand nombre d’applications de fortes puissances et à très hautes températures. Cependant, l ‘architecture des transistors de puissance fait qu’il existe au sein de ces structures des zones de fortes densités de puissances où une grande quantité de chaleur est dissipée. Les températures mises en jeu peuvent être élevées selon le type de signaux appliqués. Cela peut détériorer les performances électriques du composant et accélérer son vieillissement. Dans cette thèse nous présentons un modèle numérique basé sur la méthode TLM (Transmission Line Matrix) qui permet de calculer la température due à l’auto-échauffement en tout point d’un transistor 4H-SiC MESFET multi-doigts. Nous proposons par la suite un certain nombre de paramètres qui permettent de minimiser cet auto-échauffement dans un tel composant comme la distance séparant les doigts, la largeur optimale du substrat et le pourcentage de surface du composant qui doit être en contact avec le dissipateur de chaleur The spectacular development of mobile communications in recent years has led to a search for robust and reliable technologies at relatively reasonable costs in the field of electronics. Studies developed in the context of new markets have led to significant changes in all sectors of electronics. This evolution is mainly directed towards the choice of new technologies allowing in particular high power densities and the optimization of active components, integrated in many systems. In this perspective, the microwave technology industry has been working for many years on the MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) transistor. The MESFETs were made on Gallium Arsenide (AsGa). However, the GaAs and other materials such as silicon are used far too close to their ultimate physical limits, in particular in terms of the power densities provided. Wide-band gap semiconductors have attracted considerable interest. Their physical and electrical properties are very attractive for a large number of high power and very high temperature applications. However, the architecture of the power transistors means that there exist within these structures areas of high power densities where a large quantity of heat is dissipated. The temperatures involved can be high depending on the type of signals applied. This can deteriorate the electrical performance of the component and accelerate its aging. In this thesis we present a numerical model based on the TLM (Transmission Line Matrix) method which allows calculating the temperature due to the self-heating at any point of a multi-finger 4H-SiC MESFET transistor. After, we propose a certain number of parameters which allow minimizing this self-heating in such a component as the distance separating the fingers, the optimum width of the substrate and the percentage of surface of the component which must be in contact with the heat sink. Directeur de thèse : SAIDANE Abdelkader

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2567	02-09-543	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

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Optimisation des couches antireflets à gradient d'indice / KADDOURI Ameur Miloud 

Public ISBD Titre : Optimisation des couches antireflets à gradient d'indice Type de document : document électronique Auteurs : KADDOURI Ameur Miloud, Auteur ; BELAIDI Abdelkader, Directeur de thèse Année de publication : 2015-2016 Importance : 93 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : Couche antireflet  Oxynitrure de silicium  Gradient d’indice de réfraction  incidence  Si3N4  TiO2/SiO2. .. Résumé : Les matériaux utilises pour la conversion photovoltaïques possèdent des indices de réfraction élevés d’ou les pertes par réflexion sont élevées. Pour améliorer l’efficacité des cellules solaires, on utilise généralement des couches (revêtements) antireflets (RAR) qu’on dépose par différentes méthodes et selon des conceptions variées. Le but initialement fixé pour ce travail était la réalisation d’un modèle théorique simulant les RAR à gradient d’indice et permettant d’optimiser leurs performances avant de passer à l’étape de réalisation . Le modèle mis au point est basé sur la théorie des milieux stratifiés. Il permet de calculer le facteur de réflexion pour différents systèmes multicouches diélectriques, spécialement dans notre cas les revêtements anti-réfléchissants (RAR) à gradient d’indice a base d’oxynitrure de silicium. Ce modèle permet aussi l’étude du comportement de ces RAR à incidence oblique , ce qui est généralement le cas en pratique . Les mesures du facteur de réflexion relevées sur les échantillons témoins réalisés au LEAME (département STMS) de l’Ecole Centrale de Lyon ont permis de valider notre modèle théorique. Nous avons procédé par la suite à étudier l’influence de chaque paramètre sensible des RAR à gradient d’indice ( notamment l’épaisseur, le gradient Δn, et le profil du gradient) pour pouvoir les optimiser. Nous avons étudié deux types de RAR à gradient : 1°) Les RAR mono-couche à gradient ont été comparés aux RAR mono-couche Si3N4 et SiO2 quart d’onde très utilisés. Les calculs réalisés à incidences normale et oblique ont abouti aux conclusions suivantes : • Les RAR à gradient d’indice sont moins sensibles à une éventuelle inhomogéneité de surface et/ou un écart sur l’épaisseur déposée. Des épaisseurs entre 100nm et 200nm donnent près de 45% de gain sur le photo-courant comparativement à une cellule sans RAR. • Les couches à gradient d’indice sont moins sensibles à la variation de l’angle d’incidence ce qui est généralement le cas pour les conditions de fonctionnement des cellules solaires en pratique. Cela implique un gain considérable en énergie si l’on intègre sur toute la journée. A 50° d’incidence on perd seulement 2.5% du photo-courant pour les RAR à gradient contre 10% pour les RAR classiques. • Les meilleurs résultats ont été obtenus pour le profil super-linéaire. En outre, plus le gradient réalisé est important plus les RAR sont performants, mais cela est limité par la maîtrise des techniques de réalisation de diélectriques transparents possédant des indices de réfraction élevés. 2°) Nous avons proposé aussi une nouvelle conception de RAR double couche à gradient d’indice qu’on a comparé au RAR double couche classique TiO2/SiO2 très performant. On peut faire les remarques suivantes : • On obtient un gain en photo-courant de près de 50% meilleurs que celui du RAR classique . Ce résultats est comparable aux meilleurs résultats publiés. Encore une fois on confirme que ce genre de RAR est peu sensible à l’épaisseur . • A incidence oblique, les RAR double couche à gradient se comportent mieux que le RAR classique . Pour une incidence à 50° on perd seulement 2% du photo-courant contre 4% pour le RAR TiO2/SiO2 classique. • Les meilleurs résultats ont été obtenus pour le profil sub-linéaire, contrairement aux RAR à gradient mono-couches . Directeur de thèse : BELAIDI Abdelkader Optimisation des couches antireflets à gradient d'indice [document électronique] / KADDOURI Ameur Miloud, Auteur ; BELAIDI Abdelkader, Directeur de thèse . - 2015-2016 . - 93 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : Couche antireflet  Oxynitrure de silicium  Gradient d’indice de réfraction  incidence  Si3N4  TiO2/SiO2. .. Résumé : Les matériaux utilises pour la conversion photovoltaïques possèdent des indices de réfraction élevés d’ou les pertes par réflexion sont élevées. Pour améliorer l’efficacité des cellules solaires, on utilise généralement des couches (revêtements) antireflets (RAR) qu’on dépose par différentes méthodes et selon des conceptions variées. Le but initialement fixé pour ce travail était la réalisation d’un modèle théorique simulant les RAR à gradient d’indice et permettant d’optimiser leurs performances avant de passer à l’étape de réalisation . Le modèle mis au point est basé sur la théorie des milieux stratifiés. Il permet de calculer le facteur de réflexion pour différents systèmes multicouches diélectriques, spécialement dans notre cas les revêtements anti-réfléchissants (RAR) à gradient d’indice a base d’oxynitrure de silicium. Ce modèle permet aussi l’étude du comportement de ces RAR à incidence oblique , ce qui est généralement le cas en pratique . Les mesures du facteur de réflexion relevées sur les échantillons témoins réalisés au LEAME (département STMS) de l’Ecole Centrale de Lyon ont permis de valider notre modèle théorique. Nous avons procédé par la suite à étudier l’influence de chaque paramètre sensible des RAR à gradient d’indice ( notamment l’épaisseur, le gradient Δn, et le profil du gradient) pour pouvoir les optimiser. Nous avons étudié deux types de RAR à gradient : 1°) Les RAR mono-couche à gradient ont été comparés aux RAR mono-couche Si3N4 et SiO2 quart d’onde très utilisés. Les calculs réalisés à incidences normale et oblique ont abouti aux conclusions suivantes : • Les RAR à gradient d’indice sont moins sensibles à une éventuelle inhomogéneité de surface et/ou un écart sur l’épaisseur déposée. Des épaisseurs entre 100nm et 200nm donnent près de 45% de gain sur le photo-courant comparativement à une cellule sans RAR. • Les couches à gradient d’indice sont moins sensibles à la variation de l’angle d’incidence ce qui est généralement le cas pour les conditions de fonctionnement des cellules solaires en pratique. Cela implique un gain considérable en énergie si l’on intègre sur toute la journée. A 50° d’incidence on perd seulement 2.5% du photo-courant pour les RAR à gradient contre 10% pour les RAR classiques. • Les meilleurs résultats ont été obtenus pour le profil super-linéaire. En outre, plus le gradient réalisé est important plus les RAR sont performants, mais cela est limité par la maîtrise des techniques de réalisation de diélectriques transparents possédant des indices de réfraction élevés. 2°) Nous avons proposé aussi une nouvelle conception de RAR double couche à gradient d’indice qu’on a comparé au RAR double couche classique TiO2/SiO2 très performant. On peut faire les remarques suivantes : • On obtient un gain en photo-courant de près de 50% meilleurs que celui du RAR classique . Ce résultats est comparable aux meilleurs résultats publiés. Encore une fois on confirme que ce genre de RAR est peu sensible à l’épaisseur . • A incidence oblique, les RAR double couche à gradient se comportent mieux que le RAR classique . Pour une incidence à 50° on perd seulement 2% du photo-courant contre 4% pour le RAR TiO2/SiO2 classique. • Les meilleurs résultats ont été obtenus pour le profil sub-linéaire, contrairement aux RAR à gradient mono-couches . Directeur de thèse : BELAIDI Abdelkader

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2542	02-09-519	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

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Utilisation de la Super-Rèsolution pour l'Amèlioration des Images: Application aux Images Satellitaires Alsat-1 / CHEREF Yamina

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