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Auteur HAMEL Olivier
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Faire une suggestion Affiner la rechercheÉlaboration des modèles comportementaux pour la simulation d’interrupteurs de puissance en commutation. / HAMEL Olivier
Titre : Élaboration des modèles comportementaux pour la simulation d’interrupteurs de puissance en commutation. Type de document : texte imprimé Auteurs : HAMEL Olivier, Auteur ; R. HAMELIN, Auteur Année de publication : 1988 Importance : 144 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique Mots-clés : Transistor M.O.S. diode composant puissance commutation modèle simulation. Résumé : Ce mémoire traite de la modélisation comportementale d’interrupteurs de puissance en commutation. Deux composants de puissance sont modélisés : la diode et le transistor M.O.S. chaque composant est considéré comme une « boîte noire », ce formalisme possédé de nombreux avantages tels que : un très bon comportement numérique, peu de paramètres physiques à extraire, la facilité d’association des différentes boîtes noires, … En ce qui concerne la diode, cette étude, bien que basée sur les équations classiques des semi-conducteurs, est originale et permet d’obtenir un modèle qui donne entière satisfaction dans un large domaine de conditions de commutation. A partir du modèle classique et semi-empirique du transistor M.O.S., un modèle qui prend en compte les capacités non linéaires est développé. Ce modèle donne des résultats cohérents aussi bien sur charge résistive qu’inductive.
L’association de ces deux modèles permet de simuler une cellule élémentaire de commutation et d’obtenir des résultats réalistes.
Ce travail est la première étape pour la réalisation d’un outil de simulation performant pour la C.A.O. en électronique de puissance.
Élaboration des modèles comportementaux pour la simulation d’interrupteurs de puissance en commutation. [texte imprimé] / HAMEL Olivier, Auteur ; R. HAMELIN, Auteur . - 1988 . - 144 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique Mots-clés : Transistor M.O.S. diode composant puissance commutation modèle simulation. Résumé : Ce mémoire traite de la modélisation comportementale d’interrupteurs de puissance en commutation. Deux composants de puissance sont modélisés : la diode et le transistor M.O.S. chaque composant est considéré comme une « boîte noire », ce formalisme possédé de nombreux avantages tels que : un très bon comportement numérique, peu de paramètres physiques à extraire, la facilité d’association des différentes boîtes noires, … En ce qui concerne la diode, cette étude, bien que basée sur les équations classiques des semi-conducteurs, est originale et permet d’obtenir un modèle qui donne entière satisfaction dans un large domaine de conditions de commutation. A partir du modèle classique et semi-empirique du transistor M.O.S., un modèle qui prend en compte les capacités non linéaires est développé. Ce modèle donne des résultats cohérents aussi bien sur charge résistive qu’inductive.
L’association de ces deux modèles permet de simuler une cellule élémentaire de commutation et d’obtenir des résultats réalistes.
Ce travail est la première étape pour la réalisation d’un outil de simulation performant pour la C.A.O. en électronique de puissance.
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