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Auteur BOUDGHENE STAMBOULI Amine
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Analyse prospective de la production de l’énergie électrique en Algérie. / BEKKAR-DJELLOUL-SAIAH Saïah
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Titre : Analyse prospective de la production de l’énergie électrique en Algérie. Type de document : texte imprimé Auteurs : BEKKAR-DJELLOUL-SAIAH Saïah, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse Année de publication : 2016 / 2017 Importance : 137 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electrotechnique:Production d'Energie Electrique à partir de sources Renouvelables Mots-clés : Abaissement des prix du pétrole Production d'énergie électrique Analyse prospective Energie renouvelable. Résumé : Les questions relatives à l’abaissement des prix du pétrole et à l’après pétrole sont de plus en plus souvent soulevées pour l’ensemble des pays producteurs du pétrole et notamment les pays de l’OPEP dont l'Algérie est membre. Depuis février 2011, le programme national des énergies renouvelables (ER) a été lancé par le chef de l’état faisant des énergies renouvelables une source importante pour la production de l’énergie électrique, notion fondamentale pour un développement durable. Une analyse prospective sera utilisée pour conforter la prise de décision pour un tel processus. Cette thèse aborde la problématique qui explique les scénarios énergétiques actuels et futurs en Algérie dans le but d'étudier les opportunités et les possibilités d'accroître la présence de ressources renouvelables dans le mix énergétique algérien. Cette prospective est particulièrement adaptée au traitement des problèmes technologiques liés à l’énergie sur le long terme en Algérie à partir d'une représentation explicite des caractéristiques économiques (représentée par les indicateurs: PIB, population et chômage) et énergétique (exprimée par l'ensemble de la production énergétique, Consommation finale) pendant la période 1962-2012. L'approche développée peut enrichir la discussion sur les conséquences possibles de l'énergie à terme dans le pays. Nous sommes concentrés sur les secteurs de la consommation d’énergie (industrie, transport et ménage) et sur les stratégies visant à accroître la contribution des ER dans l'approvisionnement énergétique afin de répondre efficacement aux attentes nationales dans le cadre de leurs objectifs énergétiques et économiques. Il convient de noter que la présente étude propose trois scénarios énergétiques en Algérie à long terme. Nous suggérons que le scénario «Tendanciel non efficacité énergétique (EE)» pourrait être une référence dans les 10 prochaines années. En outre, les scénarios «Tendance de l'EE» et «Volontarisme de l'EE» sont considérés comme des scénarios de transition dans le cas où l'Algérie souhaiterait améliorer son système énergétique à l'horizon de 2062, année prise comme référence au jubilé de 100 ans d'indépendance. Directeur de thèse : ALLALI Ahmed Analyse prospective de la production de l’énergie électrique en Algérie. [texte imprimé] / BEKKAR-DJELLOUL-SAIAH Saïah, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse . - 2016 / 2017 . - 137 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electrotechnique:Production d'Energie Electrique à partir de sources Renouvelables Mots-clés : Abaissement des prix du pétrole Production d'énergie électrique Analyse prospective Energie renouvelable. Résumé : Les questions relatives à l’abaissement des prix du pétrole et à l’après pétrole sont de plus en plus souvent soulevées pour l’ensemble des pays producteurs du pétrole et notamment les pays de l’OPEP dont l'Algérie est membre. Depuis février 2011, le programme national des énergies renouvelables (ER) a été lancé par le chef de l’état faisant des énergies renouvelables une source importante pour la production de l’énergie électrique, notion fondamentale pour un développement durable. Une analyse prospective sera utilisée pour conforter la prise de décision pour un tel processus. Cette thèse aborde la problématique qui explique les scénarios énergétiques actuels et futurs en Algérie dans le but d'étudier les opportunités et les possibilités d'accroître la présence de ressources renouvelables dans le mix énergétique algérien. Cette prospective est particulièrement adaptée au traitement des problèmes technologiques liés à l’énergie sur le long terme en Algérie à partir d'une représentation explicite des caractéristiques économiques (représentée par les indicateurs: PIB, population et chômage) et énergétique (exprimée par l'ensemble de la production énergétique, Consommation finale) pendant la période 1962-2012. L'approche