Etude Comparative et Modélisation des Transistors à Effet de Champ MODFETs et MOS-MODFETs à Base de Nanostructures de Nitrures III-V AlxGa1-xN/GaN Cubique. / BOUGUENNA Driss 

Public ISBD Titre : Etude Comparative et Modélisation des Transistors à Effet de Champ MODFETs et MOS-MODFETs à Base de Nanostructures de Nitrures III-V AlxGa1-xN/GaN Cubique. Type de document : document électronique Auteurs : BOUGUENNA Driss, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse Année de publication : 11 juin 2014 à Importance : 186 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : nitrures III-N  c-GaN  c-AlxGa1-xN/GaN  Transistor à Effet de Champ  MODFET  MOS-MODFET  nanostructures  δ-dopage, fraction molaire x (Al)  nextnano3. nitrures III-N  c-GaN  c-AlxGa1-xN/GaN  Field Effect Transistor  MODFET  MOS-MODFET  nanostructures  δ-doping, molar fraction x (Al), nextnano3. Résumé : Ces dernières années, le transistor MODFET (Transistor à Effet de Champ à Modulation de Dopage) AlxGa1-xN/GaN est l’objet d’intenses recherches. Celle-ci a montré l’efficacité de ce composant pour des applications diverses nécessitant entre autres des tensions, des températures, des puissances élevées et permettant d’atteindre le régime d’hyperfréquence supérieur au GHz et parfois du THz pour des applications électroniques et optoélectronique associées. Cependant, les structures MODFETs AlxGa1-xN/GaN en phase cubique métastable représentent une alternative pour les composants fabriqués en nitrures III-N en phase stable hexagonale. Due aux absences des effets spontanées and piézoélectriques, AlxGa1-xN/GaN cubique prévoir une incitation pour fabriquer les transistors à effet de champ pour les deux modes de caractéristiques de fonctionnement appauvrissement et enrichissement. Les structures AlxGa1-xN/GaN sont limitées par une combinaison de mécanismes tels que les dislocations et les nombreux défauts structuraux en volume, en surface et à l’interface des matériaux dégradant ainsi les performances électriques du transistor. Dans ce travail, nous étudierons les propriétés physiques des nitrures GaN, AlN, et de l’hétéro-structures AlxGa1-xN/GaN. Nous nous intéressons sur la phase cubique du AlxGa1-xN/GaN excellent candidat pour la réalisation des transistors MODFETs et MOS-MODFETs devient les composants dominant dans le régime de puissance hyperfréquences et pour les applications des télécommunications à très haut débit. On étudier leurs structures physiques et leurs descriptions des différentes couches de base. Ainsi également, les limites de performances par l’effet d’effondrement du courant et le courant de fuite. Nous étudions les influences de l'épaisseur de la couche tampon c-GaN, dopage de la couche donneuse c-AlxGa1-xN, et la fraction molaire x (Al) des couches c-AlxGa1-xN sur les caractéristiques courant-tension du transistor MODFET à base de nanostructures AlxGa1-xN/GaN cubique en utilisant le logiciel nextnano3. Enfin, ce model offre un outil précieux pour la conception, l’optimisation, et haute prédiction des performances des dispositifs de puissance hyperfréquences et démontre la haute performance de MOS-MODFET sur le MODFET à structure conventionnelle pour les applications de dispositifs optiques. These last years, transistor MODFET (MOdulation Doped Field Effect Transistor) based on AlxGa1-xN/GaN is the object of intense research. Those showed the effectiveness of this component for various applications requiring with another higher tensions, temperatures, powers and allow microwave regimes higher GHz and sometimes of THz for electronics and optoelectronics associated. However, MODFETs AlxGa1-xN/GaN structures with metastable cubic phase represent an alternative for applications devices made of stable hexagonal nitrides III-N. Due to the absence of spontaneous and piezoelectric fields, cubic AlxGa1-xN/GaN provides an incentive for fabrication of field-effect transistors with both normally-on and normally-off characteristics. AlxGa1-xN/GaN