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Réalisation et caractérisation de Silicium poreux pour des applications optoélectroniques. / RAHMOUN Ilhem
Titre : Réalisation et caractérisation de Silicium poreux pour des applications optoélectroniques. Type de document : document électronique Auteurs : RAHMOUN Ilhem, Auteur Année de publication : 2009 Importance : 102 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : silicium, silicium poreux Doigts interdigités IDT, Photolithographie, Photo-détecteur, pulvérisation cathodique.
silicon, porous silicon Fingers interdigities IDT, Photolithography, Photodetector, cathode sputtering.Résumé : Une importante problématique concernant le silicium poreux est la compréhension des raisons qui en font un matériau fortement luminescent. Deux axes de recherche ont été orientés sur cette question. Le premier, formation du silicium poreux par attaque électrochimique d’une plaquette de silicium en milieu d’acide fluorhydrique concentré (HF), H2O et éthanol. L’autre axe de recherche concerne la réalisation d’un photo-détecteur avec le Silicium poreux / silicium monocristallin a fin de comparer les propriétés optoélectronique.
Ces dispositifs sont réalisés au moyen de la technique Radiofréquence RF et les étapes de photolithographie. Nous avons procédé à la réalisation des doigts interdigités IDT, par la technique de Micro-lithographie, et le dépôt de nickel Ni sur les IDT.
Pour cela nous avons développé la technique d’insolation en mode projection par un système optique. Le but de cette technique est la miniaturisation des dispositifs IDT.
Parmi les techniques de caractérisation utilisées dans notre travail ; la microscopie électronique à balayage MEB pour observer la surface de silicium poreux, la microscopie optique pour les dispositifs IDT et la caractérisation optique et électrique de silicium.
Important problems concerning porous silicon are the comprehension of the reasons which make a strongly luminescent material of it. Two research orientations were directed towards this question. The first, formation of porous silicon by electrochemical attack of a silicon plate in medium of concentrated hydrofluoric acid (HF) and ethanol. The other research orientation relates to the realization of a photodetector on silicon and porous silicon has fine to compare the properties optoelectronics. These devices are carried out by means of the technique Radiofréquence RF and the stages of photolithography. We proceeded to the realization of the fingers interdigities IDT, by the technique of Microlithography, and the nickel deposit on the IDT. For that we developed the technique of exposure in projection mode by an optical system. The goal of this technique is the miniaturization of devices IDT. Among the techniques of characterization used in our work; electronic scanning microscopy MEB to observe the porous silicon surface, optical microscopy for devices IDT and the optical and electric characterization of photo-detector.Directeur de thèse : HAMZAOUI Saad Réalisation et caractérisation de Silicium poreux pour des applications optoélectroniques. [document électronique] / RAHMOUN Ilhem, Auteur . - 2009 . - 102 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : silicium, silicium poreux Doigts interdigités IDT, Photolithographie, Photo-détecteur, pulvérisation cathodique.
silicon, porous silicon Fingers interdigities IDT, Photolithography, Photodetector, cathode sputtering.Résumé : Une importante problématique concernant le silicium poreux est la compréhension des raisons qui en font un matériau fortement luminescent. Deux axes de recherche ont été orientés sur cette question. Le premier, formation du silicium poreux par attaque électrochimique d’une plaquette de silicium en milieu d’acide fluorhydrique concentré (HF), H2O et éthanol. L’autre axe de recherche concerne la réalisation d’un photo-détecteur avec le Silicium poreux / silicium monocristallin a fin de comparer les propriétés optoélectronique.
Ces dispositifs sont réalisés au moyen de la technique Radiofréquence RF et les étapes de photolithographie. Nous avons procédé à la réalisation des doigts interdigités IDT, par la technique de Micro-lithographie, et le dépôt de nickel Ni sur les IDT.
Pour cela nous avons développé la technique d’insolation en mode projection par un système optique. Le but de cette technique est la miniaturisation des dispositifs IDT.
Parmi les techniques de caractérisation utilisées dans notre travail ; la microscopie électronique à balayage MEB pour observer la surface de silicium poreux, la microscopie optique pour les dispositifs IDT et la caractérisation optique et électrique de silicium.
