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Caractérisation I-V et C-V d’un dispositif électronique à base d’un matériau organique / MEFTAH Sabrine Ezzahra 

Public ISBD Titre : Caractérisation I-V et C-V d’un dispositif électronique à base d’un matériau organique Type de document : document électronique Auteurs : MEFTAH Sabrine Ezzahra, Auteur Année de publication : 2020-2021 Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique Energétique Mots-clés : MEH-PPV, P3HT, MSP hétérojonctions, USP, PVD, Courant-Tension, Capacité-Tension, Mécanisme de conductions, microélectronique, solaire-photovoltaïque. Résumé : Ce travail de thèse porte sur la synthèse et la caractérisation de dispositifs microélectronique à base de matériaux organiques afin d’optimiser le développement des MSP hétérojonctions pour une application dans le domaine des OPVs « Organic Photovoltaics ». Notre recherche mise sur la fabrication de dispositifs électroniques à base de matériaux organiques, pour ensuite les étudier. Cette dernière est la caractérisation physique, électrique et photovoltaïque des dispositifs. Une méthodologie de synthèse à été mise au point pour la fabrication des dispositifs à base de matériaux organiques, plus particulièrement le MEH-PPV et le P3HT. Le dépôt des films minces sur les substrats en verre et en silicium à été effectuer par la technique USP,  « Ultrasonic Spray Pyrolysis », et pour les contacts avant de nos MSP hétérojonctions la méthode PVD à été utilisé. Les films conçues sur du substrat en verre on fait l’objet d’analyses physique comme la diffraction par rayons X, la spectroscopie UV-Visible et la microscopie SEM. Ces derniers ont permis la détermination de différents paramètres tels que, la taille des grains pour les deux matériaux organiques utilisés, l’homogénéité des couches déposées et leurs épaisseurs d’environ 150 nm et aussi la largeur de la bande interdite. A température ambiante, les caractéristiques courant-tension (I-V), capacité-tension(C-V), sont mesurées en obscurité et sous éclairement. Plusieurs paramètres microélectroniques et photovoltaïques de ces dispositifs organiques comme le facteur d’idéalité, la résistance série, la hauteur de la barrière, le facteur de redressement, la densité des états d’interface la photosensibilité, le facteur de forme et le rendement, sont déterminés en utilisant les méthodes d’approximations de Cheung-Cheung et de Norde. Les dispositifs électroniques à base de matériaux organiques Al / p-Si / MEH-PPV / Ag et Al / p-Si / P3HT / Ag ont montré un bon comportement électroniques, ce qui signifie que le MEH-PPV et le P3HT sont de bon candidats dans le domaine de la microélectronique et le solaire-photovoltaïque. Directeur de thèse : BENHALILIBA M. Caractérisation I-V et C-V d’un dispositif électronique à base d’un matériau organique [document électronique] / MEFTAH Sabrine Ezzahra, Auteur . - 2020-2021 . -  + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique Energétique Mots-clés : MEH-PPV, P3HT, MSP hétérojonctions, USP, PVD, Courant-Tension, Capacité-Tension, Mécanisme de conductions, microélectronique, solaire-photovoltaïque. Résumé : Ce travail de thèse porte sur la synthèse et la caractérisation de dispositifs microélectronique à base de matériaux organiques afin d’optimiser le développement des MSP hétérojonctions pour une application dans le domaine des OPVs « Organic Photovoltaics ». Notre recherche mise sur la fabrication de dispositifs électroniques à base de matériaux organiques, pour ensuite les étudier. Cette dernière est la caractérisation physique, électrique et photovoltaïque des dispositifs. Une méthodologie de synthèse à été mise au point pour la fabrication des dispositifs à base de matériaux organiques, plus particulièrement le MEH-PPV et le P3HT. Le dépôt des films minces sur les substrats en verre et en silicium à été effectuer par la technique USP,  « Ultrasonic Spray Pyrolysis », et pour les contacts avant de nos MSP hétérojonctions la méthode PVD à été utilisé. Les films conçues sur du substrat en verre on fait l’objet d’analyses physique comme la diffraction par rayons X, la spectroscopie UV-Visible et la microscopie SEM. Ces derniers ont permis la détermination de différents paramètres tels que, la taille des grains pour les deux matériaux organiques utilisés, l’homogénéité des couches déposées et leurs épaisseurs d’environ 150 nm et aussi la largeur de la bande interdite. A température ambiante, les caractéristiques courant-tension (I-V), capacité-tension(C-V), sont mesurées en obscurité et sous éclairement. Plusieurs paramètres microélectroniques et photovoltaïques de ces dispositifs organiques comme le facteur d’idéalité, la résistance série, la hauteur de la barrière, le facteur de redressement, la densité des états d’interface la photosensibilité, le facteur de forme et le rendement, sont déterminés en utilisant les méthodes d’approximations de Cheung-Cheung et de Norde. Les dispositifs électroniques à base de matériaux organiques Al / p-Si / MEH-PPV / Ag et Al / p-Si / P3HT / Ag ont montré un bon comportement électroniques, ce qui signifie que le MEH-PPV et le P3HT sont de bon candidats dans le domaine de la microélectronique et le solaire-photovoltaïque. Directeur de thèse : BENHALILIBA M.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
1878	02-05-947	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

Documents numériques

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