Analyse du comportement électrique d'une jonction photovoltaique de type schottky Si/SiO2/SnO2 / SIDELHADJ Mohamed Read

Public ISBD Titre : Analyse du comportement électrique d'une jonction photovoltaique de type schottky Si/SiO2/SnO2 Type de document : texte imprimé Auteurs : SIDELHADJ Mohamed Read, Auteur Année de publication : 2006 Importance : 94 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Traitement des surfaces et physique des matériaux Mots-clés : Physico -chimiques , type schottky Si/SiO2/SnO2 ,photovoltaique Résumé : Directeur de thèse : HAMZAOUI Saad Analyse du comportement électrique d'une jonction photovoltaique de type schottky Si/SiO2/SnO2 [texte imprimé] / SIDELHADJ Mohamed Read, Auteur . - 2006 . - 94 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Traitement des surfaces et physique des matériaux Mots-clés : Physico -chimiques , type schottky Si/SiO2/SnO2 ,photovoltaique Résumé : Directeur de thèse : HAMZAOUI Saad

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
8416	02-05-493	version papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt

Elaboration d'une heterostucture silicium critallin c-Si / silicium amorphe a-Si :H / RACHED Djaaffar

Public ISBD Titre : Elaboration d'une heterostucture silicium critallin c-Si / silicium amorphe a-Si :H Type de document : texte imprimé Auteurs : RACHED Djaaffar, Auteur Année de publication : 2004 Importance : 106 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Traitement des surfaces et physique des matériaux Mots-clés : Hydrogéne , hétérojonction , ARCAM ,TCO ,PIN Directeur de thèse : R.MOSTEFAOUI Elaboration d'une heterostucture silicium critallin c-Si / silicium amorphe a-Si :H [texte imprimé] / RACHED Djaaffar, Auteur . - 2004 . - 106 p. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Traitement des surfaces et physique des matériaux Mots-clés : Hydrogéne , hétérojonction , ARCAM ,TCO ,PIN Directeur de thèse : R.MOSTEFAOUI

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8376	02-05-453	version papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt