Etude de l'oxyde de silicium implanté par des gaz rares: application a la technologie Low-K / NAAS Abdelkrim 

Public ISBD Titre : Etude de l'oxyde de silicium implanté par des gaz rares: application a la technologie Low-K Type de document : document électronique Auteurs : NAAS Abdelkrim, Auteur Année de publication : 2011 Importance : 127 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Matériaux Semi Conducteur Mots-clés : LOW K  SiO2: Kr  Xe  implantation ionique  porositè  fonction dièlectrique Résumé : ce travail de thèse consiste en une ètude approfondie du comportement de l'oxyde de silicium implantè kr ou xe pour son application comme matèriau à faible constante dièlectrique deux volets sont examinèe une ètude stucturale par l'utilisation de plusieurs techniques (RBS,PL,MET et PAS ) et une ètude de la variation de la constants dièlectrique par utilisation de la spectroscopie IR avec le dèveloppement d'un modèle de la fonction dièlectrique et des mesurs c(v). pour la caractèrisation structurale, les principaux rèsultats confiment pour le cas du Kr, une distribution homogène de ce dernier jusqu'à 400°c pour le cas du Xe, le profil de distribution en profondeur de Xe est quasi-gaussien le Xe reste stable dans le SiO2 jusqu'a 900°C et dèsorbe à 1100°C et les bulles se transforment en cavitès les bulles sont formèes au niveau du pic des lacunes (Rp(lacunes)) alors qu'en l'absence des bulles, le Xe se localise à la profondeur de fin de parcours du Xe ( Rpxe) calculèe par SRIM ON note aussi la prèsence de dèfauts chargès nègativement et des dèfauts paramagnètiques E' ces dèfauts nègatifs disparaissent après un recuit à 750°c la forme des bulles, pour les deux cas Xe et Kr, est influencèe par la position de l'interface SIO2/Si; sans doute à cause de la diffèrence des modules d'young des deux matrices. L'IR et les mesures C(v) ont permis de montrer que l'implantation des deux gaz fait diminuer la valeur de la constante dièlectrique jusqu'à 2.8 pour le cas Kr et entre 1,8 et 2.4 pour le cas Xe la cohèrence des rèsultats obtenus par les deux techniques montrent bien que ces deux gaz rares peuvent ètre utilisès pour la rèalisation de SiO2 de faible constante dièlectrique avec un impact plus important quand le Xe est utilisè. cette ètude a permis aussi de montrer la contribution de la polarisabilitè et de la porositè sur la rèduction de la valeur de la constante dièlectrique du SiO2 iplantè Directeur de thèse : BELAIDI A. Etude de l'oxyde de silicium implanté par des gaz rares: application a la technologie Low-K [document électronique] / NAAS Abdelkrim, Auteur . - 2011 . - 127 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Matériaux Semi Conducteur Mots-clés : LOW K  SiO2: Kr  Xe  implantation ionique  porositè  fonction dièlectrique Résumé : ce travail de thèse consiste en une ètude approfondie du comportement de l'oxyde de silicium implantè kr ou xe pour son application comme matèriau à faible constante dièlectrique deux volets sont examinèe une ètude stucturale par l'utilisation de plusieurs techniques (RBS,PL,MET et PAS ) et une ètude de la variation de la constants dièlectrique par utilisation de la spectroscopie IR avec le dèveloppement d'un modèle de la fonction dièlectrique et des mesurs c(v). pour la caractèrisation structurale, les principaux rèsultats confiment pour le cas du Kr, une distribution homogène de ce dernier jusqu'à 400°c pour le cas du Xe, le profil de distribution en profondeur de Xe est quasi-gaussien le Xe reste stable dans le SiO2 jusqu'a 900°C et dèsorbe à 1100°C et les bulles se transforment en cavitès les bulles sont formèes au niveau du pic des lacunes (Rp(lacunes)) alors qu'en l'absence des bulles, le Xe se localise à la profondeur de fin de parcours du Xe ( Rpxe) calculèe par SRIM ON note aussi la prèsence de dèfauts chargès nègativement et des dèfauts paramagnètiques E' ces dèfauts nègatifs disparaissent après un recuit à 750°c la forme des bulles, pour les deux cas Xe et Kr, est influencèe par la position de l'interface SIO2/Si; sans doute à cause de la diffèrence des modules d'young des deux matrices. L'IR et les mesures C(v) ont permis de montrer que l'implantation des deux gaz fait diminuer la valeur de la constante dièlectrique jusqu'à 2.8 pour le cas Kr et entre 1,8 et 2.4 pour le cas Xe la cohèrence des rèsultats obtenus par les deux techniques montrent bien que ces deux gaz rares peuvent ètre utilisès pour la rèalisation de SiO2 de faible constante dièlectrique avec un impact plus important quand le Xe est utilisè. cette ètude a permis aussi de montrer la contribution de la polarisabilitè et de la porositè sur la rèduction de la valeur de la constante dièlectrique du SiO2 iplantè Directeur de thèse : BELAIDI A.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
2403	02-09-381	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

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