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| Titre : | Modélisation d’une cellule solaire p-i-n à base de silicium amorphe (a-Si:H) et silicium nanocristallin oxydé (nc-SiOx:H) | | Type de document : | document électronique | | Auteurs : | AMIRI Benameur, Auteur | | Année de publication : | 2014 | | Importance : | 84 p. | | Accompagnement : | CD | | Langues : | Français (fre) | | Catégories : | Physique:Nano-biomatériaux/Nano-bionique
| | Mots-clés : | cellule solaire, a-Si:H, épaisseur, couche fenêtre, nc-SiOx:H, simulation, AMPS-1D. | | Résumé : | En utilisant le code de calcule unidimensionnel AMPS-1D (One Dimensional Analysis of Microelectronic and Photonic Structures), une cellule solaire de type p-i-n, à base de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et de silicium nanocristallin oxyde-hydrogéné (nc-SiOx:H) a été simulée. Notre objectif était de déterminer l'effet de l’épaisseur et la valeur du gap de la couche active i a-Si:H, ainsi que la variation du gap de la couche fenêtre sur les performances de la cellule, à savoir, le courant de court circuit (Jcc), la tension de circuit ouvert (Vco), le facteur de forme (FF) et l’efficacité (Eff). Ca d'un coté, de l’autre coté et de trouver l’ensemble des paramètres structurels caractérisant chaque couche constituant la cellule.
Les résultats de simulation, ont montré que la meilleure épaisseur pour la couche active qui donne des bonnes performances de la cellule et pour des raisons technologiques est celle de 400 nm. La modélisation a montré également que les meilleures valeurs de l’énergie de la bande interdite de la couche fenêtre, qui conduisent à des meilleurs paramètres de sortie de la cellule se situent entre 2,10 eV et 2,15 eV.
Enfin, nos calculs ont montré que, la tension de circuit ouvert (Voc) et l’efficacité (Eff) augmentent avec l’augmentation de la valeur du gap de la couche active, puis une saturation est enregistrée à partir de la valeur de 1,86 eV. Pour le facteur de forme FF il enregistre une faible variation, par contre le courant de court circuit (Jsc) il n’est pas affecté du tout par la variation du gap de la couche active.
| | Directeur de thèse : | AIT KACI.H |
Modélisation d’une cellule solaire p-i-n à base de silicium amorphe (a-Si:H) et silicium nanocristallin oxydé (nc-SiOx:H) [document électronique] / AMIRI Benameur, Auteur . - 2014 . - 84 p. + CD. Langues : Français ( fre) | Catégories : | Physique:Nano-biomatériaux/Nano-bionique
| | Mots-clés : | cellule solaire, a-Si:H, épaisseur, couche fenêtre, nc-SiOx:H, simulation, AMPS-1D. | | Résumé : | En utilisant le code de calcule unidimensionnel AMPS-1D (One Dimensional Analysis of Microelectronic and Photonic Structures), une cellule solaire de type p-i-n, à base de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et de silicium nanocristallin oxyde-hydrogéné (nc-SiOx:H) a été simulée. Notre objectif était de déterminer l'effet de l’épaisseur et la valeur du gap de la couche active i a-Si:H, ainsi que la variation du gap de la couche fenêtre sur les performances de la cellule, à savoir, le courant de court circuit (Jcc), la tension de circuit ouvert (Vco), le facteur de forme (FF) et l’efficacité (Eff). Ca d'un coté, de l’autre coté et de trouver l’ensemble des paramètres structurels caractérisant chaque couche constituant la cellule.
Les résultats de simulation, ont montré que la meilleure épaisseur pour la couche active qui donne des bonnes performances de la cellule et pour des raisons technologiques est celle de 400 nm. La modélisation a montré également que les meilleures valeurs de l’énergie de la bande interdite de la couche fenêtre, qui conduisent à des meilleurs paramètres de sortie de la cellule se situent entre 2,10 eV et 2,15 eV.
Enfin, nos calculs ont montré que, la tension de circuit ouvert (Voc) et l’efficacité (Eff) augmentent avec l’augmentation de la valeur du gap de la couche active, puis une saturation est enregistrée à partir de la valeur de 1,86 eV. Pour le facteur de forme FF il enregistre une faible variation, par contre le courant de court circuit (Jsc) il n’est pas affecté du tout par la variation du gap de la couche active.
| | Directeur de thèse : | AIT KACI.H |
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