structures are limited by a combination of mechanisms such as dislocations and the many structural defects in the bulk, in the surface and at interface of materials degrading thus the electric performances of the transistor. In this work, we study the physics properties of GaN, AlN, and AlxGa1-xN/GaN hetero-structures. We are interest for excellent candidate of cubic phase of AlxGa1-xN/GaN to achieve MODFETs and MOS-MODFETs transistors become the dominant compounds for power microwave regimes and telecommunication applications at very high speed. We study the structures physics and the descriptions of different base layers, and also the performances of MODFET devices limits by current collapse effect and leakage current. We study the influence of thickness of buffer layer c-GaN, doping of donor layer c-AlxGa1-xN, and molar fraction x (Al) of c-AlxGa1-xN layers on the current-tension characteristics of cubic AlxGa1-xN/GaN nanostructures based MODFET transistor using nextnano3 software. Finally, this model provides a valuable tool for design, optimization, and high performances prediction of microwave power devices and demonstrates high performance of MOS-MODFET over MODFET conventional structure for application of optical devices. Directeur de thèse : BOUDGHENS STAMBOULI Amine Etude Comparative et Modélisation des Transistors à Effet de Champ MODFETs et MOS-MODFETs à Base de Nanostructures de Nitrures III-V AlxGa1-xN/GaN Cubique. [document électronique] / BOUGUENNA Driss, Auteur ; BOUDGHENE STAMBOULI Amine, Directeur de thèse . - 11 juin 2014 à . - 186 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : nitrures III-N  c-GaN  c-AlxGa1-xN/GaN  Transistor à Effet de Champ  MODFET  MOS-MODFET  nanostructures  δ-dopage, fraction molaire x (Al)  nextnano3. nitrures III-N  c-GaN  c-AlxGa1-xN/GaN  Field Effect Transistor  MODFET  MOS-MODFET  nanostructures  δ-doping, molar fraction x (Al), nextnano3. Résumé : Ces dernières années, le transistor MODFET (Transistor à Effet de Champ à Modulation de Dopage) AlxGa1-xN/GaN est l’objet d’intenses recherches. Celle-ci a montré l’efficacité de ce composant pour des applications diverses nécessitant entre autres des tensions, des températures, des puissances élevées et permettant d’atteindre le régime d’hyperfréquence supérieur au GHz et parfois du THz pour des applications électroniques et optoélectronique associées. Cependant, les structures MODFETs AlxGa1-xN/GaN en phase cubique métastable représentent une alternative pour les composants fabriqués en nitrures III-N en phase stable hexagonale. Due aux absences des effets spontanées and piézoélectriques, AlxGa1-xN/GaN cubique prévoir une incitation pour fabriquer les transistors à effet de champ pour les deux modes de caractéristiques de fonctionnement appauvrissement et enrichissement. Les structures AlxGa1-xN/GaN sont limitées par une combinaison de mécanismes tels que les dislocations et les nombreux défauts structuraux en volume, en surface et à l’interface des matériaux dégradant ainsi les performances électriques du transistor. Dans ce travail, nous étudierons les propriétés physiques des nitrures GaN, AlN, et de l’hétéro-structures AlxGa1-xN/GaN. Nous nous intéressons sur la phase cubique du AlxGa1-xN/GaN excellent candidat pour la réalisation des transistors MODFETs et MOS-MODFETs devient les composants dominant dans le régime de puissance hyperfréquences et pour les applications des télécommunications à très haut débit. On étudier leurs structures physiques et leurs descriptions des différentes couches de base. Ainsi également, les limites de performances par l’effet d’effondrement du courant et le courant de fuite. Nous étudions les influences de l'épaisseur de la couche tampon c-GaN, dopage de la couche donneuse c-AlxGa1-xN, et la fraction molaire x (Al) des couches c-AlxGa1-xN sur les caractéristiques courant-tension du transistor MODFET à base de nanostructures AlxGa1-xN/GaN cubique en utilisant le logiciel nextnano3. Enfin, ce model offre un outil précieux pour la conception, l’optimisation, et haute prédiction des performances des dispositifs de puissance hyperfréquences et démontre la haute performance de MOS-MODFET sur le MODFET à structure conventionnelle pour les applications de dispositifs optiques. These last years, transistor MODFET (MOdulation Doped Field Effect Transistor) based on AlxGa1-xN/GaN is the object of intense research. Those showed the effectiveness of this component for various applications requiring with another higher tensions, temperatures, powers and allow microwave regimes higher GHz and sometimes of THz for electronics and optoelectronics associated. However, MODFETs AlxGa1-xN/GaN structures with metastable cubic phase represent an alternative for applications devices made of stable hexagonal nitrides III-N. Due to the absence of spontaneous and piezoelectric fields, cubic AlxGa1-xN/GaN provides an incentive for fabrication of field-effect transistors with both normally-on and normally-off characteristics. AlxGa1-xN/GaN structures are limited by a combination of mechanisms such as dislocations and the many structural defects in the bulk, in the surface and at interface of materials degrading thus the electric performances of the transistor. In this work, we study the physics properties of GaN, AlN, and AlxGa1-xN/GaN hetero-structures. We are interest for excellent candidate of cubic phase of AlxGa1-xN/GaN to achieve MODFETs and MOS-MODFETs transistors become the dominant compounds for power microwave regimes and telecommunication applications at very high speed. We study the structures physics and the descriptions of different base layers, and also the performances of MODFET devices limits by current collapse effect and leakage current. We study the influence of thickness of buffer layer c-GaN, doping of donor layer c-AlxGa1-xN, and molar fraction x (Al) of c-AlxGa1-xN layers on the current-tension characteristics of cubic AlxGa1-xN/GaN nanostructures based MODFET transistor using nextnano3 software. Finally, this model provides a valuable tool for design, optimization, and high performances prediction of microwave power devices and demonstrates high performance of MOS-MODFET over MODFET conventional structure for application of optical devices. Directeur de thèse : BOUDGHENS STAMBOULI Amine

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2509	02-09-486	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

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Influence du polytypisme sur les propriétés Optoélectroniques des composésIII-V dopés par les éléments V:Etude de premier principe / BENYAHIA Nezha 

Public ISBD Titre : Influence du polytypisme sur les propriétés Optoélectroniques des composésIII-V dopés par les éléments V:Etude de premier principe Type de document : texte imprimé Auteurs : BENYAHIA Nezha, Auteur Année de publication : 2022-2023 Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : GaP, GaAsP, La théorie de la fonctionnelle de la densité DFT, code Quantum esspresso, LDA-1/2, gap direct, polytypisme, phonon GaP, GaAsP, Density functional theory DFT, Quantum esspresso code, LDA-1/2, direct gap, polytypism, phonon. Résumé : L'objectif commun aux deux volets de ce manuscrit est de développer des matériaux semi-conducteurs qui permettent une émission dans la gamme spectrale visible. En effet la réalisation des LEDs bleues et rouges est aujourd'hui bien maitrisée. Cependant, les performances des LEDs et diodes laser dans la gamme intermédiaire sont loin d'atteindre le même niveau, étant donné la di_érence de sensibilité de l'oeil (maximale dans le vert). D'une part, nous avons choisi d'étudier le matériau GaP dopé, le choix de ce matériaux semiconducteurs III-V est motivé par la plage de longueur d'onde de son émission appartenant au visible, en plus il a toujours été un matériau d'intérêt, mais des verrous sur la nature de son gap indirect limite son utilisation dans l'opto-électronique. Dans ces conditions nous avons incorporer l'Arsenic dans le GaP afin de créer un alliage ternaire nous permettant de contourner ce problème et convertir le gap indirect à un gap direct. D'autre part, selon la littérature, le GaP a été synthétisé dans d'autres structures différentes de sa structure d'équilibre zinc-blende montrant un gap direct, Il apparaît ainsi opportun d'explorer ces nouvelles structure (polytypisme) et mettre en lumière les différentes propriétés qui en découlent ce qui pourraient nous renseigner sur ces applications potentielles. Dans ce contexte, ce projet de thèse, à caractère computationnelle, vise à calculer les propriétés structurales, électronique, mécaniques, dynamiques des matériaux GaAs, GaP, GaAsP dans les quatres polytypes 3C, 6H, 4H, 2H en utilisant la méthode du pseudopotentiel couplée aux ondes planes implémentée dans le code Quantum ESPRESSO. The common goal of both parts of this manuscript is to develop semiconductor materials that allow emission in the visible spectral range. Indeed the realization of blue and red LEDs is now well mastered. However, the performances of LEDs and laser diodes in the intermediate range are far from reaching the same level, given the dierence in sensitivity of the eye (maximum in the green). On the one hand, we chose to study the doped GaP material, the choice of this III-V semiconductor material is motivated by the wavelength range of its emission belonging to the visible, in addition it has always been a material of interest, but locks on the nature of its indirect gap limit its use in optoelectronics. Under these conditions we incorporated Arsenic into GaP in order to create a ternary alloy allowing us to circumvent this problem and convert the indirect gap to a direct gap. On the other hand, according to the literature, GaP was synthesized in other structures dierent from its zinc-blende equilibrium structure showing a direct gap, it thus seems appropriate to explore these new structures (polytypism) and highlight the dierent properties which result from them, which could inform us about these potential applications. In this context, this thesis project, of a computational nature, aims to calculate the structural, electronic, mechanical and dynamic properties of GaAs, GaP, GaAsP materials in the four polytypes 3C, 6H, 4H, 2H using the pseudopotential method coupled with plane waves, implemented in the Quantum ESPRESSO code. Directeur de thèse : FERHAT Mohammed Influence du polytypisme sur les propriétés Optoélectroniques des composésIII-V dopés par les éléments V:Etude de premier principe [texte imprimé] / BENYAHIA Nezha, Auteur . - 2022-2023 . -  + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : GaP, GaAsP, La théorie de la fonctionnelle de la densité DFT, code Quantum esspresso, LDA-1/2, gap direct, polytypisme, phonon GaP, GaAsP, Density functional theory DFT, Quantum esspresso code, LDA-1/2, direct gap, polytypism, phonon. Résumé : L'objectif commun aux deux volets de ce manuscrit est de développer des matériaux semi-conducteurs qui permettent une émission dans la gamme spectrale visible. En effet la réalisation des LEDs bleues et rouges est aujourd'hui bien maitrisée. Cependant, les performances des LEDs et diodes laser dans la gamme intermédiaire sont loin d'atteindre le même niveau, étant donné la di_érence de sensibilité de l'oeil (maximale dans le vert). D'une part, nous avons choisi d'étudier le matériau GaP dopé, le choix de ce matériaux semiconducteurs III-V est motivé par la plage de longueur d'onde de son émission appartenant au visible, en plus il a toujours été un matériau d'intérêt, mais des verrous sur la nature de son gap indirect limite son utilisation dans l'opto-électronique. Dans ces conditions nous avons incorporer l'Arsenic dans le GaP afin de créer un alliage ternaire nous permettant de contourner ce problème et convertir le gap indirect à un gap direct. D'autre part, selon la littérature, le GaP a été synthétisé dans d'autres structures différentes de sa structure d'équilibre zinc-blende montrant un gap direct, Il apparaît ainsi opportun d'explorer ces nouvelles structure (polytypisme) et mettre en lumière les différentes propriétés qui en découlent ce qui pourraient nous renseigner sur ces applications potentielles. Dans ce contexte, ce projet de thèse, à caractère computationnelle, vise à calculer les propriétés structurales, électronique, mécaniques, dynamiques des matériaux GaAs, GaP, GaAsP dans les quatres polytypes 3C, 6H, 4H, 2H en utilisant la méthode du pseudopotentiel couplée aux ondes planes implémentée dans le code Quantum ESPRESSO. The common goal of both parts of this manuscript is to develop semiconductor materials that allow emission in the visible spectral range. Indeed the realization of blue and red LEDs is now well mastered. However, the performances of LEDs and laser diodes in the intermediate range are far from reaching the same level, given the dierence in sensitivity of the eye (maximum in the green). On the one hand, we chose to study the doped GaP material, the choice of this III-V semiconductor material is motivated by the wavelength range of its emission belonging to the visible, in addition it has always been a material of interest, but locks on the nature of its indirect gap limit its use in optoelectronics. Under these conditions we incorporated Arsenic into GaP in order to create a ternary alloy allowing us to circumvent this problem and convert the indirect gap to a direct gap. On the other hand, according to the literature, GaP was synthesized in other structures dierent from its zinc-blende equilibrium structure showing a direct gap, it thus seems appropriate to explore these new structures (polytypism) and highlight the dierent properties which result from them, which could inform us about these potential applications. In this context, this thesis project, of a computational nature, aims to calculate the structural, electronic, mechanical and dynamic properties of GaAs, GaP, GaAsP materials in the four polytypes 3C, 6H, 4H, 2H using the pseudopotential method coupled with plane waves, implemented in the Quantum ESPRESSO code. Directeur de thèse : FERHAT Mohammed

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9063	02-09-635	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

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Modèle de pseudo-réseau ionique : Application à l’étude des performances d’une pile à forte concentration électrolytique / BENOUAR Ali 

Public ISBD Titre : Modèle de pseudo-réseau ionique : Application à l’étude des performances d’une pile à forte concentration électrolytique Type de document : document électronique Auteurs : BENOUAR Ali, Auteur Année de publication : 2015 / 2016 Importance : 113 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : : Conductivité électrique  batteries  modèle de pseudo réseau ionique  glycérol - الناقلية الكهربائية  البطارية- النموذج شبه شبكي شاردي  الغليسيرين- محلول . Electrolyte. Résumé : L’élaboration d’une pile à base de lithium, hautement conductrice à basses température se base sur le choix du sel et solvant organique pour l’obtention de l’électrolyte de grande conductivité électrique. En guise de conception d’une pile écologique, nous avons choisi le glycérol (glycérine) comme solvant organique. L’électrolyte de cette pile est donc très intéressant à étudier car il consiste d’un solvant organique propre, visqueux et hygroscopique et d’un sel de métal très électro-actif. Expérimentalement, les difficultés liées à la viscosité et l’hygroscopicité du solvant ainsi que l’électro-activité du sel ont été toutes surmontées et enfin nous avons pu obtenir des résultats fiables. En outre, afin de mieux comprendre les phénomènes de transport dans les solutions concentrés de ce solvant, nous avons analysé les résultats expérimentaux de conductivité en fonction de la concentration. Les résultats, des solutions diluées et modérées ont été analysées avec les équations du modèle primitif de Debye-Huckel-Onsager et de Fuoss. Quant aux solutions concentrées, les résultats ont été analysées avec le modèle de pseudo- pseudo réseau ionique et à l’équation empirique de Casteel-Amis, pour les solutions concentrées. La constante de Madelung obtenue, séparément, avec la conductivité et l’activité, donne des valeurs proches dont la moyenne est 1.64. Cette valeur est proche à celle donnée dans la littérature et suggère la structure cristalline Cubique Face Centrée (CFC). Ces deux paramètres physiques, bien qu’ils soient totalement différents, ils décrivent le même processus structurel de l’électrolyte lorsque la solution est très concentrée; d’où l’efficacité du pseudo-réseau ionique. Par ailleurs, les résultats de la conductivité électrique en fonction de la température ont été aussi analysés avec l’equation Vogel-Tamman-Fulcher (VTF). En effet, à basse température, l’ajout de LiCl au glycérol donne pratiquement la même température de la transition vitreuse que les sels des métaux alcalins NaCl et KCl. Enfin, l’ensemble des résultats converge vers la possibilité d’élaborer une pile écologique lithium à base de solvant non toxique le glycérol. إن تطوير بطارية الليثيوم عالية الناقلية في درجة حرارة منخفضة قائم على أساس اختيار الملح والمذيبات العضوية للحصول على محلول كهربائي ذوناقلية عالية. بهدف تصميم بطارية ايكولوجية، اخترنا الجلسرين (الجلسرين) كمذيب عضوي. المحلول الكهربائي لهذه البطارية جدير بالدراسة لأنه محلول عضوي نظيف و لزج و استرطابي و من ملح معدني نشط كهربائي. و في الشان التجريبي، الصعوبات المتعلقة باللزوجة و الاسترطاب للمديب العضوي و للنشاط الكهربائي للملح قد تم معالجتهم و أخيرا تحصلنا على نتائج مفيدة.بالإضافة إلى ذلك، من أجل فهم ظواهر النقل الكهربائي في المحاليل المركزة لهذا المذيب، لقد حللنا النتائج التجريبية للناقلية الكهربائية بدلالة التركيز. نتائج المحلول الممدد و متوسطة بمعادلات و نمودج فيما يخص الــمحاليل الــمركزة، فقد تم تحليلهـم بالنموذج الشبه الشبكــي الشـــاردي و المعادلة التجريبية من جهة أخرى، نتائج الناقلية الكهربائية بدلالة الحرارة تم تم تحليلها بواسطة معادلة في الواقع إضافة الملح إلى المذيب بالنسبة لكلوريد الليتيوم يعطي عمليا نفس درجة حرارة التصلب مثل كلوريد الصوديوم و كلوريد البوتاسيوم. Directeur de thèse : KAMECHE Mostefa Modèle de pseudo-réseau ionique : Application à l’étude des performances d’une pile à forte concentration électrolytique [document électronique] / BENOUAR Ali, Auteur . - 2015 / 2016 . - 113 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : : Conductivité électrique  batteries  modèle de pseudo réseau ionique  glycérol - الناقلية الكهربائية  البطارية- النموذج شبه شبكي شاردي  الغليسيرين- محلول . Electrolyte. Résumé : L’élaboration d’une pile à base de lithium, hautement conductrice à basses température se base sur le choix du sel et solvant organique pour l’obtention de l’électrolyte de grande conductivité électrique. En guise de conception d’une pile écologique, nous avons choisi le glycérol (glycérine) comme solvant organique. L’électrolyte de cette pile est donc très intéressant à étudier car il consiste d’un solvant organique propre, visqueux et hygroscopique et d’un sel de métal très électro-actif. Expérimentalement, les difficultés liées à la viscosité et l’hygroscopicité du solvant ainsi que l’électro-activité du sel ont été toutes surmontées et enfin nous avons pu obtenir des résultats fiables. En outre, afin de mieux comprendre les phénomènes de transport dans les solutions concentrés de ce solvant, nous avons analysé les résultats expérimentaux de conductivité en fonction de la concentration. Les résultats, des solutions diluées et modérées ont été analysées avec les équations du modèle primitif de Debye-Huckel-Onsager et de Fuoss. Quant aux solutions concentrées, les résultats ont été analysées avec le modèle de pseudo- pseudo réseau ionique et à l’équation empirique de Casteel-Amis, pour les solutions concentrées. La constante de Madelung obtenue, séparément, avec la conductivité et