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Mesures des Caractéristiques d’un Dispositif Microélectronique à Base D’oxyde. Investigation des Nanostructures. / MOHRA Djawida

Public ISBD Titre : Mesures des Caractéristiques d’un Dispositif Microélectronique à Base D’oxyde. Investigation des Nanostructures. Type de document : document électronique Auteurs : MOHRA Djawida, Auteur Année de publication : 2017-2018 Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique Mots-clés : Oxyde de cuivre Cu2O, oxyde de Zinc ZnO, électrodéposition, chronocoloumétrie CC, voltacyclique VC, substrat ITO, potentiel , température, propriétés électrochimiques et physiques  caractéristiques courant-tension I-V  jonction PN. Résumé : Notre travail consiste en la synthèse et la caractérisation des films minces d’oxyde de cuivre Cu2O par la technique d’électrodéposition sur substrats de l’oxyde d’étain dopé à l’indium (ITO).Les propriétés électrochimiques structurales, morphologiques optiques et électriques sont étudiées. Quatre structures ont été formées, Cu2O/ITO et Cu2O/ZnO/ITO, en faisant varier deux paramètres le potentiel et la température du bain d’électrodéposition. De plus, notre recherche consiste aussi en la fabrication des dispositifs utilisés dans les cellules solaires et l’énergie photovoltaïque de type Au/Cu2O/ZnO/ITO. Dans cet axe de recherche, de tels films connus par leurs différents paramètres, seront déposés sur du substrat de l’ITO et un contact métallique avant est fabriqué afin d’obtenir le dispositif voulu. Des mesures courant-tension en obscurité, en fonction du potentiel d’électrodéposition sont effectuées. Nous avons étudié les mécanismes de l’électrodéposition du Cu2O en utilisant les techniques de la chronocoulométrie (CC) et la chronoampérométrie (CA). Les mesures de CA ont montré que des courants transitoires maximun imax de l’ordre – 302 mA au potentiel de – 0.6 V et 386mA à la température de 70°C sont détectés. La caractérisation morphologique des dépôts de Cu2O sur ITO par microscope électronique à balayage a montré que l’augmentation du potentiel cathodique et la température du bain provoquent un changement de morphologie des dépôts. Egalement l’analyse par diffraction de rayons X montre que les nanostructures du Cu2O cristallisent selon la phase cubique avec une orientation préférentielle suivant la direction (110). En outre, la taille moyenne de cristallites est de l’ordre35.74 nm à – 0.7 V. En effet la taille des grains à différentes températures est comprise entre 75 nm et 50 nm. L'analyse par la spectroscopie UV-Vis permet de déterminer les propriétés optiques des nanostructures du Cu2O telles que l’absorption, la transmission, l’énergie du gap et les domaines d’émission. A – 0.4 V la transmission de nos échantillons est élevée ~72.25% dans le visible et le gap optique est de 2.20 eV à – 0.4 V, et la transmission maximale dans le visible est de l’ordre 74 % à 55°C. Les hétérostructures de type Au/Cu2O/ZnO/ITO pour les cellules solaires à différents potentiels et températures T sont fabriquées. Ces dispositifs ont fait l’objet de caractérisation électrochimique, structurale, morphologique, optique et électrique. Les caractéristiques courant-tension (I-V) des hétérojonctions Au/Cu2O/ZnO/ITO sont mesurées dans l’obscurité. Plusieurs paramètres électroniques et photovoltaïques, comme le facteur d’idéalité n, le courant de saturation Is, le courant de court-circuit Isc, la tension du circuit ouvert Voc, le facteur de forme FF sont extraits. En somme, de telles structures trouvent plusieurs applications en énergie solaire, photovoltaïque, optoélectronique et capteurs. Directeur de thèse : M. BENHALILIBA Mesures des Caractéristiques d’un Dispositif Microélectronique à Base D’oxyde. Investigation des Nanostructures. [document électronique] / MOHRA Djawida, Auteur . - 2017-2018 . -  + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique Mots-clés : Oxyde de cuivre Cu2O, oxyde de Zinc ZnO, électrodéposition, chronocoloumétrie CC, voltacyclique VC, substrat ITO, potentiel , température, propriétés électrochimiques et physiques  caractéristiques courant-tension I-V  jonction PN. Résumé : Notre travail consiste en la synthèse et la caractérisation des films minces d’oxyde de cuivre Cu2O par la technique d’électrodéposition sur substrats de l’oxyde d’étain dopé à l’indium (ITO).Les propriétés électrochimiques structurales, morphologiques optiques et électriques sont étudiées. Quatre structures ont été formées, Cu2O/ITO et Cu2O/ZnO/ITO, en faisant varier deux paramètres le potentiel et la température du bain d’électrodéposition. De plus, notre recherche consiste aussi en la fabrication des dispositifs utilisés dans les cellules solaires et l’énergie photovoltaïque de type