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Titre : Tatouage numérique de séquences d’images vidéo. Type de document : document électronique Auteurs : BOUREGBA Mounir, Auteur ; BENMOUSSAT Nawal, Directeur de thèse Année de publication : 2015 Importance : 106 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique Mots-clés : Tatouage numérique séquences vidéo insertion extraction de la marque invisibilité de la marque. Résumé : Dans ce mémoire, nous proposons une méthode de tatouage des séquences d’images vidéo opérant dans le domaine spatial. L’insertion de la marque se fait au niveau des bits les moins significatifs de chaque pixel de l’image et ce afin de préserver la qualité des images tatouée de la séquence vidéo.
L’algorithme proposé procède à l’insertion de la marque dans les images de la séquence vidéo en premier lieu, puis, le processus d’extraction est lancé afin de tester la performance du tatouage implémenté. La recherche se fait d’abord sur une seule trame d’image puis s’élargit à toutes les images constituant la séquence afin d’obtenir un message optimal. Les résultats expérimentaux indiquent que les images tatouées conservent leurs qualités originales.
La méthode du tatouage proposée a montré une forte robustesse face à plusieurs types attaques à savoir les transformations géométriques, le rognage, les bruits, la compression d’image AVI, la compression sans perte et la suppression et/ou l’intrusion de trames différentes dans les séquences d’images
Directeur de thèse : BENMOUSSAT Nawal Tatouage numérique de séquences d’images vidéo. [document électronique] / BOUREGBA Mounir, Auteur ; BENMOUSSAT Nawal, Directeur de thèse . - 2015 . - 106 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique Mots-clés : Tatouage numérique séquences vidéo insertion extraction de la marque invisibilité de la marque. Résumé : Dans ce mémoire, nous proposons une méthode de tatouage des séquences d’images vidéo opérant dans le domaine spatial. L’insertion de la marque se fait au niveau des bits les moins significatifs de chaque pixel de l’image et ce afin de préserver la qualité des images tatouée de la séquence vidéo.
L’algorithme proposé procède à l’insertion de la marque dans les images de la séquence vidéo en premier lieu, puis, le processus d’extraction est lancé afin de tester la performance du tatouage implémenté. La recherche se fait d’abord sur une seule trame d’image puis s’élargit à toutes les images constituant la séquence afin d’obtenir un message optimal. Les résultats expérimentaux indiquent que les images tatouées conservent leurs qualités originales.
La méthode du tatouage proposée a montré une forte robustesse face à plusieurs types attaques à savoir les transformations géométriques, le rognage, les bruits, la compression d’image AVI, la compression sans perte et la suppression et/ou l’intrusion de trames différentes dans les séquences d’images
Directeur de thèse : BENMOUSSAT Nawal Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2528 02-09-506 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
02-09-506.pdfAdobe Acrobat PDF Techniques de Mise en Serie des Transistors de Puissance pour la Moyenne et Haute Tension / CORTIZO Cabaleiro
Titre : Techniques de Mise en Serie des Transistors de Puissance pour la Moyenne et Haute Tension Type de document : texte imprimé Auteurs : CORTIZO Cabaleiro, Auteur Année de publication : 1984 Importance : 141 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique Mots-clés : convertisseur statique transistor de puissance moyenne tension connexion en sèrie dualitè hacheur onduleur convertisseur haute tension Résumé : l'ètude prèsentèe porte sur des techniques de connexion en sèrie des transistors de puissance dans le but d'atteindre des tensions compatibles avec les rèseaux et moyenne et haute tension.
la première partie examine les problèmes relatifs aux fonctionnement de transistor de puissance en sèrie dans les structures du type hacheur ou onduleur modulè:diverses solutions sont proposèes.
la deuxième partie est consacrèe aux onduleurs (non modulès ) un chapitre est consacrè à un convertisseur in direct cc/cc à ètage intermèdiaire moyenne frèquence utilisant 2 transistors de puissance en sèrie par demi-bras l'extension de ces onduleurs au triphasè est envisagè des rèsultats de simulations et d'essais illustrent les divers aspects.Directeur de thèse : M TRANNOY Techniques de Mise en Serie des Transistors de Puissance pour la Moyenne et Haute Tension [texte imprimé] / CORTIZO Cabaleiro, Auteur . - 1984 . - 141 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique Mots-clés : convertisseur statique transistor de puissance moyenne tension connexion en sèrie dualitè hacheur onduleur convertisseur haute tension Résumé : l'ètude prèsentèe porte sur des techniques de connexion en sèrie des transistors de puissance dans le but d'atteindre des tensions compatibles avec les rèseaux et moyenne et haute tension.
la première partie examine les problèmes relatifs aux fonctionnement de transistor de puissance en sèrie dans les structures du type hacheur ou onduleur modulè:diverses solutions sont proposèes.
la deuxième partie est consacrèe aux onduleurs (non modulès ) un chapitre est consacrè à un convertisseur in direct cc/cc à ètage intermèdiaire moyenne frèquence utilisant 2 transistors de puissance en sèrie par demi-bras l'extension de ces onduleurs au triphasè est envisagè des rèsultats de simulations et d'essais illustrent les divers aspects.Directeur de thèse : M TRANNOY Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2179 02-09-158 version papier Bibliothèque Centrale Thèse de Doctorat Exclu du prêt Technologie et Caracterisation de Structures mis Obtenues a Partir du Polysiloxane, en Obscurite et Sous Eclairement / RIAH Zoubida
Titre : Technologie et Caracterisation de Structures mis Obtenues a Partir du Polysiloxane, en Obscurite et Sous Eclairement Type de document : texte imprimé Auteurs : RIAH Zoubida, Auteur Année de publication : 1983 Importance : 154 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique Mots-clés : structure MIS. polymere technologie eclairement modelisation Résumé : Notre travail a ètè consacrè à l'amèlioration de la technologie des structures MIS ou l'isolant est le polysiloxane, ainsi qu'à la conception et la rèalisation de capacitès MIS à grille semi-transparente.
nous avons caractèrisè le substrat utilisè à partir du c(v) (dopage,rèsistivitè, durèe de vie, ètats de surface,...)
nous avons ègalement utikisè une mèthode frèquentielle pour caractèriser les structures MIS en obscuritè et sous èclairement, avec un modèle que nous proposonsDirecteur de thèse : M MORELIERE Technologie et Caracterisation de Structures mis Obtenues a Partir du Polysiloxane, en Obscurite et Sous Eclairement [texte imprimé] / RIAH Zoubida, Auteur . - 1983 . - 154 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique Mots-clés : structure MIS. polymere technologie eclairement modelisation Résumé : Notre travail a ètè consacrè à l'amèlioration de la technologie des structures MIS ou l'isolant est le polysiloxane, ainsi qu'à la conception et la rèalisation de capacitès MIS à grille semi-transparente.
nous avons caractèrisè le substrat utilisè à partir du c(v) (dopage,rèsistivitè, durèe de vie, ètats de surface,...)
nous avons ègalement utikisè une mèthode frèquentielle pour caractèriser les structures MIS en obscuritè et sous èclairement, avec un modèle que nous proposonsDirecteur de thèse : M MORELIERE Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2157 02-09-136 version papier Bibliothèque Centrale Thèse de Doctorat Exclu du prêt the Approximation of Discrete Tims Linear Systems Based on the use of Projections / DERRAS Belkacem
Titre : the Approximation of Discrete Tims Linear Systems Based on the use of Projections Type de document : texte imprimé Auteurs : DERRAS Belkacem, Auteur Année de publication : 1988 Importance : 197 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique Mots-clés : approximation methods characteristics and performance use of projections discrete time linear Résumé : the objective of this study is to introduce the internal projection approach for system approximation and to construct projections that are equivalent to several well-known approximation methods such as padè approximation method and some of its varations, modified least squares ( MLS) method, cauchy interpolation, pole assignment, singular value decomposition ( SVD) method, aigrain williams method, and time-varing approximation, in terms of the interanl projection approach, the approximations that result from all these methods appear to have a common interpretation which is simply the intoduction of a projection into a state space realization.
In this study, system approximation methode are classified into two main categories; namely; linear and nonlinear fach category includes several techniques and approaches which turn out to be no more than special cases of the internal projection approach moreover, using the internal projection approach, the structure of an approximation model appears to be the result of a slight modification in the original structure; which is the intoduction of a projection into the internal description ( state variable description) of the original system
Directeur de thèse : Clifford t Mullis the Approximation of Discrete Tims Linear Systems Based on the use of Projections [texte imprimé] / DERRAS Belkacem, Auteur . - 1988 . - 197 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique Mots-clés : approximation methods characteristics and performance use of projections discrete time linear Résumé : the objective of this study is to introduce the internal projection approach for system approximation and to construct projections that are equivalent to several well-known approximation methods such as padè approximation method and some of its varations, modified least squares ( MLS) method, cauchy interpolation, pole assignment, singular value decomposition ( SVD) method, aigrain williams method, and time-varing approximation, in terms of the interanl projection approach, the approximations that result from all these methods appear to have a common interpretation which is simply the intoduction of a projection into a state space realization.
In this study, system approximation methode are classified into two main categories; namely; linear and nonlinear fach category includes several techniques and approaches which turn out to be no more than special cases of the internal projection approach moreover, using the internal projection approach, the structure of an approximation model appears to be the result of a slight modification in the original structure; which is the intoduction of a projection into the internal description ( state variable description) of the original system
Directeur de thèse : Clifford t Mullis Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2135 02-09-115 version papier Bibliothèque Centrale Thèse de Doctorat Exclu du prêt Thermal and ion Beam Annealing Effects IN sb Implanted <100 >Ni Single Crystal / BELATTAR Abdelaziz
Titre : Thermal and ion Beam Annealing Effects IN sb Implanted <100 >Ni Single Crystal Type de document : texte imprimé Auteurs : BELATTAR Abdelaziz, Auteur Année de publication : 1993 Importance : 263 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique Mots-clés : literature review backscattering and channelling experimental techniques implanted <100>ni single crystal Résumé : this thesis attempte to investigate the mechanism of thermal and ion beam annealing of damaged layers in<100>ni single crystal formed by sb ion implantation at room temperature.
the work involved the ion implantation of 10 ions cm2 sb++ into <100>ni single crystal at 40 ke v at rt this formed an amorphous thin layer in the near surface two possible annealing processes were investigated firsly, isochronal annealing in the temperature range of 250-1100 c was studied using a temperature controlled furnace in the second process, the amporphous samples were irradiated with 1.5 me v ar or Xe ione at a constant temperature of 350 c however to accomplish this a high energy irradiation facility needed to be designed and commissioned usig the Van de Graaff accelerator this involved the building of a beam line together with a target chamber with a 2 Mev xe ion capability the use of an electrostatic beam scanning system was very effective in increasing the uniformity of the irradiated samples the target chamber also incorporated hot and cold stages.
Directeur de thèse : G A Thermal and ion Beam Annealing Effects IN sb Implanted <100 >Ni Single Crystal [texte imprimé] / BELATTAR Abdelaziz, Auteur . - 1993 . - 263 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique Mots-clés : literature review backscattering and channelling experimental techniques implanted <100>ni single crystal Résumé : this thesis attempte to investigate the mechanism of thermal and ion beam annealing of damaged layers in<100>ni single crystal formed by sb ion implantation at room temperature.
the work involved the ion implantation of 10 ions cm2 sb++ into <100>ni single crystal at 40 ke v at rt this formed an amorphous thin layer in the near surface two possible annealing processes were investigated firsly, isochronal annealing in the temperature range of 250-1100 c was studied using a temperature controlled furnace in the second process, the amporphous samples were irradiated with 1.5 me v ar or Xe ione at a constant temperature of 350 c however to accomplish this a high energy irradiation facility needed to be designed and commissioned usig the Van de Graaff accelerator this involved the building of a beam line together with a target chamber with a 2 Mev xe ion capability the use of an electrostatic beam scanning system was very effective in increasing the uniformity of the irradiated samples the target chamber also incorporated hot and cold stages.
Directeur de thèse : G A Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2223 02-09-202 version papier Bibliothèque Centrale Thèse de Doctorat Exclu du prêt A Three-Phase Current Source Inverter / M ARROUF
PermalinkA Tms320/ IBM pc Coprocessor System for Digital Signal Processing Algorithms / BENNANE Aomar
PermalinkTraitement d'images stéréo: Calcul d'images Intermédiaires par une Méthode de Rectification-Interpolation / BERRABAH Soumia
Permalinkle Transistor a Effet de Champ a l'Arseniure de Gallium en Regime now-Lineaire d'Amplification Hyperfrequence de Puissance / KAMDEM Jean
PermalinkLe transistor hyperfréquence a effet de champ a l’arséniure de gallium;modelés mathématiques pour la conception assistée par ordinateur des circuits non linéaires. / Chérifa AZIZI
Permalinkle Transistor M.o.s de Puissance: la relaxation Thermique et les Effets lies a la Configuration N- N+ DU DRAIN / GAMBOA ZUNIGA Mariano
PermalinkA universal ultrasonic apparatus for measuring elastic constants of materials. / BOUHADJERA Abdelmalek
PermalinkUtilsation des Lasers Pulses Pour la Mesure de la Duree de vie des Porteurs dans les Dispositifs au Silicium: Exploitation de Photoreponses Electriques / BENZOHRA Mohammed
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