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Etude des distributions de conductance des systèmes désordonnés à deux dimensions / MERGHACHE Amar 

Public ISBD Titre : Etude des distributions de conductance des systèmes désordonnés à deux dimensions Type de document : document électronique Auteurs : MERGHACHE Amar, Auteur Année de publication : 2015 Importance : 68 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Nano biomatéraux/Nano - Bio - ionique Mots-clés : désordre, transition d’Anderson, modèle d’Anderson, exposant de Lyapunov, délocalisation-localisation, distribution de conductance Résumé : Jusqu’au début des années 90, les analyses des mécanismes de transport dans les systèmes 2D tels les transistors à effet de champ à base de Silicium (MOSFET Si), étaient en accord avec la théorie d’échelle, confirmant l’absence de transition métal-isolant à 2D. Dans ce contexte, les observationsde Kravchenko et al sur des MOSFETs Si montrant un comportement métallique à basse température ont soulevé de nombreuses questions et ont conduit à un regain d’intérêt pour l’étude numérique des systèmes 2D. Le but de ce mémoire est de chercher la possibilité d’une telle transition pour les systèmes 2D désordonnés. Pour cela nous avons utilisé le modèle d’Anderson sans interactions et à température nulle afin de calculer les exposants de Lyapunov (ELs) à l’aide de la méthode de la matrice de transfert (MMT). Nous avons examiné particulièrement l’effet du désordre, de la taille et de l’énergie sur le comportement de l’exposant de Lyapunov minimum dont l’inverse représente la longueur de localisation puis nous nous sommes intéressésà la distribution de conductance. Une transition de type délocalisation-localisation a été trouvée à l’énergie nulle pour les systèmes désordonnés 2D contrairement aux résultats d’Abrahams et al. Cette délocalisation des états électroniques est aussi vérifiée par la distribution de conductance Directeur de thèse : HAMDACHE Fatima Etude des distributions de conductance des systèmes désordonnés à deux dimensions [document électronique] / MERGHACHE Amar, Auteur . - 2015 . - 68 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Nano biomatéraux/Nano - Bio - ionique Mots-clés : désordre, transition d’Anderson, modèle d’Anderson, exposant de Lyapunov, délocalisation-localisation, distribution de conductance Résumé : Jusqu’au début des années 90, les analyses des mécanismes de transport dans les systèmes 2D tels les transistors à effet de champ à base de Silicium (MOSFET Si), étaient en accord avec la théorie d’échelle, confirmant l’absence de transition métal-isolant à 2D. Dans ce contexte, les observationsde Kravchenko et al sur des MOSFETs Si montrant un comportement métallique à basse température ont soulevé de nombreuses questions et ont conduit à un regain d’intérêt pour l’étude numérique des systèmes 2D. Le but de ce mémoire est de chercher la possibilité d’une telle transition pour les systèmes 2D désordonnés. Pour cela nous avons utilisé le modèle d’Anderson sans interactions et à température nulle afin de calculer les exposants de Lyapunov (ELs) à l’aide de la méthode de la matrice de transfert (MMT). Nous avons examiné particulièrement l’effet du désordre, de la taille et de l’énergie sur le comportement de l’exposant de Lyapunov minimum dont l’inverse représente la longueur de localisation puis nous nous sommes intéressésà la distribution de conductance. Une transition de type délocalisation-localisation a été trouvée à l’énergie nulle pour les systèmes désordonnés 2D contrairement aux résultats d’Abrahams et al. Cette délocalisation des états électroniques est aussi vérifiée par la distribution de conductance Directeur de thèse : HAMDACHE Fatima

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
8708	02-05-784	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Mémoire de Magister	Exclu du prêt

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