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Titre : Conception et Modélisation d’un Capteur Acoustique Type de document : document électronique Auteurs : SLIMANI ABDOUN, Auteur Année de publication : 15 / 03 / 2010 Importance : 105 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : Piézoélectricité, matériaux piézoélectriques, PZT, transducteur ultrasonore modélisation unidimensionnelle, modélisation tridimensionnelle, PSPICE. Résumé : L’amélioration de la qualité des images dans le domaine de l’imagerie médicale et qualité des contrôles dans le domaine du contrôle non destructif est liée en particulier à celle des transducteurs ultrasonores piézoélectriques utilisés. La modélisation et la simulation de transducteurs permettent de les caractériser et optimiser. L’objectif de ce travail est d’une part de traiter la modélisation unidimensionnelle et tridimensionnelle d’un transducteur ultrasonore piézoélectrique, et d’autre part de simuler le transducteur avec PSPICE. À cet effet, des généralités sur la piézoélectricité et matériaux piézoélectriques, ultrasons et transducteurs ultrasonores sont respectivement décrits dans le premier et deuxième chapitre. Ensuite, la modélisation unidimensionnelle du transducteur sans et avec pertes est traitée dans la première partie du troisième chapitre. Dans la deuxième partie, le logiciel PSPICE est utilisé pour simuler l’impédance électrique du transducteur. Les
modèles unidimensionnels décrits dans le chapitre précédent ne sont applicables uniquement qu’autour d’une fréquence de résonance particulière, ainsi ils supposent que les
modes de vibrations d’une céramique piézoélectrique sont découplés, cependant, il existe des couplages entre ces modes. Afin de surmonter ces difficultés, nous traitons dans le
quatrième chapitre une modélisation analytique tridimensionnelle qui prend en compte le couplage entre les modes de vibration et qui est valable à toutes les fréquences. De plus,
elle nous donne des expressions tridimensionnelles qui se réduisent aux expressions simplifiées unidimensionnelles lorsque certains coefficients élastiques et piézoélectriques
sont supposés nuls. Enfin, dans le but de valider nos résultats de simulation, des résultats expérimentaux extraits de la littérature sont exploitésDirecteur de thèse : T. BOUTCHACHA Conception et Modélisation d’un Capteur Acoustique [document électronique] / SLIMANI ABDOUN, Auteur . - 15 / 03 / 2010 . - 105 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : Piézoélectricité, matériaux piézoélectriques, PZT, transducteur ultrasonore modélisation unidimensionnelle, modélisation tridimensionnelle, PSPICE. Résumé : L’amélioration de la qualité des images dans le domaine de l’imagerie médicale et qualité des contrôles dans le domaine du contrôle non destructif est liée en particulier à celle des transducteurs ultrasonores piézoélectriques utilisés. La modélisation et la simulation de transducteurs permettent de les caractériser et optimiser. L’objectif de ce travail est d’une part de traiter la modélisation unidimensionnelle et tridimensionnelle d’un transducteur ultrasonore piézoélectrique, et d’autre part de simuler le transducteur avec PSPICE. À cet effet, des généralités sur la piézoélectricité et matériaux piézoélectriques, ultrasons et transducteurs ultrasonores sont respectivement décrits dans le premier et deuxième chapitre. Ensuite, la modélisation unidimensionnelle du transducteur sans et avec pertes est traitée dans la première partie du troisième chapitre. Dans la deuxième partie, le logiciel PSPICE est utilisé pour simuler l’impédance électrique du transducteur. Les
modèles unidimensionnels décrits dans le chapitre précédent ne sont applicables uniquement qu’autour d’une fréquence de résonance particulière, ainsi ils supposent que les
modes de vibrations d’une céramique piézoélectrique sont découplés, cependant, il existe des couplages entre ces modes. Afin de surmonter ces difficultés, nous traitons dans le
quatrième chapitre une modélisation analytique tridimensionnelle qui prend en compte le couplage entre les modes de vibration et qui est valable à toutes les fréquences. De plus,
elle nous donne des expressions tridimensionnelles qui se réduisent aux expressions simplifiées unidimensionnelles lorsque certains coefficients élastiques et piézoélectriques
sont supposés nuls. Enfin, dans le but de valider nos résultats de simulation, des résultats expérimentaux extraits de la littérature sont exploitésDirecteur de thèse : T. BOUTCHACHA Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2367 02-09-345 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Conception et Modélisation d’un Capteur AcoustiqueAdobe Acrobat PDF Conception et modélisation des microcapteurs chimiques à transistor à effet de champ / HOUHOU Aimad Abdel illah
