Capteur de gaz à nanostructure / BOUCHOUL Ouahiba 

Public ISBD Titre : Capteur de gaz à nanostructure Type de document : document électronique Auteurs : BOUCHOUL Ouahiba, Auteur Année de publication : 2012 Importance : 91p Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : oxyde de zinc, nanostructure, micro pipetage. Spray Résumé : Le travail présenté dans ce mémoire a été réalisé au sein du Laboratoire de Microscopie Electronique et Structure des Matériaux « L.M.E.S.M. » de l’Université des Sciences et de la Technologie d’Oran « Mohammed Boudiaf ». L’objectif de notre travail est la réalisation des couches minces de ZnO par voie humide micro pipetage à différentes température. La technique sens développées au sein de notre laboratoire. L’élaboration de film en fonction de la température a relevé de la structure granulaire à basse température et nanostructure à haut température, ces dernières possèdent une sensibilité aux gaz puisqu’on arrive à détecter les gaz à température ambiante. Les observations par microscopie optique et microscopie électronique à balayage confirment La présence de la phase nanostructure et la caractérisation par transmission optique donne un gap optique de presque de 3,8 e V. Directeur de thèse : HAMZAOUI Saad Capteur de gaz à nanostructure [document électronique] / BOUCHOUL Ouahiba, Auteur . - 2012 . - 91p + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : oxyde de zinc, nanostructure, micro pipetage. Spray Résumé : Le travail présenté dans ce mémoire a été réalisé au sein du Laboratoire de Microscopie Electronique et Structure des Matériaux « L.M.E.S.M. » de l’Université des Sciences et de la Technologie d’Oran « Mohammed Boudiaf ». L’objectif de notre travail est la réalisation des couches minces de ZnO par voie humide micro pipetage à différentes température. La technique sens développées au sein de notre laboratoire. L’élaboration de film en fonction de la température a relevé de la structure granulaire à basse température et nanostructure à haut température, ces dernières possèdent une sensibilité aux gaz puisqu’on arrive à détecter les gaz à température ambiante. Les observations par microscopie optique et microscopie électronique à balayage confirment La présence de la phase nanostructure et la caractérisation par transmission optique donne un gap optique de presque de 3,8 e V. Directeur de thèse : HAMZAOUI Saad

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Effet du dopage par le manganèse et le cobalt, sur les propriétés structurales et optiques des couches minces nanostructurées de ZnO préparées par spray pyrolyse ultrasonique / KHARROUBI Bachir 

