Titre : | Etude et modélisation d’une cellule HIT à base de silicium polymorphe | Type de document : | document électronique | Auteurs : | RACHED Djaaffar, Auteur | Année de publication : | 2010 | Importance : | 128 p. | Accompagnement : | CD | Langues : | Français (fre) | Catégories : | Physique:Option Traitement de surface et sciences des matériaux
| Mots-clés : | Cellule solaire photovoltaique , siliciul crisallin polymorphe , silicium amorphe , simulation , logiciel ASDMP, barriére , caractéristiques J=f (V) | Résumé : | Le travail effectué dans cette thése comporte deux parties , la premiére partie (chap I ,II,III ) présente ; l’étude des différents matériaux qui constituent les cellules solaires photovoltaique l’étude détaillée des hétérojonctions HIT (heterojuctions with intrinsic thin layer ) comprenant des substrats dopés n et dopés p ainsi que les différentes techniques de dépôt des matériau et enfin , la description détaillée du logiciel de simulation ASDMP ( amorphous semiconductor device modeling program ) utilisé pour nos simulations
la deuxiéme partie ( chap IV, V) porte essentiellement sur l’étude d’une structure HIT de type n’a base de silicium polymorphe (ITO /p –a Si ; H/i pm –si ; h /n –c-si ) ainso que d’une structure HIT de type à base de silicium polymorphe des (ITO /p –a Si ; H/i pm –si ; h /n –c-si ) l’objectif étant d’optimiiser les les rendements des cellules solaires et de déterminer la structure qui donne de meileurs résultats ,comme modèle de simulation , nous avons utilisé le logiciel ASDMP développé par le professur parsathi chatterjee , le group du professeur P roca de l’école polytechnique de paris France a démontré expérimentalement que ce logiciel reprodusait les performances des cellules solaires p –i-n etHIT
notre travail a consisté à démontrer que pour avoir des cellules HIT de type n de qualité il était important :
premiérement d’augmenter la hauteur que pour avoir des cellules HIT de type n de qualité , ilm était important
premiérement d’augmenter la hauteur de la barriére de potentiel entre l’oxyde transparent conducteur et la couche fenetre (ITO/p-aSiH )
deuxiémement de réduire l’effet des discontinuités au niveau du raccordement de la couche p-a Si II etde la couche p-a Si II et de la couche n-c pour cela il nous a fallu diminuer le gap de mobilité
troisiémement d’augmenter le dopage de la couche fenétre malgré sa détérioration afin de réduire les recombinaison dans la couche active (n-c-Si)
en revanche pour des cellules HIT de type p la variation de entre l’oxyde transparent conducteur et la couche fenétre n’engendre aucun changement dans les caractéristique J= f(V) en effet augmenter la hauteur de barriére de potentiel (augmentation du travail de sortie de L’ITO) conduit à une forte déplétion de l’émetteur ( n-si ; h) ce qui affecte considérablement la courbure de bande , elle s’accentue vers le haut , e qui s’oppose à la diffusion des électrons
ill est clair qu’après cette étude le choix du substrat est évident l’utilisation des structures HIT de type n Par SANYO reste le meilleur choix par rapport aux structures HIT de type p utilisées par les laboratoires europées
| Directeur de thèse : | MOSTEFAOUI Rachida |
Etude et modélisation d’une cellule HIT à base de silicium polymorphe [document électronique] / RACHED Djaaffar, Auteur . - 2010 . - 128 p. + CD. Langues : Français ( fre) Catégories : | Physique:Option Traitement de surface et sciences des matériaux
| Mots-clés : | Cellule solaire photovoltaique , siliciul crisallin polymorphe , silicium amorphe , simulation , logiciel ASDMP, barriére , caractéristiques J=f (V) | Résumé : | Le travail effectué dans cette thése comporte deux parties , la premiére partie (chap I ,II,III ) présente ; l’étude des différents matériaux qui constituent les cellules solaires photovoltaique l’étude détaillée des hétérojonctions HIT (heterojuctions with intrinsic thin layer ) comprenant des substrats dopés n et dopés p ainsi que les différentes techniques de dépôt des matériau et enfin , la description détaillée du logiciel de simulation ASDMP ( amorphous semiconductor device modeling program ) utilisé pour nos simulations
la deuxiéme partie ( chap IV, V) porte essentiellement sur l’étude d’une structure HIT de type n’a base de silicium polymorphe (ITO /p –a Si ; H/i pm –si ; h /n –c-si ) ainso que d’une structure HIT de type à base de silicium polymorphe des (ITO /p –a Si ; H/i pm –si ; h /n –c-si ) l’objectif étant d’optimiiser les les rendements des cellules solaires et de déterminer la structure qui donne de meileurs résultats ,comme modèle de simulation , nous avons utilisé le logiciel ASDMP développé par le professur parsathi chatterjee , le group du professeur P roca de l’école polytechnique de paris France a démontré expérimentalement que ce logiciel reprodusait les performances des cellules solaires p –i-n etHIT
notre travail a consisté à démontrer que pour avoir des cellules HIT de type n de qualité il était important :
premiérement d’augmenter la hauteur que pour avoir des cellules HIT de type n de qualité , ilm était important
premiérement d’augmenter la hauteur de la barriére de potentiel entre l’oxyde transparent conducteur et la couche fenetre (ITO/p-aSiH )
deuxiémement de réduire l’effet des discontinuités au niveau du raccordement de la couche p-a Si II etde la couche p-a Si II et de la couche n-c pour cela il nous a fallu diminuer le gap de mobilité
troisiémement d’augmenter le dopage de la couche fenétre malgré sa détérioration afin de réduire les recombinaison dans la couche active (n-c-Si)
en revanche pour des cellules HIT de type p la variation de entre l’oxyde transparent conducteur et la couche fenétre n’engendre aucun changement dans les caractéristique J= f(V) en effet augmenter la hauteur de barriére de potentiel (augmentation du travail de sortie de L’ITO) conduit à une forte déplétion de l’émetteur ( n-si ; h) ce qui affecte considérablement la courbure de bande , elle s’accentue vers le haut , e qui s’oppose à la diffusion des électrons
ill est clair qu’après cette étude le choix du substrat est évident l’utilisation des structures HIT de type n Par SANYO reste le meilleur choix par rapport aux structures HIT de type p utilisées par les laboratoires europées
| Directeur de thèse : | MOSTEFAOUI Rachida |
|