développée peut enrichir la discussion sur les conséquences possibles de l'énergie à terme dans le pays. Nous sommes concentrés sur les secteurs de la consommation d’énergie (industrie, transport et ménage) et sur les stratégies visant à accroître la contribution des ER dans l'approvisionnement énergétique afin de répondre efficacement aux attentes nationales dans le cadre de leurs objectifs énergétiques et économiques. Il convient de noter que la présente étude propose trois scénarios énergétiques en Algérie à long terme. Nous suggérons que le scénario «Tendanciel non efficacité énergétique (EE)» pourrait être une référence dans les 10 prochaines années. En outre, les scénarios «Tendance de l'EE» et «Volontarisme de l'EE» sont considérés comme des scénarios de transition dans le cas où l'Algérie souhaiterait améliorer son système énergétique à l'horizon de 2062, année prise comme référence au jubilé de 100 ans d'indépendance. Directeur de thèse : ALLALI Ahmed Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 3661 02-10-477 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Thèse de Doctorat Exclu du prêt Documents numériques
Analyse prospective de la production de l’énergie électrique en Algérie.Adobe Acrobat PDF
Titre : Contribution à l'étude d'un générateur solaire pour site autonome. Type de document : document électronique Auteurs : BELARBI Mustapha, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse Année de publication : 10.09.2015 Importance : 202 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique Mots-clés : Energie solaire Photovoltaïque Modélisation Identification des paramètres Batterie acide-au-plomb régénération Résumé : Les travaux de recherches présentés durant cette thèse ont pour objectif l’amélioration du fonctionnement des générateurs solaires photovoltaïques utilisés dans des sites autonomes. Ils comportent deux volets, l’un concerne l’amélioration du fonctionnement des panneaux solaires et l’autre concerne la maintenance des batteries de stockage d’énergie électrochimique.
En premier lieu, une nouvelle approche d’estimation des paramètres, du modèle en une seule exponentielle (modèle à quatre paramètres) d’un panneau photovoltaïque en fonction de l’ensoleillement et de la température, a été développée. Cette dernière est basée sur la connaissance de trois points de fonctionnement (en court-circuit, en circuit ouvert, et à puissance maximale). Une maximisation de la puissance des panneaux pourra être réalisée en utilisant le modèle identifié.
En second lieu, quelques méthodes de suivi de la puissance maximale ont été présentées. A la suite de la limite de fonctionnement rencontrée avec les charges purement résistives de faible résistance, un nouvel algorithme a été proposé tout en jouant sur la reconfiguration du générateur solaire pour résoudre ces limites de fonctionnement. En fonction des besoins, on change d’une manière automatique le nombre de panneaux mis en série et en parallèle.
Par la suite, des recherches concernent la réalisation pratique d’un système permettant la supervision des batteries acide-au-plomb ont eu lieu. Ceci avait pour objectif l’amélioration du système de stockage de l’énergie solaire photovoltaïque convertie en énergie électrochimique.
Dans un premier temps, une carte électronique permettant le contrôle de l’état de charge de la batterie a été réalisée. Cette carte est pilotée par un PC en utilisant le logiciel LabVIEW. Ce dernier permet la visualisation et l’enregistrement des différents profils de charge et de décharge pour mieux analyser le comportement du système.
Par la suite, une mise à jour de la carte électronique a eu lieu pour remédier au problème de la sulfatation des batteries acide-au-plomb. Ensuite, un diagnostic plus poussé a été fait tout en ouvrant la batterie. Vu l’existence de défauts de nature différente, la désulfatation des batteries acide-au-plomb n’est pas aussi simple.
Directeur de thèse : BOUDGHENE STAMBOULI Amine Contribution à l'étude d'un générateur solaire pour site autonome. [document électronique] / BELARBI Mustapha, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse . - 10.09.2015 . - 202 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique Mots-clés : Energie solaire Photovoltaïque Modélisation Identification des paramètres Batterie acide-au-plomb régénération Résumé : Les travaux de recherches présentés durant cette thèse ont pour objectif l’amélioration du fonctionnement des générateurs solaires photovoltaïques utilisés dans des sites autonomes. Ils comportent deux volets, l’un concerne l’amélioration du fonctionnement des panneaux solaires et l’autre concerne la maintenance des batteries de stockage d’énergie électrochimique.
En premier lieu, une nouvelle approche d’estimation des paramètres, du modèle en une seule exponentielle (modèle à quatre paramètres) d’un panneau photovoltaïque en fonction de l’ensoleillement et de la température, a été développée. Cette dernière est basée sur la connaissance de trois points de fonctionnement (en court-circuit, en circuit ouvert, et à puissance maximale). Une maximisation de la puissance des panneaux pourra être réalisée en utilisant le modèle identifié.
En second lieu, quelques méthodes de suivi de la puissance maximale ont été présentées. A la suite de la limite de fonctionnement rencontrée avec les charges purement résistives de faible résistance, un nouvel algorithme a été proposé tout en jouant sur la reconfiguration du générateur solaire pour résoudre ces limites de fonctionnement. En fonction des besoins, on change d’une manière automatique le nombre de panneaux mis en série et en parallèle.
Par la suite, des recherches concernent la réalisation pratique d’un système permettant la supervision des batteries acide-au-plomb ont eu lieu. Ceci avait pour objectif l’amélioration du système de stockage de l’énergie solaire photovoltaïque convertie en énergie électrochimique.
Dans un premier temps, une carte électronique permettant le contrôle de l’état de charge de la batterie a été réalisée. Cette carte est pilotée par un PC en utilisant le logiciel LabVIEW. Ce dernier permet la visualisation et l’enregistrement des différents profils de charge et de décharge pour mieux analyser le comportement du système.
Par la suite, une mise à jour de la carte électronique a eu lieu pour remédier au problème de la sulfatation des batteries acide-au-plomb. Ensuite, un diagnostic plus poussé a été fait tout en ouvrant la batterie. Vu l’existence de défauts de nature différente, la désulfatation des batteries acide-au-plomb n’est pas aussi simple.
Directeur de thèse : BOUDGHENE STAMBOULI Amine Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2536 02-09-513 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Thèse de Doctorat Exclu du prêt Documents numériques
02-09-513.pdfAdobe Acrobat PDFContribution à l’étude technico-économique et évaluation comportementale de système photovoltaïque - électrolyseur- PAC et reformeur- PAC. / Achab Nassira
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Titre : Contribution à l’étude technico-économique et évaluation comportementale de système photovoltaïque - électrolyseur- PAC et reformeur- PAC. Type de document : document électronique Auteurs : Achab Nassira, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse Année de publication : 01 /07 / 2013 Importance : 70 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Systèmes Photovoltaïques Mots-clés : Energies renouvelables panneau photovoltaïque pile à combustible modélisation optimisation simulation système hybride électrolyseur reformeur rendement. Résumé : Résumé
La progression rapide de la demande énergétique mondiale et l’échéance des réserves d’énergies fossiles favorise le développement des énergies renouvelables et nouvelles tel que le photovoltaïque (PV) et les piles à combustibles (PAC) qui suivent, actuellement, une croissance exponentielle. Leur développement parait comme une nécessité pour pouvoir réduire la pollution environnementale tel que le rejet de polluants gazeux et de gaz à effet de serre : CO, CO2, SOX, NOX, radiation et radioactivité, déchés solides, pluies acides, et déplétion d’ozone qu’en train de perturber sérieusement la biosphère terrestre. Dans ce travail de recherche pour l’obtention du diplôme de magister, nous proposons une méthodologie de modélisation et de simulation comportementale d’un système hybride PV- Electrolyseur – PAC de génération d’électricité propre à comparer avec un système classique composé d’un reformeur et d’une PAC.
Un panneau PV, pour le premier système, fourni de l’électricité à un électrolyseur assurant la production d’hydrogène et d’oxygène par électrolyse de l’eau. L’hydrogène ainsi produit, ensuite stocké dans des bouteilles est devient un carburant propre localement, et il est présenté comme le combustible idéal de la PAC. Le deuxième système utilisant la technique de reformage nécessite une entrée de gaz naturel, de gazoline ou d’éthanol. Nous discuterons sur les avantages de gaz naturel par rapport aux autres fuels proposés.
L’étude a pour but de présenter les paramètres de conception du système générateur d’énergie basé sur les matériaux inorganiques de grande disponibilité. Le sujet est proposé en raison de la grande variété de ses applications potentielles, de sa compatibilité avec l’environnement et de sa simplicité de fabrication (excepté pour le cas des piles à combustible). Ces systèmes sont d’actualité et nous proposons la présentation de la méthodologie de mise en œuvre pour sa réalisation. Nous essayerons de dégager les règles de conceptions et d’optimisation permettant l’élaboration d’un générateur d’énergie de bon rendement. L’étude rentre aussi dans le cadre d’une approche système qui consiste à étudier le comportement dans sa globalité et à optimiser les différents composants auxiliaires.
Directeur de thèse : BOUDGHENE STAMBOULI Amine Contribution à l’étude technico-économique et évaluation comportementale de système photovoltaïque - électrolyseur- PAC et reformeur- PAC. [document électronique] / Achab Nassira, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse . - 01 /07 / 2013 . - 70 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:Systèmes Photovoltaïques Mots-clés : Energies renouvelables panneau photovoltaïque pile à combustible modélisation optimisation simulation système hybride électrolyseur reformeur rendement. Résumé : Résumé
La progression rapide de la demande énergétique mondiale et l’échéance des réserves d’énergies fossiles favorise le développement des énergies renouvelables et nouvelles tel que le photovoltaïque (PV) et les piles à combustibles (PAC) qui suivent, actuellement, une croissance exponentielle. Leur développement parait comme une nécessité pour pouvoir réduire la pollution environnementale tel que le rejet de polluants gazeux et de gaz à effet de serre : CO, CO2, SOX, NOX, radiation et radioactivité, déchés solides, pluies acides, et déplétion d’ozone qu’en train de perturber sérieusement la biosphère terrestre. Dans ce travail de recherche pour l’obtention du diplôme de magister, nous proposons une méthodologie de modélisation et de simulation comportementale d’un système hybride PV- Electrolyseur – PAC de génération d’électricité propre à comparer avec un système classique composé d’un reformeur et d’une PAC.
Un panneau PV, pour le premier système, fourni de l’électricité à un électrolyseur assurant la production d’hydrogène et d’oxygène par électrolyse de l’eau. L’hydrogène ainsi produit, ensuite stocké dans des bouteilles est devient un carburant propre localement, et il est présenté comme le combustible idéal de la PAC. Le deuxième système utilisant la technique de reformage nécessite une entrée de gaz naturel, de gazoline ou d’éthanol. Nous discuterons sur les avantages de gaz naturel par rapport aux autres fuels proposés.
L’étude a pour but de présenter les paramètres de conception du système générateur d’énergie basé sur les matériaux inorganiques de grande disponibilité. Le sujet est proposé en raison de la grande variété de ses applications potentielles, de sa compatibilité avec l’environnement et de sa simplicité de fabrication (excepté pour le cas des piles à combustible). Ces systèmes sont d’actualité et nous proposons la présentation de la méthodologie de mise en œuvre pour sa réalisation. Nous essayerons de dégager les règles de conceptions et d’optimisation permettant l’élaboration d’un générateur d’énergie de bon rendement. L’étude rentre aussi dans le cadre d’une approche système qui consiste à étudier le comportement dans sa globalité et à optimiser les différents composants auxiliaires.
Directeur de thèse : BOUDGHENE STAMBOULI Amine Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2478 02-09-456 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Contribution à l’étude technico-économique et évaluation comportementale de système photovoltaïque - électrolyseur- PAC et reformeur- PAC.Adobe Acrobat PDF
Titre : Effets de l’Environnement Spatial sur les Panneaux Solaire d’un Satellite. Type de document : texte imprimé Auteurs : AMMAR Yamina, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse Année de publication : 2010 Importance : 106 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Instrumentation Spatiale Mots-clés : les panneaux solaires l’Environnement Spatial: L’électronique. Résumé : Le sous système énergie de bord à bord d’un satellite doit comporter les éléments suivants :
- Le générateur solaire.