Public ISBD Titre : Effet du dopage par le manganèse et le cobalt, sur les propriétés structurales et optiques des couches minces nanostructurées de ZnO préparées par spray pyrolyse ultrasonique Type de document : texte imprimé Auteurs : KHARROUBI Bachir, Auteur Année de publication : 2014 Importance : 145 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : Couches minces, ZnO, Spray pyrolyse ultrasonique, würtzite, métaux de transitions. Thin films, ZnO, ultrasonic spray pyrolysis, Würtzite, transition metals شرائح رقيقة، ZnO ، رش فوق صوتي، وارتزيت، معادن انتقالية Résumé : ZnO est un semi-conducteur du groupe II-VI avec un large gap de 3.37 eV et une large énergie excitonique de 60 meV à 300 °K. L’oxyde de zinc est attractive pours ces potentiels applications dans différents domaines de l’optoélectronique et dans les dispositifs de stockage de l’information. Dans ce contexte que deux ensembles de films de ZnO dopés manganèse (0, 1, 3 et 5 at%) et cobalt (0, 1, 3, 5, 7, 9, 11 et 13 at%), ont été déposés par une technique simple la spray pyrolyse ultrasonique sous la pression atmosphérique. La température du substrat a été fixée à 350 °C et le débit du gaz porteur à 0.25 l/min. Les paramètres de réseau calculés à partir de la DRX pour les films de ZnO :Mn sont légèrement large que ceux du ZnO cristallin indiquant bien la substitution des atomes de Zn par ceux du Mn. L’effet du Mn est très notable sur les spectres Raman et le gap optique augmente avec le dopage mettant en évidence l’effet Moss-Burstein. Par ailleurs, la présence de pics additionnels autour de 235, 470 et 538 cm-1 sont due à l’incorporation du cobalt. Ces résultats montrent que les ions de cobalt Co2+ remplacent ceux du Mn2+ dans la matrice hôte du ZnO sans changé sa structure würtzite. Les mesures optiques montrent des puits d’absorption autour de 570 (2.18 eV), 620 (2.02 eV) et 660 nm (1.88 eV) qui apparaissent sur les spectres de transmission des films de ZnO dopé cobalt confirmant les résultats de la DRX et la spectroscopie de diffusion Raman. ZnO is an II–VI group semiconductor with a wide band gap of 3.37 eV and large exciton energy of 60 meV at 300 °K. Zinc oxide (ZnO) has been attracted a great deal of scientific attention because of their potential applications in the field of optoelectronics and data storage devices. In this fact, tow sets of samples of Mn-doped ZnO (ZnO:Mn) Co-doped ZnO (ZnO:Co) nanostructured thin films, with different percentage of Mn content (0, 1, 3 and 5 at%) and Co content (0, 1, 3, 5, 7, 9, 11, 13 at%) were deposited by a simple ultrasonic spray pyrolysis method under atmospheric pressure. Substrate temperature was fixed at 350 °C and the spray rate was maintained at 0.25 litre min−1. The lattice parameters calculated for the Mn-doped ZnO from XRD pattern were found to be slightly larger than those of the undoped ZnO, which indicate substitution of Mn in ZnO lattice. Compared with the Raman spectra for ZnO pure films, the Mn-doping effect on the spectra is revealed by the presence of additional peak around 524 cm-1 due to Mn incorporation. With increasing Mn doping the optical band gap increases indicating the Burstein-Moss effect. However, the Co-doping effect on the Raman spectra is revealed by the presence of three additional peaks around 235, 470 and 538 cm-1 due to Co incorporation. These results show that cobalt ions, in the oxidation state of Co2+, replace Zn2+ ions into the ZnO lattice without changing its wurtzite structure. The optical measurements shows absorption wells at approximately 570 (2.18 eV), 620 (2.02 eV) and 660 nm (1.88 eV) appearing in the spectra of the Co-doped samples in comparison with pure ZnO confirming XRD and Raman spectroscopy results. في هذا العمل قمنا بتحضير شرائح رقيقة لأكسيد الزنك غير المطعمة و المطعمة بالمنغنيز و بالكوبالت باستعمال طريقة الرش فوق الصوتي. وضعت الشرائح فوق مساند من الزجاج و السيليكون لمجموعتين من العينات المطعمة بالمنغنيز(0, 1, 3 و 5 at%) و بالكوبالت (0, 1, 3, 5, 7, 9, 11, 13 at%). قمنا بدراسة الخصائص البنيوية , الضوئية و الكھربائية للعينات المحضرة من خلال التغيير في عامل الحرارة و نسبة التطعيم وذلك باستعمال محرف الأشعة السينية , مطياف الأشعة تحت الحمراء, مطياف رامان ، مطيا ف الأشعة فوق البنفسجية والمرئية و أخيرا القياسات الكهربائية. بينت أطياف الأشعة السينية أن العينات المحصل عليھا هي ذات بنية بلورية سداسية من نوع وارتزيت . الشرائح الرقيقة لأكسيد الزنك لھا شفافية في المجال المرئي تفوق 85 % و مع زيادة المنغنيز تزيد الفجوة البصرية بفعل ظاهرة burstein-moss أيضا أطياف راما تكشف عن وجود ثلاثة قمم حوالى 235, 470 و 538 cm-1 تؤكد عن تفاعل ذرات الكوبالت مع ذرات الزنك. Directeur de thèse : BAGHDAD Rachid Effet du dopage par le manganèse et le cobalt, sur les propriétés structurales et optiques des couches minces nanostructurées de ZnO préparées par spray pyrolyse ultrasonique [texte imprimé] / KHARROUBI Bachir, Auteur . - 2014 . - 145 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : Couches minces, ZnO, Spray pyrolyse ultrasonique, würtzite, métaux de transitions. Thin films, ZnO, ultrasonic spray pyrolysis, Würtzite, transition metals شرائح رقيقة، ZnO ، رش فوق صوتي، وارتزيت، معادن انتقالية Résumé : ZnO est un semi-conducteur du groupe II-VI avec un large gap de 3.37 eV et une large énergie excitonique de 60 meV à 300 °K. L’oxyde de zinc est attractive pours ces potentiels applications dans différents domaines de l’optoélectronique et dans les dispositifs de stockage de l’information. Dans ce contexte que deux ensembles de films de ZnO dopés manganèse (0, 1, 3 et 5 at%) et cobalt (0, 1, 3, 5, 7, 9, 11 et 13 at%), ont été déposés par une technique simple la spray pyrolyse ultrasonique sous la pression atmosphérique. La température du substrat a été fixée à 350 °C et le débit du gaz porteur à 0.25 l/min. Les paramètres de réseau calculés à partir de la DRX pour les films de ZnO :Mn sont légèrement large que ceux du ZnO cristallin indiquant bien la substitution des atomes de Zn par ceux du Mn. L’effet du Mn est très notable sur les spectres Raman et le gap optique augmente avec le dopage mettant en évidence l’effet Moss-Burstein. Par ailleurs, la présence de pics