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Auteur Fatima KERTOUS
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Titre : Etude et modélisation d'un transtor MOSFET à Double-Grille sysmétrique. Type de document : document électronique Auteurs : Fatima KERTOUS, Auteur ; BOUTCHACHA. Touati, Directeur de thèse Année de publication : 2012 Importance : 95 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : MOSFET double-grille effet canal court effet DIBL MOSFETdouble-grille en mode symétrique l’architecture SOI. Résumé : L’évolution de la technologie des semi-conducteurs vers des géométries de plus en plus fines permet un accroissement des performances et des fonctionnalités par puce, mais ceci conduit cependant à l’apparition d’effets néfastes tels que l’effet DIBL. Pour minimiser ces effets, il est intéressant de se tourner vers de nouvelles architectures telles que l’architecture SOI double grille.
Nous proposons un modèle compact de transistor MOSFET à Double-Grille en mode symétrique. Ce modèle repose sur une expression analytique et explicite, simple à maitriser pour le dimensionnement. La dégradation de la pente sous le seuil, l’effet canal court, l’effet DIBL, la tension de saturation, la modulation de la longueur du canal sont bien pris en compte.
La simulation avec le programme de résolution des équations ‘Schrödinger- Poisson’, montre que l’architecture SOI double grille contrôle mieux le canal que l’architecture SOI à une seule grille. Les résultats obtenus montrent également que la diminution des paramètres technologiques (longueur du canal et l’épaisseur du canal) s’accompagne d’un accroissement important du courant de drain ID.
La validité de nos résultats a été confirmée en les comparant avec des simulations en 2D [65].Directeur de thèse : BOUTCHACHA. Touati Etude et modélisation d'un transtor MOSFET à Double-Grille sysmétrique. [document électronique] / Fatima KERTOUS, Auteur ; BOUTCHACHA. Touati, Directeur de thèse . - 2012 . - 95 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : MOSFET double-grille effet canal court effet DIBL MOSFETdouble-grille en mode symétrique l’architecture SOI. Résumé : L’évolution de la technologie des semi-conducteurs vers des géométries de plus en plus fines permet un accroissement des performances et des fonctionnalités par puce, mais ceci conduit cependant à l’apparition d’effets néfastes tels que l’effet DIBL. Pour minimiser ces effets, il est intéressant de se tourner vers de nouvelles architectures telles que l’architecture SOI double grille.
Nous proposons un modèle compact de transistor MOSFET à Double-Grille en mode symétrique. Ce modèle repose sur une expression analytique et explicite, simple à maitriser pour le dimensionnement. La dégradation de la pente sous le seuil, l’effet canal court, l’effet DIBL, la tension de saturation, la modulation de la longueur du canal sont bien pris en compte.
La simulation avec le programme de résolution des équations ‘Schrödinger- Poisson’, montre que l’architecture SOI double grille contrôle mieux le canal que l’architecture SOI à une seule grille. Les résultats obtenus montrent également que la diminution des paramètres technologiques (longueur du canal et l’épaisseur du canal) s’accompagne d’un accroissement important du courant de drain ID.
La validité de nos résultats a été confirmée en les comparant avec des simulations en 2D [65].Directeur de thèse : BOUTCHACHA. Touati Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2447 02-09-425 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
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