Important problems concerning porous silicon are the comprehension of the reasons which make a strongly luminescent material of it. Two research orientations were directed towards this question. The first, formation of porous silicon by electrochemical attack of a silicon plate in medium of concentrated hydrofluoric acid (HF) and ethanol. The other research orientation relates to the realization of a photodetector on silicon and porous silicon has fine to compare the properties optoelectronics. These devices are carried out by means of the technique Radiofréquence RF and the stages of photolithography. We proceeded to the realization of the fingers interdigities IDT, by the technique of Microlithography, and the nickel deposit on the IDT. For that we developed the technique of exposure in projection mode by an optical system. The goal of this technique is the miniaturization of devices IDT. Among the techniques of characterization used in our work; electronic scanning microscopy MEB to observe the porous silicon surface, optical microscopy for devices IDT and the optical and electric characterization of photo-detector.Directeur de thèse : HAMZAOUI Saad Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8510 02-05-587 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Réalisation et caractérisation de Silicium poreux pour des applications optoélectroniquesAdobe Acrobat PDF Réalisation d'un transducteur piézoélectrique IDF miniature à base d'une couche mince de ZnO dopé cuivre / SAFOU Abdelkader
Titre : Réalisation d'un transducteur piézoélectrique IDF miniature à base d'une couche mince de ZnO dopé cuivre Type de document : texte imprimé Auteurs : SAFOU Abdelkader, Auteur Année de publication : 2009 Importance : 92p Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : Transducteur piézoélectrique , doigts interdigités IDT , photolithographie , piézoélectricité ZnO, pulvérisation cathodique RF Résumé : Dans ce travail et au sein de laboratoire de microscopie electronique et sciences des matériaux LMESM , nous avons mis les étapes nécessaires pour aboutir à la technologie des transducteurs IDT piézoélectriques de la synthése des couches minces d’oxyde de zin dopé cuivre au moyen de la technique radiofréquence R.F et la réalisation des doigts interdigités miniatures IDT sur des substrats du verre , silicium et quartz avec une microlocalisation du ZnO Piézoélectrique sur les IDT
ces dispositifs sont réalisés au moyen de la technique radiofréquence RF et les étapes de photolithographie nous avons procédé à la réalisation des doigts interdigités IDI par la technique de microlithographie et le dépôt des couches du ZnO ,Cu sur les IDT
pour cela nous avons développé la technique d’insolation en mode projection par un sqystéme optique le but de cette technique est la miniaturisation des dispositifs IDT
la réduction minimale obtenue est de 1 :30 qui a permis d’obtenir des IDT fins de largeur et d’espacement 5 micrométres , cette technique dévelooppée au sein du laboratoire LMESM à permis d’améliorer le facteur de miniaturisation d’un ordre de 30 par rapport aux travaux déjà entretenus dans notre laboratoire
Directeur de thèse : HAMZAOUI Saad Réalisation d'un transducteur piézoélectrique IDF miniature à base d'une couche mince de ZnO dopé cuivre [texte imprimé] / SAFOU Abdelkader, Auteur . - 2009 . - 92p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : Transducteur piézoélectrique , doigts interdigités IDT , photolithographie , piézoélectricité ZnO, pulvérisation cathodique RF Résumé : Dans ce travail et au sein de laboratoire de microscopie electronique et sciences des matériaux LMESM , nous avons mis les étapes nécessaires pour aboutir à la technologie des transducteurs IDT piézoélectriques de la synthése des couches minces d’oxyde de zin dopé cuivre au moyen de la technique radiofréquence R.F et la réalisation des doigts interdigités miniatures IDT sur des substrats du verre , silicium et quartz avec une microlocalisation du ZnO Piézoélectrique sur les IDT
ces dispositifs sont réalisés au moyen de la technique radiofréquence RF et les étapes de photolithographie nous avons procédé à la réalisation des doigts interdigités IDI par la technique de microlithographie et le dépôt des couches du ZnO ,Cu sur les IDT
pour cela nous avons développé la technique d’insolation en mode projection par un sqystéme optique le but de cette technique est la miniaturisation des dispositifs IDT
la réduction minimale obtenue est de 1 :30 qui a permis d’obtenir des IDT fins de largeur et d’espacement 5 micrométres , cette technique dévelooppée au sein du laboratoire LMESM à permis d’améliorer le facteur de miniaturisation d’un ordre de 30 par rapport aux travaux déjà entretenus dans notre laboratoire
Directeur de thèse : HAMZAOUI Saad Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 8589 02-05-665 version papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt
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