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Auteur Mekkakia MAAZA Nasreddine
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Contribution à l'Etude d'un Procèdè de Gravure du BPSG pour les Dispositifs Microèlectroniques / Mekkakia MAAZA Nasreddine
Titre : Contribution à l'Etude d'un Procèdè de Gravure du BPSG pour les Dispositifs Microèlectroniques Type de document : texte imprimé Auteurs : Mekkakia MAAZA Nasreddine, Auteur Année de publication : 2004 Importance : 119 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Microélectrinique Mots-clés : gravure par plasma contacts oxyde de silicium actinomètrie spectromètrie de masse. Résumé : l'un des problème majeurs rencontrè dans la fabrication des dispositifs microèlectroniques VL,SI,est la rèalisation des fenèlres de contacts à travers une couche dièlectrique de l'oxyde de silicium dopè BPSG ( boro phosphoro silicate glass).
en effet les techniques de gravure par plasma employèes donnent un profil anisotrope dans l'oxyde de silicium ceci entraine un dèfaut d'uniformitè pour la couche de mètal dèposèe par-dessus l'oxyde et un dèfaut de rupture de contact ces dèfauts ces dèfauts nuisent nuisent naturellement aux qualitès èlectriques du dispositif.Directeur de thèse : A boudghene Stambouli Contribution à l'Etude d'un Procèdè de Gravure du BPSG pour les Dispositifs Microèlectroniques [texte imprimé] / Mekkakia MAAZA Nasreddine, Auteur . - 2004 . - 119 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:Microélectrinique Mots-clés : gravure par plasma contacts oxyde de silicium actinomètrie spectromètrie de masse. Résumé : l'un des problème majeurs rencontrè dans la fabrication des dispositifs microèlectroniques VL,SI,est la rèalisation des fenèlres de contacts à travers une couche dièlectrique de l'oxyde de silicium dopè BPSG ( boro phosphoro silicate glass).
en effet les techniques de gravure par plasma employèes donnent un profil anisotrope dans l'oxyde de silicium ceci entraine un dèfaut d'uniformitè pour la couche de mètal dèposèe par-dessus l'oxyde et un dèfaut de rupture de contact ces dèfauts ces dèfauts nuisent nuisent naturellement aux qualitès èlectriques du dispositif.Directeur de thèse : A boudghene Stambouli Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2286 02-09-265 version papier Bibliothèque USTOMB Thèse de Doctorat Exclu du prêt
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