Caractérisation de l'InSe et GaSe et réalisaations de cellules pour la conversion photovoltaique / BENRAMDANE Noureddine

Public ISBD Titre : Caractérisation de l'InSe et GaSe et réalisaations de cellules pour la conversion photovoltaique Type de document : texte imprimé Auteurs : BENRAMDANE Noureddine, Auteur ; V.SALMANOV, Auteur Année de publication : 1985 Importance : 79 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Microelecctronique Mots-clés : InSe  GaSe  réalisaations  photovoltaique Caractérisation de l'InSe et GaSe et réalisaations de cellules pour la conversion photovoltaique [texte imprimé] / BENRAMDANE Noureddine, Auteur ; V.SALMANOV, Auteur . - 1985 . - 79 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Microelecctronique Mots-clés : InSe  GaSe  réalisaations  photovoltaique

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
8041	02-05-119	version papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt

Phénoméne de multiplication et tension de claquage par avalanche dans les jonctions -P.N. / BOUAIDJRA Fatima

Public ISBD Titre : Phénoméne de multiplication et tension de claquage par avalanche dans les jonctions -P.N. Type de document : texte imprimé Auteurs : BOUAIDJRA Fatima, Auteur ; N.KESRI, Directeur de thèse Année de publication : 1987 Importance : 140 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Microelecctronique Mots-clés : Phénoméne  tension de claquage  les jonctions -P.N. Phénoméne de multiplication et tension de claquage par avalanche dans les jonctions -P.N. [texte imprimé] / BOUAIDJRA Fatima, Auteur ; N.KESRI, Directeur de thèse . - 1987 . - 140 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Microelecctronique Mots-clés : Phénoméne  tension de claquage  les jonctions -P.N.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
8043	02-05-121	version papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt

Réalisation et caractérisation d'une jonction P.N épitaxiée et dopée à l'or / DRIZ Mohammed

Public ISBD Titre : Réalisation et caractérisation d'une jonction P.N épitaxiée et dopée à l'or Type de document : texte imprimé Auteurs : DRIZ Mohammed, Auteur ; M.A.KHOUNDOV, Directeur de thèse Année de publication : 1987 Importance : 119 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Microelecctronique Mots-clés : Le silicium  P.N  dopée à l'or Réalisation et caractérisation d'une jonction P.N épitaxiée et dopée à l'or [texte imprimé] / DRIZ Mohammed, Auteur ; M.A.KHOUNDOV, Directeur de thèse . - 1987 . - 119 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Microelecctronique Mots-clés : Le silicium  P.N  dopée à l'or

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
8040	02-05-118	version papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt