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Auteur MORSO Mohammed
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Titre : Etude et Modèlisation des Transistors MOS et MOS/SOI Uitracourts pour les applications basse Consommation Type de document : texte imprimé Auteurs : MORSO Mohammed, Auteur Année de publication : 2009 Importance : 115 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : silicium sur isolant (SOI) effets de canaux court effets de porteurs chauds transistor MOS SOI partiellement dèsertè effets de substrat flottant auto-èchauffement fffet "kink" Résumé : cette ètude a pour but de mettre en èvidence et de mieux comprendre à l'aide de la modèlisation analytique les principaux phènomènes physiques pouvant se produire dans les transistors MOS sur substrat massif et sur substrat SOI submicronique de la filière technologique 130 nm.
l'èvolution des technologies des semi-conducteurs vers des gèomètries de plus en plus petits permet un accroissement des performances et des fonctionnalitès par puce mais s'accompagne simultanèment d'une augmentation de la puissance dissipèe alors que les utilisateurs sont de plus en plus intèressès d'applications portables, la conception de circuits intègrès doit dèsormais prendre en compte le budget de puissance allouè il est donc essentiel de dèvelopper des circuits microèlectroniques de très basse puissance la rèduction de la tension d'alimentation vdd s'avère une approche très intèressante puisque cela permet de rèduire la puissance dynamique quadratiquement et la puissance statique des courants de fuite exponentiellement cependant, bien que rèduire fortement la tension d'alimentation soit une mèthode efficace pour diminuer la consommation, elle ne peut pas ètre appliquèe arbitrairement car cela affecte nègativement les performances, le dèlai dans les portes en ULV (ultra large voltage): elle prèsente des performances supèrieures à celles obtenues en CMOS à substrat massif la technologique SOI permet donc de diminuer la consommation des circuits intègrès à frèquence de fonctionnement ègale
Directeur de thèse : T BOUTCHACHA Etude et Modèlisation des Transistors MOS et MOS/SOI Uitracourts pour les applications basse Consommation [texte imprimé] / MORSO Mohammed, Auteur . - 2009 . - 115 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : silicium sur isolant (SOI) effets de canaux court effets de porteurs chauds transistor MOS SOI partiellement dèsertè effets de substrat flottant auto-èchauffement fffet "kink" Résumé : cette ètude a pour but de mettre en èvidence et de mieux comprendre à l'aide de la modèlisation analytique les principaux phènomènes physiques pouvant se produire dans les transistors MOS sur substrat massif et sur substrat SOI submicronique de la filière technologique 130 nm.
l'èvolution des technologies des semi-conducteurs vers des gèomètries de plus en plus petits permet un accroissement des performances et des fonctionnalitès par puce mais s'accompagne simultanèment d'une augmentation de la puissance dissipèe alors que les utilisateurs sont de plus en plus intèressès d'applications portables, la conception de circuits intègrès doit dèsormais prendre en compte le budget de puissance allouè il est donc essentiel de dèvelopper des circuits microèlectroniques de très basse puissance la rèduction de la tension d'alimentation vdd s'avère une approche très intèressante puisque cela permet de rèduire la puissance dynamique quadratiquement et la puissance statique des courants de fuite exponentiellement cependant, bien que rèduire fortement la tension d'alimentation soit une mèthode efficace pour diminuer la consommation, elle ne peut pas ètre appliquèe arbitrairement car cela affecte nègativement les performances, le dèlai dans les portes en ULV (ultra large voltage): elle prèsente des performances supèrieures à celles obtenues en CMOS à substrat massif la technologique SOI permet donc de diminuer la consommation des circuits intègrès à frèquence de fonctionnement ègale
Directeur de thèse : T BOUTCHACHA Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2360 02-09-338 version papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt
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