Au/Cu2O/ZnO/ITO. Dans cet axe de recherche, de tels films connus par leurs différents paramètres, seront déposés sur du substrat de l’ITO et un contact métallique avant est fabriqué afin d’obtenir le dispositif voulu. Des mesures courant-tension en obscurité, en fonction du potentiel d’électrodéposition sont effectuées. Nous avons étudié les mécanismes de l’électrodéposition du Cu2O en utilisant les techniques de la chronocoulométrie (CC) et la chronoampérométrie (CA). Les mesures de CA ont montré que des courants transitoires maximun imax de l’ordre – 302 mA au potentiel de – 0.6 V et 386mA à la température de 70°C sont détectés. La caractérisation morphologique des dépôts de Cu2O sur ITO par microscope électronique à balayage a montré que l’augmentation du potentiel cathodique et la température du bain provoquent un changement de morphologie des dépôts. Egalement l’analyse par diffraction de rayons X montre que les nanostructures du Cu2O cristallisent selon la phase cubique avec une orientation préférentielle suivant la direction (110). En outre, la taille moyenne de cristallites est de l’ordre35.74 nm à – 0.7 V. En effet la taille des grains à différentes températures est comprise entre 75 nm et 50 nm. L'analyse par la spectroscopie UV-Vis permet de déterminer les propriétés optiques des nanostructures du Cu2O telles que l’absorption, la transmission, l’énergie du gap et les domaines d’émission. A – 0.4 V la transmission de nos échantillons est élevée ~72.25% dans le visible et le gap optique est de 2.20 eV à – 0.4 V, et la transmission maximale dans le visible est de l’ordre 74 % à 55°C. Les hétérostructures de type Au/Cu2O/ZnO/ITO pour les cellules solaires à différents potentiels et températures T sont fabriquées. Ces dispositifs ont fait l’objet de caractérisation électrochimique, structurale, morphologique, optique et électrique. Les caractéristiques courant-tension (I-V) des hétérojonctions Au/Cu2O/ZnO/ITO sont mesurées dans l’obscurité. Plusieurs paramètres électroniques et photovoltaïques, comme le facteur d’idéalité n, le courant de saturation Is, le courant de court-circuit Isc, la tension du circuit ouvert Voc, le facteur de forme FF sont extraits. En somme, de telles structures trouvent plusieurs applications en énergie solaire, photovoltaïque, optoélectronique et capteurs. Directeur de thèse : M. BENHALILIBA

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Public ISBD Titre : Mesures des Caractéristiques d’un Dispositif Microélectronique à Base D’oxyde. Investigation des Nanostructures. Type de document : document électronique Auteurs : MOHRA Djawida, Auteur Année de publication : 2017-2018 Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique Mots-clés : Oxyde de cuivre Cu2O, oxyde de Zinc ZnO, électrodéposition, chronocoloumétrie CC, voltacyclique VC, substrat ITO, potentiel , température, propriétés électrochimiques et physiques  caractéristiques courant-tension I-V  jonction PN. Résumé : Notre travail consiste en la synthèse et la caractérisation des films minces d’oxyde de cuivre Cu2O par la technique d’électrodéposition sur substrats de l’oxyde d’étain dopé à l’indium (ITO).Les propriétés électrochimiques structurales, morphologiques optiques et électriques sont étudiées. Quatre structures ont été formées, Cu2O/ITO et Cu2O/ZnO/ITO, en faisant varier deux paramètres le potentiel et la température du bain d’électrodéposition. De plus, notre recherche consiste aussi en la fabrication des dispositifs utilisés dans les cellules solaires et l’énergie photovoltaïque de type Au/Cu2O/ZnO/ITO. Dans cet axe de recherche, de tels films connus par leurs différents paramètres, seront déposés sur du substrat de l’ITO et un contact métallique avant est fabriqué afin d’obtenir le dispositif voulu. Des mesures courant-tension en obscurité, en fonction du potentiel d’électrodéposition sont effectuées. Nous avons étudié les mécanismes de l’électrodéposition du Cu2O en utilisant les techniques de la chronocoulométrie (CC) et la chronoampérométrie (CA). Les mesures de CA ont montré que des courants transitoires maximun imax de l’ordre – 302 mA au potentiel de – 0.6 V et 386mA à la température de 70°C sont détectés. La caractérisation morphologique des dépôts de Cu2O sur ITO par microscope électronique à balayage a montré que l’augmentation du potentiel cathodique et la température du bain provoquent un changement de morphologie des dépôts. Egalement l’analyse par diffraction de rayons X montre que les nanostructures du Cu2O cristallisent selon la phase cubique avec une orientation préférentielle suivant la direction (110). En outre, la taille moyenne de cristallites est de l’ordre35.74 nm à – 0.7 V. En effet la taille des grains à différentes températures est comprise entre 75 nm et 50 nm. L'analyse par la spectroscopie UV-Vis permet de déterminer les propriétés optiques des nanostructures du Cu2O telles que l’absorption, la transmission, l’énergie du gap et les domaines d’émission. A – 0.4 V la transmission de nos échantillons est élevée ~72.25% dans le visible et le gap optique est de 2.20 eV à – 0.4 V, et la transmission maximale dans le visible est de l’ordre 74 % à 55°C. Les hétérostructures de type Au/Cu2O/ZnO/ITO pour les cellules solaires à différents potentiels et températures T sont fabriquées. Ces dispositifs ont fait l’objet de caractérisation électrochimique, structurale, morphologique, optique et électrique. Les caractéristiques courant-tension (I-V) des hétérojonctions Au/Cu2O/ZnO/ITO sont mesurées dans l’obscurité. Plusieurs paramètres électroniques et photovoltaïques, comme le facteur d’idéalité n, le courant de saturation Is, le courant de court-circuit Isc, la tension du circuit ouvert Voc, le facteur de forme FF sont extraits. En somme, de telles structures trouvent plusieurs applications en énergie solaire, photovoltaïque, optoélectronique et capteurs. Directeur de thèse : M. BENHALILIBA Mesures des Caractéristiques d’un Dispositif Microélectronique à Base D’oxyde. Investigation des Nanostructures. [document électronique] / MOHRA Djawida, Auteur . - 2017-2018 . -  + CD. Langues : Français (fre) Catégories : Physique:Physique Mots-clés : Oxyde de cuivre Cu2O, oxyde de Zinc ZnO, électrodéposition, chronocoloumétrie CC, voltacyclique VC, substrat ITO, potentiel , température, propriétés électrochimiques et physiques  caractéristiques courant-tension I-V  jonction PN. Résumé : Notre travail consiste en la synthèse et la caractérisation des films minces d’oxyde de cuivre Cu2O par la technique d’électrodéposition sur substrats de l’oxyde d’étain dopé à l’indium (ITO).Les propriétés électrochimiques structurales, morphologiques optiques et électriques sont étudiées. Quatre structures ont été formées, Cu2O/ITO et Cu2O/ZnO/ITO, en faisant varier deux paramètres le potentiel et la température du bain d’électrodéposition. De plus, notre recherche consiste aussi en la fabrication des dispositifs utilisés dans les cellules solaires et l’énergie photovoltaïque de type Au/Cu2O/ZnO/ITO. Dans cet axe de recherche, de tels films connus par leurs différents paramètres, seront déposés sur du substrat de l’ITO et un contact métallique avant est fabriqué afin d’obtenir le dispositif voulu. Des mesures courant-tension en obscurité, en fonction du potentiel d’électrodéposition sont effectuées. Nous avons étudié les mécanismes de l’électrodéposition du Cu2O en utilisant les techniques de la chronocoulométrie (CC) et la chronoampérométrie (CA). Les mesures de CA ont montré que des courants transitoires maximun imax de l’ordre – 302 mA au potentiel de – 0.6 V et 386mA à la température de 70°C sont détectés. La caractérisation morphologique des dépôts de Cu2O sur ITO par microscope électronique à balayage a montré que l’augmentation du potentiel cathodique et la température du bain provoquent un changement de morphologie des dépôts. Egalement l’analyse par diffraction de rayons X montre que les nanostructures du Cu2O cristallisent selon la phase cubique avec une orientation préférentielle suivant la direction (110). En outre, la taille moyenne de cristallites est de l’ordre35.74 nm à – 0.7 V. En effet la taille des grains à différentes températures est comprise entre 75 nm et 50 nm. L'analyse par la spectroscopie UV-Vis permet de déterminer les propriétés optiques des nanostructures du Cu2O telles que l’absorption, la transmission, l’énergie du gap et les domaines d’émission. A – 0.4 V la transmission de nos échantillons est élevée ~72.25% dans le visible et le gap optique est de 2.20 eV à – 0.4 V, et la transmission maximale dans le visible est de l’ordre 74 % à 55°C. Les hétérostructures de type Au/Cu2O/ZnO/ITO pour les cellules solaires à différents potentiels et températures T sont fabriquées. Ces dispositifs ont fait l’objet de caractérisation électrochimique, structurale, morphologique, optique et électrique. Les caractéristiques courant-tension (I-V) des hétérojonctions Au/Cu2O/ZnO/ITO sont mesurées dans l’obscurité. Plusieurs paramètres électroniques et photovoltaïques, comme le facteur d’idéalité n, le courant de saturation Is, le courant de court-circuit Isc, la tension du circuit ouvert Voc, le facteur de forme FF sont extraits. En somme, de telles structures trouvent plusieurs applications en énergie solaire, photovoltaïque, optoélectronique et capteurs. Directeur de thèse : M. BENHALILIBA

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
1558	02-05-896	Version numérique et papier	Bibliothèque USTOMB	Thèse de Doctorat	Exclu du prêt

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