additionnels autour de 235, 470 et 538 cm-1 sont due à l’incorporation du cobalt. Ces résultats montrent que les ions de cobalt Co2+ remplacent ceux du Mn2+ dans la matrice hôte du ZnO sans changé sa structure würtzite. Les mesures optiques montrent des puits d’absorption autour de 570 (2.18 eV), 620 (2.02 eV) et 660 nm (1.88 eV) qui apparaissent sur les spectres de transmission des films de ZnO dopé cobalt confirmant les résultats de la DRX et la spectroscopie de diffusion Raman. ZnO is an II–VI group semiconductor with a wide band gap of 3.37 eV and large exciton energy of 60 meV at 300 °K. Zinc oxide (ZnO) has been attracted a great deal of scientific attention because of their potential applications in the field of optoelectronics and data storage devices. In this fact, tow sets of samples of Mn-doped ZnO (ZnO:Mn) Co-doped ZnO (ZnO:Co) nanostructured thin films, with different percentage of Mn content (0, 1, 3 and 5 at%) and Co content (0, 1, 3, 5, 7, 9, 11, 13 at%) were deposited by a simple ultrasonic spray pyrolysis method under atmospheric pressure. Substrate temperature was fixed at 350 °C and the spray rate was maintained at 0.25 litre min−1. The lattice parameters calculated for the Mn-doped ZnO from XRD pattern were found to be slightly larger than those of the undoped ZnO, which indicate substitution of Mn in ZnO lattice. Compared with the Raman spectra for ZnO pure films, the Mn-doping effect on the spectra is revealed by the presence of additional peak around 524 cm-1 due to Mn incorporation. With increasing Mn doping the optical band gap increases indicating the Burstein-Moss effect. However, the Co-doping effect on the Raman spectra is revealed by the presence of three additional peaks around 235, 470 and 538 cm-1 due to Co incorporation. These results show that cobalt ions, in the oxidation state of Co2+, replace Zn2+ ions into the ZnO lattice without changing its wurtzite structure. The optical measurements shows absorption wells at approximately 570 (2.18 eV), 620 (2.02 eV) and 660 nm (1.88 eV) appearing in the spectra of the Co-doped samples in comparison with pure ZnO confirming XRD and Raman spectroscopy results. في هذا العمل قمنا بتحضير شرائح رقيقة لأكسيد الزنك غير المطعمة و المطعمة بالمنغنيز و بالكوبالت باستعمال طريقة الرش فوق الصوتي. وضعت الشرائح فوق مساند من الزجاج و السيليكون لمجموعتين من العينات المطعمة بالمنغنيز(0, 1, 3 و 5 at%) و بالكوبالت (0, 1, 3, 5, 7, 9, 11, 13 at%). قمنا بدراسة الخصائص البنيوية , الضوئية و الكھربائية للعينات المحضرة من خلال التغيير في عامل الحرارة و نسبة التطعيم وذلك باستعمال محرف الأشعة السينية , مطياف الأشعة تحت الحمراء, مطياف رامان ، مطيا ف الأشعة فوق البنفسجية والمرئية و أخيرا القياسات الكهربائية. بينت أطياف الأشعة السينية أن العينات المحصل عليھا هي ذات بنية بلورية سداسية من نوع وارتزيت . الشرائح الرقيقة لأكسيد الزنك لھا شفافية في المجال المرئي تفوق 85 % و مع زيادة المنغنيز تزيد الفجوة البصرية بفعل ظاهرة burstein-moss أيضا أطياف راما تكشف عن وجود ثلاثة قمم حوالى 235, 470 و 538 cm-1 تؤكد عن تفاعل ذرات الكوبالت مع ذرات الزنك. Directeur de thèse : BAGHDAD Rachid

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Effet du dopage par le manganèse et le cobalt, sur les propriétés structurales et optiques des couches minces nanostructurées de ZnO préparées par spray pyrolyse ultrasonique Adobe Acrobat PDF

Elaboration et caractérisation d’une couche tampon ZnS Pour les applications cellules solaire / DJELLOUL Abdelkader 

Public ISBD Titre : Elaboration et caractérisation d’une couche tampon ZnS Pour les applications cellules solaire Type de document : document électronique Auteurs : DJELLOUL Abdelkader, Auteur Année de publication : 2011 Importance : 111 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : ZnS, couche tampon, SILAR, CBD, hétérojonctions Résumé : Le Sulfure de Zinc appartient au groupe II-VI des matériaux composés semiconducteurs. Le ZnS est un matériau semiconducteur très important avec un grand gap optique (>3,5 eV), dont une grande utilité dans les dispositifs en couches minces, comme les dispositifs photoluminescents et diodes électroluminescentes. En outre, le ZnS est un matériau important dans les diodes émettrices en petite longueur d’onde et dans les cellules solaires à base des couches mince en hétérojonctions comme couche tampon. Dans ce travail, on s’est intéressé à l’élaboration des couches minces d’un semiconducteur de type II-VI : le sulfure de Zinc (ZnS), et à l'étude de ces propriétés optiques, électriques, structurales et morphologique qui ont été préparées par deux téchniques le bain chimique CBD (Chemical Bath Deposition) et le SILAR (Successive Ionique Layer Adsorption and Reaction). Notre objectif est de donner une étude compréhensive sur l’effet du temps de dépôt et le nombre de cycle sur les propriétés physiques de couches minces de ZnS. Dans la première partie de ce travail nous avons mis au point les techniques de dépôt ; la deuxième partie, est relative à l’élaboration d’une série de films avec différentes conditions de déposition en vue d’une optimisation du procédé dans le but d'obtenir de films avec de bonnes propriétés optoélectroniques pour être appliqués éventuellement en photovoltaïque. Nous avons ensuite effectué des analyses d’échantillons élaborés par différentes techniques de caractérisation : DRX, MEB, EDAX, mesures électriques et optiques, la photoconductivité et enfin la caractirisation I(V) du l’hétréjonction [(SnO2 : F)/ZnS], [(ZnO : Al)/ZnS], [ZnS/CIS]. Directeur de thèse : ADNANE Mohamed Elaboration et caractérisation d’une couche tampon ZnS Pour les applications cellules solaire [document électronique] / DJELLOUL Abdelkader, Auteur . - 2011 . - 111 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : ZnS, couche tampon, SILAR, CBD, hétérojonctions Résumé : Le Sulfure de Zinc appartient au groupe II-VI des matériaux composés semiconducteurs. Le ZnS est un matériau semiconducteur très important avec un grand gap optique (>3,5 eV), dont une grande utilité dans les dispositifs en couches minces, comme les dispositifs photoluminescents et diodes électroluminescentes. En outre, le ZnS est un matériau important dans les diodes émettrices en petite longueur d’onde et dans les cellules solaires à base des couches mince en hétérojonctions comme couche tampon. Dans ce travail, on s’est intéressé à l’élaboration des couches minces d’un semiconducteur de type II-VI : le sulfure de Zinc (ZnS), et à l'étude de ces propriétés optiques, électriques, structurales et morphologique qui ont été préparées par deux téchniques le bain chimique CBD (Chemical Bath Deposition) et le SILAR (Successive Ionique Layer Adsorption and Reaction). Notre objectif est de donner une étude compréhensive sur l’effet du temps de dépôt et le nombre de cycle sur les propriétés physiques de couches minces de ZnS. Dans la première partie de ce travail nous avons mis au point les techniques de dépôt ; la deuxième partie, est relative à l’élaboration d’une série de films avec différentes conditions de déposition en vue d’une optimisation du procédé dans le but d'obtenir de films avec de bonnes propriétés optoélectroniques pour être appliqués éventuellement en photovoltaïque. Nous avons ensuite effectué des analyses d’échantillons élaborés par différentes techniques de caractérisation : DRX, MEB, EDAX, mesures électriques et optiques, la photoconductivité et enfin la caractirisation I(V) du l’hétréjonction [(SnO2 : F)/ZnS], [(ZnO : Al)/ZnS], [ZnS/CIS]. Directeur de thèse : ADNANE Mohamed

