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Caractéristiques électriques des interfaces homojonction et hétérojonction à bases d’antimoniures / MECHRAOUI SAAD 

Public ISBD Titre : Caractéristiques électriques des interfaces homojonction et hétérojonction à bases d’antimoniures : Application à une cellule photovoltaïque GaSb(p)-GaSb(n) Type de document : document électronique Auteurs : MECHRAOUI SAAD, Auteur Année de publication : 2012 Importance : 79 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : homojonction , hétérojonction à bases d’antimoniures , les caractéristique électrique Résumé : Parmi les candidats à la réalisation de composants électroniques et optoélectroniques, opérant dans la gamme infrarouge du rayonnement solaire, les alliages à base d’antimoine se trouvent en excellente position. Ils présentent des énergies de bandes interdites qui leur permettent de couvrir une large gamme, du proche infrarouge à l’infrarouge lointain. Parmi ces matériaux, le GaSb peut être utilisé dans la fabrication de diodes lasers et cellules pour la conversion photovoltaïque. Notre travail a consisté en l’étude des systèmes à homojonction et hétérojonction, utilisant, comme couche contact le GaSb, fortement dopé P. L’objectif est de déterminer les propriétés électriques de ces interfaces et de conclure quant à la possibilité de les utiliser pour la fabrication d’un composant actif. Les trois systèmes étudiés dans ce mémoire sont : l’homojonction GaSb(p)/GaSb(n), l’hétérojonction GaSb(p)/GaAlAsSb(n) et l’hétérojonction GaSb(p)/InAsSb(n). Après avoir déterminé leurs caractéristiques électriques, telles que le champ électrique E, le potentiel électrique V et le diagramme des bandes d’énergies, à l’équilibre et dans chaque cas, nous avons étudié l’influence d’une polarisation extérieure, directe et inverse, sur ces mêmes propriétés d’interfaces. Cette étude nous a permis, par la suite, d’effectuer une modélisation du transport des charges dans la structure particulière GaSb(p)/GaSb(n). Les résultats de la modélisation sont, à la fin, confrontés aux résultats de mesures courant-tension, réalisées sur une cellule photovoltaïque (PV) réelle, à homojonction GaSb(p)/GaSb(n). Directeur de thèse : AIT KACI.Hocine Caractéristiques électriques des interfaces homojonction et hétérojonction à bases d’antimoniures : Application à une cellule photovoltaïque GaSb(p)-GaSb(n) [document électronique] / MECHRAOUI SAAD, Auteur . - 2012 . - 79 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique des Plasmas et Matériau Conducteurs et Leurs Applications Mots-clés : homojonction , hétérojonction à bases d’antimoniures , les caractéristique électrique Résumé : Parmi les candidats à la réalisation de composants électroniques et optoélectroniques, opérant dans la gamme infrarouge du rayonnement solaire, les alliages à base d’antimoine se trouvent en excellente position. Ils présentent des énergies de bandes interdites qui leur permettent de couvrir une large gamme, du proche infrarouge à l’infrarouge lointain. Parmi ces matériaux, le GaSb peut être utilisé dans la fabrication de diodes lasers et cellules pour la conversion photovoltaïque. Notre travail a consisté en l’étude des systèmes à homojonction et hétérojonction, utilisant, comme couche contact le GaSb, fortement dopé P. L’objectif est de déterminer les propriétés électriques de ces interfaces et de conclure quant à la possibilité de les utiliser pour la fabrication d’un composant actif. Les trois systèmes étudiés dans ce mémoire sont : l’homojonction GaSb(p)/GaSb(n), l’hétérojonction GaSb(p)/GaAlAsSb(n) et l’hétérojonction GaSb(p)/InAsSb(n). Après avoir déterminé leurs caractéristiques électriques, telles que le champ électrique E, le potentiel électrique V et le diagramme des bandes d’énergies, à l’équilibre et dans chaque cas, nous avons étudié l’influence d’une polarisation extérieure, directe et inverse, sur ces mêmes propriétés d’interfaces. Cette étude nous a permis, par la suite, d’effectuer une modélisation du transport des charges dans la structure particulière GaSb(p)/GaSb(n). Les résultats de la modélisation sont, à la fin, confrontés aux résultats de mesures courant-tension, réalisées sur une cellule photovoltaïque (PV) réelle, à homojonction GaSb(p)/GaSb(n). Directeur de thèse : AIT KACI.Hocine

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
8612	02-05-688	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt

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