l’activité, donne des valeurs proches dont la moyenne est 1.64. Cette valeur est proche à celle donnée dans la littérature et suggère la structure cristalline Cubique Face Centrée (CFC). Ces deux paramètres physiques, bien qu’ils soient totalement différents, ils décrivent le même processus structurel de l’électrolyte lorsque la solution est très concentrée; d’où l’efficacité du pseudo-réseau ionique. Par ailleurs, les résultats de la conductivité électrique en fonction de la température ont été aussi analysés avec l’equation Vogel-Tamman-Fulcher (VTF). En effet, à basse température, l’ajout de LiCl au glycérol donne pratiquement la même température de la transition vitreuse que les sels des métaux alcalins NaCl et KCl. Enfin, l’ensemble des résultats converge vers la possibilité d’élaborer une pile écologique lithium à base de solvant non toxique le glycérol. إن تطوير بطارية الليثيوم عالية الناقلية في درجة حرارة منخفضة قائم على أساس اختيار الملح والمذيبات العضوية للحصول على محلول كهربائي ذوناقلية عالية. بهدف تصميم بطارية ايكولوجية، اخترنا الجلسرين (الجلسرين) كمذيب عضوي. المحلول الكهربائي لهذه البطارية جدير بالدراسة لأنه محلول عضوي نظيف و لزج و استرطابي و من ملح معدني نشط كهربائي. و في الشان التجريبي، الصعوبات المتعلقة باللزوجة و الاسترطاب للمديب العضوي و للنشاط الكهربائي للملح قد تم معالجتهم و أخيرا تحصلنا على نتائج مفيدة.بالإضافة إلى ذلك، من أجل فهم ظواهر النقل الكهربائي في المحاليل المركزة لهذا المذيب، لقد حللنا النتائج التجريبية للناقلية الكهربائية بدلالة التركيز. نتائج المحلول الممدد و متوسطة بمعادلات و نمودج فيما يخص الــمحاليل الــمركزة، فقد تم تحليلهـم بالنموذج الشبه الشبكــي الشـــاردي و المعادلة التجريبية من جهة أخرى، نتائج الناقلية الكهربائية بدلالة الحرارة تم تم تحليلها بواسطة معادلة في الواقع إضافة الملح إلى المذيب بالنسبة لكلوريد الليتيوم يعطي عمليا نفس درجة حرارة التصلب مثل كلوريد الصوديوم و كلوريد البوتاسيوم. Directeur de thèse : KAMECHE Mostefa

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2548	02-09-525	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

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Modèlisation d'une Chaine d'acquisition d'images d'une camèra à base d'un Dispositif Micro-Optoèlectronique Embarquèe / REBHI Mustapha

Public ISBD Titre : Modèlisation d'une Chaine d'acquisition d'images d'une camèra à base d'un Dispositif Micro-Optoèlectronique Embarquèe Type de document : texte imprimé Auteurs : REBHI Mustapha, Auteur Année de publication : 2005 Importance : 116 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : imagerie spatiale  teledetection  les captèurs ccd  acquisition d'images  tèchniques d'acquistion bruit  modelisation et traitèment d'images  d'acquisition d'images d'une camèra Résumé : de nos jours, les systèmes d'imagerie spatiale ne cessent d'èvoluer de façon exponentielle et puisque les calculateurs offrent, par leur robustesse et prouesse de calcul, de très bons outils de conception et d'analyse, il a ètè question dans ce mèmoire de traiter de "modèlisation d'une chaine d'acquisition d'images d'une camèra à base d'un dispositif micro-optoèlectronique embarquèe" proposè par M le pr abderrahmane BELGHORAF du dèpartement d'èlectronique de i'USTO. tout d'abord, il ètait impèratif de citer des rappels essentiels en orbitologie et imagerie spatiale, puis de tèlèdètection, le tout agissant sur la monture de la camèra. Directeur de thèse : BELGHORAF Abderrahmane Modèlisation d'une Chaine d'acquisition d'images d'une camèra à base d'un Dispositif Micro-Optoèlectronique Embarquèe [texte imprimé] / REBHI Mustapha, Auteur . - 2005 . - 116 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : imagerie spatiale  teledetection  les captèurs ccd  acquisition d'images  tèchniques d'acquistion bruit  modelisation et traitèment d'images  d'acquisition d'images d'une camèra Résumé : de nos jours, les systèmes d'imagerie spatiale ne cessent d'èvoluer de façon exponentielle et puisque les calculateurs offrent, par leur robustesse et prouesse de calcul, de très bons outils de conception et d'analyse, il a ètè question dans ce mèmoire de traiter de "modèlisation d'une chaine d'acquisition d'images d'une camèra à base d'un dispositif micro-optoèlectronique embarquèe" proposè par M le pr abderrahmane BELGHORAF du dèpartement d'èlectronique de i'USTO. tout d'abord, il ètait impèratif de citer des rappels essentiels en orbitologie et imagerie spatiale, puis de tèlèdètection, le tout agissant sur la monture de la camèra. Directeur de thèse : BELGHORAF Abderrahmane