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Élaboration et caractérisation des couches minces CIS par voie chimique colloidale et SILAR et leur application dans les cellules solaire / BENHENNI Saliha 

Public ISBD Titre : Élaboration et caractérisation des couches minces CIS par voie chimique colloidale et SILAR et leur application dans les cellules solaire Type de document : document électronique Auteurs : BENHENNI Saliha, Auteur Année de publication : 2012 Importance : 90 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : CIS, SILAR, Colloïdale, Cellules solaires Résumé : Dans ce travail, nous avons concentré notre attention sur l’élément de base qui entre dans la fabrication des cellules solaires en couches minces a base de CIS. Nous avons élaboré des couches de CuInS2 de type p et n suivant deux techniques :  La technique pyrolyse spray pour élaborer les couches de type P suivant le rapport de concentration Cu\In=1 dans la solution initiale ;pour deux températures T=290°C et T=340°C L’élaboration des couches minces par la technique de spray pyrolyse exige le bon contrôle des paramètres de dépôt tels que la distance buse-substrat et la température de dépôt, Pour assuré une reproductibilité et l’homogénéité des couches élaborées. Nous avons caractérisé ces couches minces par des méthodes variées :  La diffraction de rayons X (DRX) pour l’étude structurale,  La spectroscopie UV-Visible pour l’étude des propriétés optiques  La morphologie de ces couches.  La méthode des quatre pointes et deux pointes pour déterminer les propriétés électriques de nos couches ainsi que des mesures de conductivité.  XPS pour déterminer composition chimique des couches de CIS.  La voie colloïdal pour élaborer des couches de type N suivant le rapport x= [Cu]/[In] pour des couches de type N il faut que [Cu]/[In]< 1. Est une technique aussi simple mais elle demande des conditions comme la propreté et pendant tout le temps de dépôt on doit travailler dans une boite à gants et sous argon que ce soit pour la pausé ou le dépôt. Nous avons caractérisé ces couches minces par des méthodes variées :  La spectroscopie UV-Visible pour l’étude des propriétés optiques  La morphologie de ces couches.  La méthode des quatre pointes et deux pointes pour déterminer les propriétés électriques de nos couches ainsi que des mesures de conductivité.  La caractérisation I(V) des jonctions montre un contact ohmique pour SnO2\CIS ou une diode pour les deux jonctions ZnO :Sn/CIS et ZnO :Al/CIS Directeur de thèse : ADNANE Mohammed Élaboration et caractérisation des couches minces CIS par voie chimique colloidale et SILAR et leur application dans les cellules solaire [document électronique] / BENHENNI Saliha, Auteur . - 2012 . - 90 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : CIS, SILAR, Colloïdale, Cellules solaires Résumé : Dans ce travail, nous avons concentré notre attention sur l’élément de base qui entre dans la fabrication des cellules solaires en couches minces a base de CIS. Nous avons élaboré des couches de CuInS2 de type p et n suivant deux techniques :  La technique pyrolyse spray pour élaborer les couches de type P suivant le rapport de concentration Cu\In=1 dans la solution initiale ;pour deux températures T=290°C et T=340°C L’élaboration des couches minces par la technique de spray pyrolyse exige le bon contrôle des paramètres de dépôt tels que la distance buse-substrat et la température de dépôt, Pour assuré une reproductibilité et l’homogénéité des couches élaborées. Nous avons caractérisé ces couches minces par des méthodes variées :  La diffraction de rayons X (DRX) pour l’étude structurale,  La spectroscopie UV-Visible pour l’étude des propriétés optiques  La morphologie de ces couches.  La méthode des quatre pointes et deux pointes pour déterminer les propriétés électriques de nos couches ainsi que des mesures de conductivité.  XPS pour déterminer composition chimique des couches de CIS.  La voie colloïdal pour élaborer des couches de type N suivant le rapport x= [Cu]/[In] pour des couches de type N il faut que [Cu]/[In]< 1. Est une technique aussi simple mais elle demande des conditions comme la propreté et pendant tout le temps de dépôt on doit travailler dans une boite à gants et sous argon que ce soit pour la pausé ou le dépôt. Nous avons caractérisé ces couches minces par des méthodes variées :  La spectroscopie UV-Visible pour l’étude des propriétés optiques  La morphologie de ces couches.  La méthode des quatre pointes et deux pointes pour déterminer les propriétés électriques de nos couches ainsi que des mesures de conductivité.  La caractérisation I(V) des jonctions montre un contact ohmique pour SnO2\CIS ou une diode pour les deux jonctions ZnO :Sn/CIS et ZnO :Al/CIS Directeur de thèse : ADNANE Mohammed

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ÉTUDE NUMÉRIQUE DU COMPORTEMENT D’HUILE COLORÉE POSÉE SUR SUBSTRAT SOLIDE SOUS L’EFFET D’UN CHAMP ÉLECTRIQUE Adobe Acrobat PDF

Elaboration et caractérisation des couches minces conductrices et transparentes pour les cellules solaire de type TCO/ZnS/CIS / LARBAH Youssef 

Public ISBD Titre : Elaboration et caractérisation des couches minces conductrices et transparentes pour les cellules solaire de type TCO/ZnS/CIS Type de document : document électronique Auteurs : LARBAH Youssef, Auteur Année de publication : 2011. Importance : 98 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : couches minces - SnO2:F - ZnO:AI - Spray -Propriétés électriques et optiques Résumé : Les oxydes métalliques sont des matériaux pouvant présenter la double propriété d'avoir une haute conductivité électrique et une bonne transparence dans le domaine du visible. Ils sont appelés "oxydes transparents et conducteurs" TCO. L'objectif de notre travail est l'élaboration et la caractérisation des couches minces d'oxyde métallique transparent et conducteur: SnO2: F, ZnO: Al nous avons élaboré nos films d'oxyde d'étain non dopé et dopé fluor, l'oxyde de zinc non dopé et dopé aluminium par la technique pyrolyse de spray (technique simple et économique) les conditions de dépôt optimales pour l'oxyde d'étain non dopé et dopé fluor sont: Ts=400°C et [Sn+4]=0,4mol.I-1 pour l'oxyde de zinc non dopé et dopé aluminium Ts=450°C et[Zn+2]=0,2mol.I-1, nous avons ensuite effectué une série de caractérisation: mesures électriques et optiques, DRX,EDX, et microscopie électronique à balayage et I(V) des jonctions SnO2:F/ZnO2:Fet ZnO: AI diminue avec le taux de dopage par le fluor et l'aluminium respectivement les couches minces de SnO2: F donné une résistivité de l'ordre de 1,6-3 et une transmission de l'ordre de 85% à 9% de fluor. Les couches minces de ZnO: AI présentent les paramètres suivants p=1 ,810-1 Qcm et T=90% à un taux d'AI égal à 0,9%. La caractérisation I(V) des jonctions montre un contacter ohmique pour les deux jonctions SnO2: F/2ZnS et ZnO: AI/ZnS. Directeur de thèse : ADNANE Mohamed Elaboration et caractérisation des couches minces conductrices et transparentes pour les cellules solaire de type TCO/ZnS/CIS [document électronique] / LARBAH Youssef, Auteur . - 2011. . - 98 p. + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Option Technologie des Matériaux et physique des dispositifs Mots-clés : couches minces - SnO2:F - ZnO:AI - Spray -Propriétés électriques et optiques Résumé : Les oxydes métalliques sont des matériaux pouvant présenter la double propriété d'avoir une haute conductivité électrique et une bonne transparence dans le domaine du visible. Ils sont appelés "oxydes transparents et conducteurs" TCO. L'objectif de notre travail est l'élaboration et la caractérisation des couches minces d'oxyde métallique transparent et conducteur: SnO2: F, ZnO: Al nous avons élaboré nos films d'oxyde d'étain non dopé et dopé fluor, l'oxyde de zinc non dopé et dopé aluminium par la technique pyrolyse de spray (technique simple et économique) les conditions de dépôt optimales pour l'oxyde d'étain non dopé et dopé fluor sont: Ts=400°C et [Sn+4]=0,4mol.I-1 pour l'oxyde de zinc non dopé et dopé aluminium Ts=450°C et[Zn+2]=0,2mol.I-1, nous avons ensuite effectué une série de caractérisation: mesures électriques et optiques, DRX,EDX, et microscopie électronique à balayage et I(V) des jonctions SnO2:F/ZnO2:Fet ZnO: AI diminue avec le taux de dopage par le fluor et l'aluminium respectivement les couches minces de SnO2: F donné une résistivité de l'ordre de 1,6-3 et une transmission de l'ordre de 85% à 9% de fluor. Les couches minces de ZnO: AI présentent les paramètres suivants p=1 ,810-1 Qcm et T=90% à un taux d'AI égal à 0,9%. La caractérisation I(V) des jonctions montre un contacter ohmique pour les deux jonctions SnO2: F/2ZnS et ZnO: AI/ZnS. Directeur de thèse : ADNANE Mohamed

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Elaboration et caractérisation des couches minces conductrices et transparentes pour les cellules solaire de type TCO/ZnS/CIS Adobe Acrobat PDF

Elaboration et caractérisation des couches minces de CuInS2 par pulvérisation chimique réactive SPRAY. / MIMOUNI Fatima Zohra 

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Elaboration et caractérisation des couches minces de CuInS2 pour applications cellules photovoltaiques / KHARROUBI Bachir

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Elaboration et caractérisation de diode Schottky de type n+/n et n+/p à base de couches minces ZnO : Al / BELKHADEM MOHAMED 

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Elaboration des couches minces à base des matériaux I-III-VI2 et leurs caractérisations pour la conversion photovoltaïque / HAMDANI Khaled 

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Elaboration et etude technologique des couches minces T.C.O de type"n" et "p" par micro pipetage et procédé rf application / CHERRAD Djelel

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Elaboration du silicium à partir du sable du désert Algérien / NEKOUS Mohamed 

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Etude physique des couches minces du ZnO déposé par voie chimique pour des applications à la détection. / BENSASSI Kadda Benmokhtar 

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Etude des propriétés morphologiques, structurales et optiques des couches de CdS, ZnS et CIS pour application cellules solaires de type métal/TCO/CdS/CIS / DJELLOUL Abdelkader 

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L’optimisation des couches minces TCO : SnO2, ZnO et TiO2 par la méthode spray pyrolyse en vue de la formation des jonctions photovoltaïques sur le silicium de type « n ». / LARBAH Youssef 

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Réalisation et caractérisation des couches minces SnO2, TiO2 pour cellules solaires de type Gratzel / MELOUKI Mohamed 

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