Titre : Conception et modélisation des microcapteurs chimiques à transistor à effet de champ Type de document : document électronique Auteurs : HOUHOU Aimad Abdel illah, Auteur Année de publication : 2012 Importance : 114 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : ISFET-Ph chemFET capteurs chimiques PH-ISFET-EIS mosfet sio₂-Si₃N₄ la sensibilité la linéarité la compensation de température les transistors à effet de champ sensible aux ions Résumé : L'intérêt porté aux micro-capteurs électrochimique chemfet ( chemical field effect tranistor) ne cesse de croitre , stimulé par leurs nombreuses application .au cours de cette thése ,nous nous somme intéresser à l’étude d’un micro- capteur chimique Ph-ISFET.ainsi les travaux présentés consistés aux développements d’un modèle décrivant les interaction entre les différents phénoménes physique se produisant soit dans l’électrolyte ou dans le MOS
Une description fine du procédé technologique , ainsi que l’encapsulation des structures ISFETs seront analysés.
Dans ce travail ,nous avons étudié la simulation des paramétres technologiques et électriques d’un transistor mosfet pour un capteur chimique de type ISFET en utilisant le logiciel orcad.
Une interface entre le logiciel multiphysics et PSpice a permis d’extraire la structure du modèle en langage PSpice d’un netlist, et de former un macro –modèle du capteur ISFET , utilisé ensuite dans des circuits de mesure conventionnel afin de mettre en évidence l’influence du régime de fonctionnement de ce dispositif sur leurs paramétres de détection (sensibilité, linéarité ,……) ainsi étudier l’effet de la température sur le comportement électique
Directeur de thèse : BOUTCHACHA Touati Conception et modélisation des microcapteurs chimiques à transistor à effet de champ [document électronique] / HOUHOU Aimad Abdel illah, Auteur . - 2012 . - 114 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : ISFET-Ph chemFET capteurs chimiques PH-ISFET-EIS mosfet sio₂-Si₃N₄ la sensibilité la linéarité la compensation de température les transistors à effet de champ sensible aux ions Résumé : L'intérêt porté aux micro-capteurs électrochimique chemfet ( chemical field effect tranistor) ne cesse de croitre , stimulé par leurs nombreuses application .au cours de cette thése ,nous nous somme intéresser à l’étude d’un micro- capteur chimique Ph-ISFET.ainsi les travaux présentés consistés aux développements d’un modèle décrivant les interaction entre les différents phénoménes physique se produisant soit dans l’électrolyte ou dans le MOS
Une description fine du procédé technologique , ainsi que l’encapsulation des structures ISFETs seront analysés.
Dans ce travail ,nous avons étudié la simulation des paramétres technologiques et électriques d’un transistor mosfet pour un capteur chimique de type ISFET en utilisant le logiciel orcad.
Une interface entre le logiciel multiphysics et PSpice a permis d’extraire la structure du modèle en langage PSpice d’un netlist, et de former un macro –modèle du capteur ISFET , utilisé ensuite dans des circuits de mesure conventionnel afin de mettre en évidence l’influence du régime de fonctionnement de ce dispositif sur leurs paramétres de détection (sensibilité, linéarité ,……) ainsi étudier l’effet de la température sur le comportement électique
Directeur de thèse : BOUTCHACHA Touati Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2444 02-09-422 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
02-09-422.pdfAdobe Acrobat PDF Conception et Optimisation des Circuits électroniques en Technologie MOS avancèe / BENABED Khadidja
Titre : Conception et Optimisation des Circuits électroniques en Technologie MOS avancèe Type de document : texte imprimé Auteurs : BENABED Khadidja, Auteur Année de publication : 2008 Importance : 93 p. Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : technologie CMOS technologie NMOS les portes logiques optimisation de circuits BSIM Résumé : la rèalisation de systèmes èlectroniques performants est lièe au problème d'èvaluation d'un certain nombre de contraintes comme le cout de production ou la densitè d'intègration, la vitesse de traitement, et le problème de consommation ènergètique
ces trois paramètres dèpendant èvidement les uns des autres, des autres, comme par exemple l'augmentation de la vitesse du circuit qui ce fait au dètriment de la consommation et du cout de production, l'ètude de conception et d'optimisation de circuits èlectroniques est de première importance
dans ce travail, on s'intèresse à une ètude comparative des performances prèsentèes par des portes logiques de bases, conçues dans diffèrentes familles technologiques (NMOS et CMOS) et on èlabore une ètude d'optimisation des principaux paramètres comme une très grande densitè d'intègration, une très faible consommation, et une grande rapiditè.