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2296	02-09-275	version papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt

Modèlisation et Simulation des Micro Piles à Combustible (DMFC) / BENMESSAOUD Mourad

Public ISBD Titre : Modèlisation et Simulation des Micro Piles à Combustible (DMFC) Type de document : texte imprimé Auteurs : BENMESSAOUD Mourad, Auteur Année de publication : 2006 Importance : 86 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : mèthanol direct(DMFC)  modèlisation dynamique de la DMEC  micro plies à combustible (dmfc) Résumé : l'hydrogèn peut apporter une rèponse aux enjeux climatiques en permettant de rationaliser l'utilisation des ènergies renouvelables le mèthanol qui n'existe pas à l'ètat naturel, peut en effet ètre synthètise à partir des ènergies renouvelables. la pile à combustible (pac)s'impose alors naturellement comme le chainon manquant en transformant l'ènergie chimique en ènergie èlectrique pouvant ètre manipulèe avec des rendements èlevès. dans ce travail nous intèresserons qu'aux piles de basses tempèratures à base de mèthanol direct (DMFC) contenant une membrne de polymère à èchange de protons dans le premier chapitre, nous prèsentons les objectife de notre approche par circuits èlectriques de la modèlisation de pile à combustible DMFC, des èlèments technologiques et le principe de fonctionnent, une description gènèrale des phènomènes physico-chimiques le second chapitre, nous dècrivons le modèle de sundmacher par des rèactions chimiques et des èquations diffèrentielles toute on appliquant ces mèthodologies à la modèlisation d'une mono cellule finalement, nous procèdons à la simulation du modèle traitè prècèdemment par l'exècution d'un code sous matlab, suivi par une conclusion. Directeur de thèse : A BOUDGHENE Stambouli Modèlisation et Simulation des Micro Piles à Combustible (DMFC) [texte imprimé] / BENMESSAOUD Mourad, Auteur . - 2006 . - 86 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:Micro Optoélectronique Mots-clés : mèthanol direct(DMFC)  modèlisation dynamique de la DMEC  micro plies à combustible (dmfc) Résumé : l'hydrogèn peut apporter une rèponse aux enjeux climatiques en permettant de rationaliser l'utilisation des ènergies renouvelables le mèthanol qui n'existe pas à l'ètat naturel, peut en effet ètre synthètise à partir des ènergies renouvelables. la pile à combustible (pac)s'impose alors naturellement comme le chainon manquant en transformant l'ènergie chimique en ènergie èlectrique pouvant ètre manipulèe avec des rendements èlevès. dans ce travail nous intèresserons qu'aux piles de basses tempèratures à base de mèthanol direct (DMFC) contenant une membrne de polymère à èchange de protons dans le premier chapitre, nous prèsentons les objectife de notre approche par circuits èlectriques de la modèlisation de pile à combustible DMFC, des èlèments technologiques et le principe de fonctionnent, une description gènèrale des phènomènes physico-chimiques le second chapitre, nous dècrivons le modèle de sundmacher par des rèactions chimiques et des èquations diffèrentielles toute on appliquant ces mèthodologies à la modèlisation d'une mono cellule finalement, nous procèdons à la simulation du modèle traitè prècèdemment par l'exècution d'un code sous matlab, suivi par une conclusion. Directeur de thèse : A BOUDGHENE Stambouli

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2327	02-09-305	version papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt