Documents disponibles écrits par cet auteur

Modélisation du laser à semiconducteur à puits quantique à base de Nitrures. / DELLA KRACHAI née MELOUK Kheira 

Public ISBD Titre : Modélisation du laser à semiconducteur à puits quantique à base de Nitrures. Type de document : document électronique Auteurs : DELLA KRACHAI née MELOUK Kheira, Auteur ; N. BOUGHANMI, Directeur de thèse Année de publication : 2010 Importance : 91 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : Modélisation  semi-conducteur  puits quantique  fibre optique. Résumé : Aujourd’hui, les diodes laser issues de la technologie des matériaux semiconducteurs sont des composants arrivés à maturité dans de nombreux domaines, dont les plus importants sont les télécommunications par fibre optique ou les systèmes de lecture optique (lecteur de code barre, lecteur de CD, de DVD…). Elles sont élaborées à partir de multicouches d’alliages combinant les éléments de la colonne III (Ga, Al, In) et ceux de la colonne V (As, P, Sb, N) de la table de classification périodique. La croissance orientée de ces couches (l’épitaxie) se réalise par la méthode d’épitaxie en phase vapeur par craquage d’organométalliques (MOVPE), ou par la technique d’épitaxie par jets moléculaires (EJM). Ces techniques sophistiquées permettent la fabrication d’hétérostructures : des multicouches de semiconducteurs dont les épaisseurs individuelles sont contrôlées à la monocouche atomique près. L’épitaxie de ces hétérostructures se réalise sur un substrat monocristallin, généralement constitué par un composé III-V, qui détermine une « filière » technologique. Les filières les plus « établies » sont la filière GaAs (arséniure de gallium) pour les applications dans le visible, et la filière InP (phosphure d’indium) pour les télécommunications à 1,3 et 1,55 μm. Deux filières III-V plus marginales, la filière GaN (nitrure de gallium), et la filière GaSb (antimoniure de gallium) ont permis de réaliser des diodes laser ou diodes électroluminescentes émettant respectivement dans le visible bleu, et dans la gamme spectrale 2-3 μm. De nombreuses voies d’élaboration de cristaux de GaN ont été explorées depuis une dizaine d’années du fait de l’intérêt, pour le développement de ce matériau en micro et optoélectronique, de posséder des substrats monocristallins. La réalisation de tels dispositifs nécessite un confinement des porteurs dans une hétérostructure. Ce confinement peut être obtenu dans un puits de GaN entre deux barrières de AlGaN ou d’InGAN. Aujourd’hui la région active des diodes laser est généralement constituée de puits quantiques : des couches de matériaux suffisamment fines (quelques nanomètres) pour que des effets quantiques apparaissent et confinent les porteurs libres du semiconducteur sur des niveaux d’énergie discrets. Les puits quantiques présentent l’avantage fondamental de permettre le contrôle des caractéristiques d’émission, gain optique, rendement, courant de seuil, énergie des photons. En particulier la longueur d’onde d’émission peut être ajustée dans une certaine gamme par simple réglage de l’épaisseur des puits. Cette configuration permet de limiter au maximum les mécanismes de relaxation Auger. En effet, par ingénierie de la structure de bandes des matériaux, on peut optimiser la structure quantique, position des niveauxd’énergie, densité d’état associée,afin que les processus parasites de relaxation par effet Auger soit les moins nombreux possibles. Directeur de thèse : N. BOUGHANMI Modélisation du laser à semiconducteur à puits quantique à base de Nitrures. [document électronique] / DELLA KRACHAI née MELOUK Kheira, Auteur ; N. BOUGHANMI, Directeur de thèse . - 2010 . - 91 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Semiconducteur Mots-clés : Modélisation  semi-conducteur  puits quantique  fibre optique. Résumé : Aujourd’hui, les diodes laser issues de la technologie des matériaux semiconducteurs sont des composants arrivés à maturité dans de nombreux domaines, dont les plus importants sont les télécommunications par fibre optique ou les systèmes de lecture optique (lecteur de code barre, lecteur de CD, de DVD…). Elles sont élaborées à partir de multicouches d’alliages combinant les éléments de la colonne III (Ga, Al, In) et ceux de la colonne V (As, P, Sb, N) de la table de classification périodique. La croissance orientée de ces couches (l’épitaxie) se réalise par la méthode d’épitaxie en phase vapeur par craquage d’organométalliques (MOVPE), ou par la technique d’épitaxie par jets moléculaires (EJM). Ces techniques sophistiquées permettent la fabrication d’hétérostructures : des multicouches de semiconducteurs dont les épaisseurs individuelles sont contrôlées à la monocouche atomique près. L’épitaxie de ces hétérostructures se réalise sur un substrat monocristallin, généralement constitué par un composé III-V, qui détermine une « filière » technologique. Les filières les plus « établies » sont la filière GaAs (arséniure de gallium) pour les applications dans le visible, et la filière InP (phosphure d’indium) pour les télécommunications à 1,3 et 1,55 μm. Deux filières III-V plus marginales, la filière GaN (nitrure de gallium), et la filière GaSb (antimoniure de gallium) ont permis de réaliser des diodes laser ou diodes électroluminescentes émettant respectivement dans le visible bleu, et dans la gamme spectrale 2-3 μm. De nombreuses voies d’élaboration de cristaux de GaN ont été explorées depuis une dizaine d’années du fait de l’intérêt, pour le développement de ce matériau en micro et optoélectronique, de posséder des substrats monocristallins. La réalisation de tels dispositifs nécessite un confinement des porteurs dans une hétérostructure. Ce confinement peut être obtenu dans un puits de GaN entre deux barrières de AlGaN ou d’InGAN. Aujourd’hui la région active des diodes laser est généralement constituée de puits quantiques : des couches de matériaux suffisamment fines (quelques nanomètres) pour que des effets quantiques apparaissent et confinent les porteurs libres du semiconducteur sur des niveaux d’énergie discrets. Les puits quantiques présentent l’avantage fondamental de permettre le contrôle des caractéristiques d’émission, gain optique, rendement, courant de seuil, énergie des photons. En particulier la longueur d’onde d’émission peut être ajustée dans une certaine gamme par simple réglage de l’épaisseur des puits. Cette configuration permet de limiter au maximum les mécanismes de relaxation Auger. En effet, par ingénierie de la structure de bandes des matériaux, on peut optimiser la structure quantique, position des niveauxd’énergie, densité d’état associée,afin que les processus parasites de relaxation par effet Auger soit les moins nombreux possibles. Directeur de thèse : N. BOUGHANMI

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
2378	02-09-356	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

Documents numériques

02-09-356.pdf Adobe Acrobat PDF