- Le régulateur de charge de la batterie
- Les batteries
- L’électronique de conditionnement
- L’électronique de distribution et de protection
Le sujet que nous avons traité est l’effet de l’environnement spatial sur les panneaux solaires, nous aidera à faire un choix judicieux de type de la cellule solaire par rapport à une autre connaissance d’attitude et donc le niveau d’agressivité de l’environnement spatial.
Le travail présenté dans ce mémoire commençant bien évidemment par donner quelques généralités de base sur l’environnement spatial ensuite nous avons traité les contraintes de l’environnement (contraintes mécaniques, thermiques, atmosphériques, énergétiques…).
Nous avons fait la conception du panneau solaire avec logiciel VTB et les contraintes mécaniques et thermiques avec le MSC Patran et MSC Nastran et les effets de radiation avec Matlab. Comme exemple d’application, nous avons pris le satellite Algérien ALSAT-1
Directeur de thèse : BOUDGHENE STAMBOULI Amine Effets de l’Environnement Spatial sur les Panneaux Solaire d’un Satellite. [texte imprimé] / AMMAR Yamina, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse . - 2010 . - 106 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:Instrumentation Spatiale Mots-clés : les panneaux solaires l’Environnement Spatial: L’électronique. Résumé : Le sous système énergie de bord à bord d’un satellite doit comporter les éléments suivants :
- Le générateur solaire.
- Le régulateur de charge de la batterie
- Les batteries
- L’électronique de conditionnement
- L’électronique de distribution et de protection
Le sujet que nous avons traité est l’effet de l’environnement spatial sur les panneaux solaires, nous aidera à faire un choix judicieux de type de la cellule solaire par rapport à une autre connaissance d’attitude et donc le niveau d’agressivité de l’environnement spatial.
Le travail présenté dans ce mémoire commençant bien évidemment par donner quelques généralités de base sur l’environnement spatial ensuite nous avons traité les contraintes de l’environnement (contraintes mécaniques, thermiques, atmosphériques, énergétiques…).
Nous avons fait la conception du panneau solaire avec logiciel VTB et les contraintes mécaniques et thermiques avec le MSC Patran et MSC Nastran et les effets de radiation avec Matlab. Comme exemple d’application, nous avons pris le satellite Algérien ALSAT-1
Directeur de thèse : BOUDGHENE STAMBOULI Amine Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2373 02-09-351 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
02-09-351.pdfAdobe Acrobat PDFEtude Comparative et Modélisation des Transistors à Effet de Champ MODFETs et MOS-MODFETs à Base de Nanostructures de Nitrures III-V AlxGa1-xN/GaN Cubique. / BOUGUENNA Driss
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Titre : Etude Comparative et Modélisation des Transistors à Effet de Champ MODFETs et MOS-MODFETs à Base de Nanostructures de Nitrures III-V AlxGa1-xN/GaN Cubique. Type de document : document électronique Auteurs : BOUGUENNA Driss, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse Année de publication : 11 juin 2014 à Importance : 186 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : nitrures III-N c-GaN c-AlxGa1-xN/GaN Transistor à Effet de Champ MODFET MOS-MODFET nanostructures δ-dopage, fraction molaire x (Al) nextnano3.
nitrures III-N c-GaN c-AlxGa1-xN/GaN Field Effect Transistor MODFET MOS-MODFET nanostructures δ-doping, molar fraction x (Al), nextnano3.Résumé : Ces dernières années, le transistor MODFET (Transistor à Effet de Champ à Modulation de Dopage) AlxGa1-xN/GaN est l’objet d’intenses recherches. Celle-ci a montré l’efficacité de ce composant pour des applications diverses nécessitant entre autres des tensions, des températures, des puissances élevées et permettant d’atteindre le régime d’hyperfréquence supérieur au GHz et parfois du THz pour des applications électroniques et optoélectronique associées. Cependant, les structures MODFETs AlxGa1-xN/GaN en phase cubique métastable représentent une alternative pour les composants fabriqués en nitrures III-N en phase stable hexagonale. Due aux absences des effets spontanées and piézoélectriques, AlxGa1-xN/GaN cubique prévoir une incitation pour fabriquer les transistors à effet de champ pour les deux modes de caractéristiques de fonctionnement appauvrissement et enrichissement. Les structures AlxGa1-xN/GaN sont limitées par une combinaison de mécanismes tels que les dislocations et les nombreux défauts structuraux en volume, en surface et à l’interface des matériaux dégradant ainsi les performances électriques du transistor. Dans ce travail, nous étudierons les propriétés physiques des nitrures GaN, AlN, et de l’hétéro-structures AlxGa1-xN/GaN. Nous nous intéressons sur la phase cubique du AlxGa1-xN/GaN excellent candidat pour la réalisation des transistors MODFETs et MOS-MODFETs devient les composants dominant dans le régime de puissance hyperfréquences et pour les applications des télécommunications à très haut débit. On étudier leurs structures physiques et leurs descriptions des différentes couches de base. Ainsi également, les limites de performances par l’effet d’effondrement du courant et le courant de fuite. Nous étudions les influences de l'épaisseur de la couche tampon c-GaN, dopage de la couche donneuse c-AlxGa1-xN, et la fraction molaire x (Al) des couches c-AlxGa1-xN sur les caractéristiques courant-tension du transistor MODFET à base de nanostructures AlxGa1-xN/GaN cubique en utilisant le logiciel nextnano3. Enfin, ce model offre un outil précieux pour la conception, l’optimisation, et haute prédiction des performances des dispositifs de puissance hyperfréquences et démontre la haute performance de MOS-MODFET sur le MODFET à structure conventionnelle pour les applications de dispositifs optiques.
These last years, transistor MODFET (MOdulation Doped Field Effect Transistor) based on AlxGa1-xN/GaN is the object of intense research. Those showed the effectiveness of this component for various applications requiring with another higher tensions, temperatures, powers and allow microwave regimes higher GHz and sometimes of THz for electronics and optoelectronics associated. However, MODFETs AlxGa1-xN/GaN structures with metastable cubic phase represent an alternative for applications devices made of stable hexagonal nitrides III-N. Due to the absence of spontaneous and piezoelectric fields, cubic AlxGa1-xN/GaN provides an incentive for fabrication of field-effect transistors with both normally-on and normally-off characteristics. AlxGa1-xN/GaN structures are limited by a combination of mechanisms such as dislocations and the many structural defects in the bulk, in the surface and at interface of materials degrading thus the electric performances of the transistor. In this work, we study the physics properties of GaN, AlN, and AlxGa1-xN/GaN hetero-structures. We are interest for excellent candidate of cubic phase of AlxGa1-xN/GaN to achieve MODFETs and MOS-MODFETs transistors become the dominant compounds for power microwave regimes and telecommunication applications at very high speed. We study the structures physics and the descriptions of different base layers, and also the performances of MODFET devices limits by current collapse effect and leakage current. We study the influence of thickness of buffer layer c-GaN, doping of donor layer c-AlxGa1-xN, and molar fraction x (Al) of c-AlxGa1-xN layers on the current-tension characteristics of cubic AlxGa1-xN/GaN nanostructures based MODFET transistor using nextnano3 software. Finally, this model provides a valuable tool for design, optimization, and high performances prediction of microwave power devices and demonstrates high performance of MOS-MODFET over MODFET conventional structure for application of optical devices.Directeur de thèse : BOUDGHENS STAMBOULI Amine Etude Comparative et Modélisation des Transistors à Effet de Champ MODFETs et MOS-MODFETs à Base de Nanostructures de Nitrures III-V AlxGa1-xN/GaN Cubique. [document électronique] / BOUGUENNA Driss, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse . - 11 juin 2014 à . - 186 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : nitrures III-N c-GaN c-AlxGa1-xN/GaN Transistor à Effet de Champ MODFET MOS-MODFET nanostructures δ-dopage, fraction molaire x (Al) nextnano3.
nitrures III-N c-GaN c-AlxGa1-xN/GaN Field Effect Transistor MODFET MOS-MODFET nanostructures δ-doping, molar fraction x (Al), nextnano3.Résumé : Ces dernières années, le transistor MODFET (Transistor à Effet de Champ à Modulation de Dopage) AlxGa1-xN/GaN est l’objet d’intenses recherches. Celle-ci a montré l’efficacité de ce composant pour des applications diverses nécessitant entre autres des tensions, des températures, des puissances élevées et permettant d’atteindre le régime d’hyperfréquence supérieur au GHz et parfois du THz pour des applications électroniques et optoélectronique associées. Cependant, les structures MODFETs AlxGa1-xN/GaN en phase cubique métastable représentent une alternative pour les composants fabriqués en nitrures III-N en phase stable hexagonale. Due aux absences des effets spontanées and piézoélectriques, AlxGa1-xN/GaN cubique prévoir une incitation pour fabriquer les transistors à effet de champ pour les deux modes de caractéristiques de fonctionnement appauvrissement et enrichissement. Les structures AlxGa1-xN/GaN sont limitées par une combinaison de mécanismes tels que les dislocations et les nombreux défauts structuraux en volume, en surface et à l’interface des matériaux dégradant ainsi les performances électriques du transistor. Dans ce travail, nous étudierons les propriétés physiques des nitrures GaN, AlN, et de l’hétéro-structures AlxGa1-xN/GaN. Nous nous intéressons sur la phase cubique du AlxGa1-xN/GaN excellent candidat pour la réalisation des transistors MODFETs et MOS-MODFETs devient les composants dominant dans le régime de puissance hyperfréquences et pour les applications des télécommunications à très haut débit. On étudier leurs structures physiques et leurs descriptions des différentes couches de base. Ainsi également, les limites de performances par l’effet d’effondrement du courant et le courant de fuite. Nous étudions les influences de l'épaisseur de la couche tampon c-GaN, dopage de la couche donneuse c-AlxGa1-xN, et la fraction molaire x (Al) des couches c-AlxGa1-xN sur les caractéristiques courant-tension du transistor MODFET à base de nanostructures AlxGa1-xN/GaN cubique en utilisant le logiciel nextnano3. Enfin, ce model offre un outil précieux pour la conception, l’optimisation, et haute prédiction des performances des dispositifs de puissance hyperfréquences et démontre la haute performance de MOS-MODFET sur le MODFET à structure conventionnelle pour les applications de dispositifs optiques.
These last years, transistor MODFET (MOdulation Doped Field Effect Transistor) based on AlxGa1-xN/GaN is the object of intense research. Those showed the effectiveness of this component for various applications requiring with another higher tensions, temperatures, powers and allow microwave regimes higher GHz and sometimes of THz for electronics and optoelectronics associated. However, MODFETs AlxGa1-xN/GaN structures with metastable cubic phase represent an alternative for applications devices made of stable hexagonal nitrides III-N. Due to the absence of spontaneous and piezoelectric fields, cubic AlxGa1-xN/GaN provides an incentive for fabrication of field-effect transistors with both normally-on and normally-off characteristics. AlxGa1-xN/GaN structures are limited by a combination of mechanisms such as dislocations and the many structural defects in the bulk, in the surface and at interface of materials degrading thus the electric performances of the transistor. In this work, we study the physics properties of GaN, AlN, and AlxGa1-xN/GaN hetero-structures. We are interest for excellent candidate of cubic phase of AlxGa1-xN/GaN to achieve MODFETs and MOS-MODFETs transistors become the dominant compounds for power microwave regimes and telecommunication applications at very high speed. We study the structures physics and the descriptions of different base layers, and also the performances of MODFET devices limits by current collapse effect and leakage current. We study the influence of thickness of buffer layer c-GaN, doping of donor layer c-AlxGa1-xN, and molar fraction x (Al) of c-AlxGa1-xN layers on the current-tension characteristics of cubic AlxGa1-xN/GaN nanostructures based MODFET transistor using nextnano3 software. Finally, this model provides a valuable tool for design, optimization, and high performances prediction of microwave power devices and demonstrates high performance of MOS-MODFET over MODFET conventional structure for application of optical devices.Directeur de thèse : BOUDGHENS STAMBOULI Amine Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2509 02-09-486 Version numérique et papier Bibliothèque USTOMB Thèse de Doctorat Exclu du prêt Documents numériques
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