Titre : | Etude Ab initio des chalcopyrites de types ABX2(X=S, Se, Te, O, Po) | Type de document : | document électronique | Auteurs : | BEKHEDDA Kheira, Auteur | Année de publication : | 2021-2022 | Accompagnement : | CD | Langues : | Français (fre) | Catégories : | Physique:Option Traitement de surface et sciences des matériaux
| Mots-clés : | Chalcopyrite, Cu2ZnSn(SxSe1_x)4, DFT, FP-LAPW, TB-mBj ,propriétés électroniques, propriétés optiques linéaires, photovoltaïque.
Chalcopyrite, Cu2ZnSn(SxSe1_ x)4, DFT, FP-LAPW, TB-mBj , electronic
properties, linear optical properties, photovoltaics. | Résumé : | Les chalcopyrites sont des matériaux prometteurs dans différentes applications à savoir : l’électronique, l’optoélectronique et la photonique et cela est due principalement à leurs potentielles et excellentes propriétés électroniques, optiques linéaires et non linéaires.
Le but de ce travail est d’étudier les propriétés structurales, électroniques et optiques des composés ternaires de type chalcopyrites de la famille I-III-V2 (CuAlX2 avec X = S, Se et Te).
Les caractéristiques fondamentales obtenues sont évaluées en utilisant la Théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), qui est basée sur la première technique majeure, avec la méthode des ondes planes améliorées linéaire à plein potentiel (FP-LAPW). L’approximation du potentiel a été utilisée pour déterminer les propriétés structurelles (PBE-GGA) et le potentiel Baker-Johnson modifié par Tran-Blaha (TB.mBj) pour déterminer la bande interdite, la densité de charge, la densité d’états (DOS) et les propriétés optiques.
Pour enrichir et compléter le contenu de notre thèse et afin de valoriser un travail supplémentaire que nous avons effectué et qui est en étroite relation avec notre travail de thèse, nous présenterons les différentes propriétés optoélectroniques de Cu2ZnSn(SxSe1_ x)4 ainsi que certains résultats que nous avons découverts à cet égard.
Le choix de ce matériau est principalement basé sur le fait que ce dernier a essentiellement le même comportement que nos matériaux considérés, sauf qu’il est plus complexe du fait qu’il soit quaternaire.
Chalcopyrites are promising materials in a variety of applications, including
electronics, optoelectronics, and photonics, owing primarily to their potential and excellent
electronic, linear and non-linear optical properties.
The aim of this work is to investigate the structural, electronic, and optical properties
of ternary chalcopyrite compounds from the I-III-V2 family (CuAlX2 with X = S, Se, and Te).
The obtained fundamental properties are evaluated using Density Functional Theory (DFT),
which is based on the first major technique, with Full Potential Linear Enhanced Plane Wave
(FP-LAPW). The potential approximation was used to determine structural properties (PBEGGA) and the potential Baker-Johnson modified by Tran-Blaha (TB.mBj) to determine the
band gap, charge density, density of states (DOS), and optical properties.
In order to enrich and complete the content of our thesis and to enhance an additional
work that we have done and that is closely related to our thesis work, we will present the
different optoelectronic properties of Cu2ZnSn(SxSe1_ x)4 as well as some results that we have
discovered in this respect.
The choice of this material is mainly based on the fact that it has essentially the same
behaviour as our considered materials, except that it is more complex due to the fact that it is
quaternary
| Directeur de thèse : | HIADSI Said |
Etude Ab initio des chalcopyrites de types ABX2(X=S, Se, Te, O, Po) [document électronique] / BEKHEDDA Kheira, Auteur . - 2021-2022 . - + CD. Langues : Français ( fre) Catégories : | Physique:Option Traitement de surface et sciences des matériaux
| Mots-clés : | Chalcopyrite, Cu2ZnSn(SxSe1_x)4, DFT, FP-LAPW, TB-mBj ,propriétés électroniques, propriétés optiques linéaires, photovoltaïque.
Chalcopyrite, Cu2ZnSn(SxSe1_ x)4, DFT, FP-LAPW, TB-mBj , electronic
properties, linear optical properties, photovoltaics. | Résumé : | Les chalcopyrites sont des matériaux prometteurs dans différentes applications à savoir : l’électronique, l’optoélectronique et la photonique et cela est due principalement à leurs potentielles et excellentes propriétés électroniques, optiques linéaires et non linéaires.
Le but de ce travail est d’étudier les propriétés structurales, électroniques et optiques des composés ternaires de type chalcopyrites de la famille I-III-V2 (CuAlX2 avec X = S, Se et Te).
Les caractéristiques fondamentales obtenues sont évaluées en utilisant la Théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), qui est basée sur la première technique majeure, avec la méthode des ondes planes améliorées linéaire à plein potentiel (FP-LAPW). L’approximation du potentiel a été utilisée pour déterminer les propriétés structurelles (PBE-GGA) et le potentiel Baker-Johnson modifié par Tran-Blaha (TB.mBj) pour déterminer la bande interdite, la densité de charge, la densité d’états (DOS) et les propriétés optiques.
Pour enrichir et compléter le contenu de notre thèse et afin de valoriser un travail supplémentaire que nous avons effectué et qui est en étroite relation avec notre travail de thèse, nous présenterons les différentes propriétés optoélectroniques de Cu2ZnSn(SxSe1_ x)4 ainsi que certains résultats que nous avons découverts à cet égard.
Le choix de ce matériau est principalement basé sur le fait que ce dernier a essentiellement le même comportement que nos matériaux considérés, sauf qu’il est plus complexe du fait qu’il soit quaternaire.
Chalcopyrites are promising materials in a variety of applications, including
electronics, optoelectronics, and photonics, owing primarily to their potential and excellent
electronic, linear and non-linear optical properties.
The aim of this work is to investigate the structural, electronic, and optical properties
of ternary chalcopyrite compounds from the I-III-V2 family (CuAlX2 with X = S, Se, and Te).
The obtained fundamental properties are evaluated using Density Functional Theory (DFT),
which is based on the first major technique, with Full Potential Linear Enhanced Plane Wave
(FP-LAPW). The potential approximation was used to determine structural properties (PBEGGA) and the potential Baker-Johnson modified by Tran-Blaha (TB.mBj) to determine the
band gap, charge density, density of states (DOS), and optical properties.
In order to enrich and complete the content of our thesis and to enhance an additional
work that we have done and that is closely related to our thesis work, we will present the
different optoelectronic properties of Cu2ZnSn(SxSe1_ x)4 as well as some results that we have
discovered in this respect.
The choice of this material is mainly based on the fact that it has essentially the same
behaviour as our considered materials, except that it is more complex due to the fact that it is
quaternary
| Directeur de thèse : | HIADSI Said |
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