en fait les rècents travaux d'amèlioration visent essentiellement du circuit, et sur la consommation le moyen le plus simple de minimiser ces capacitès ètant la rèduction des gèomètries des transistors, ceci permet de gagner d'emblèe sur la densitè d'intègration, d'autre part, nous mettant en oeuvre les moyens de modèlisation adèquats comme BSIM pour la prie en compte ces effets de miniaturisation des transistors constituant les portes logiques ètudièes.Directeur de thèse : A SAIDANE Conception et Optimisation des Circuits électroniques en Technologie MOS avancèe [texte imprimé] / BENABED Khadidja, Auteur . - 2008 . - 93 p.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : technologie CMOS technologie NMOS les portes logiques optimisation de circuits BSIM Résumé : la rèalisation de systèmes èlectroniques performants est lièe au problème d'èvaluation d'un certain nombre de contraintes comme le cout de production ou la densitè d'intègration, la vitesse de traitement, et le problème de consommation ènergètique
ces trois paramètres dèpendant èvidement les uns des autres, des autres, comme par exemple l'augmentation de la vitesse du circuit qui ce fait au dètriment de la consommation et du cout de production, l'ètude de conception et d'optimisation de circuits èlectroniques est de première importance
dans ce travail, on s'intèresse à une ètude comparative des performances prèsentèes par des portes logiques de bases, conçues dans diffèrentes familles technologiques (NMOS et CMOS) et on èlabore une ètude d'optimisation des principaux paramètres comme une très grande densitè d'intègration, une très faible consommation, et une grande rapiditè.
en fait les rècents travaux d'amèlioration visent essentiellement du circuit, et sur la consommation le moyen le plus simple de minimiser ces capacitès ètant la rèduction des gèomètries des transistors, ceci permet de gagner d'emblèe sur la densitè d'intègration, d'autre part, nous mettant en oeuvre les moyens de modèlisation adèquats comme BSIM pour la prie en compte ces effets de miniaturisation des transistors constituant les portes logiques ètudièes.Directeur de thèse : A SAIDANE Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2351 02-09-329 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt
Titre : LA CONDUCTIVITÉ ELECTRIQUE DES SOLUTIONS ÉLECTROLYTIQUES À BASE DE LITHIUM Type de document : document électronique Auteurs : BENZAAMIA IKRAM, Auteur Année de publication : 2012-2013 Importance : 103 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : piles batteries polyélectrolyte chitosane lithium, Résumé : Dans ce travail, nous présentons une étude des propriétés physico-chimique d’un polyélectrolyte biodégradable à base du chitosane et du lithium dans le milieu aqueux. Cette étude à permis d’approfondir les connaissances sur les conductivités électrique des électrolytes qui est un paramètre essentiel dans l’élaboration des piles et batteries à base du lithium.
Notre objectifs est d’amélioré la conductivité en agissant sur la formule de la solution.
L’ensemble des résultats a convergé vers une unique conclusion que la conductivité de la solution qui à été préparé avec le gel du chitosane dans le milieu aqueux augmente à chaque fois en ajoutant la quantité du sel du lithium et que la solution possède une conductivité suffisante à base température et pour améliorer la conductivité dans le milieu hydro organique il faut utiliser un électrolyte qui se compose d’un mélange binaire ou ternaire de solvants organiques et d’un sel de lithium pour améliorer les conditions de l’électrolyte.Directeur de thèse : M. KAMECHE LA CONDUCTIVITÉ ELECTRIQUE DES SOLUTIONS ÉLECTROLYTIQUES À BASE DE LITHIUM [document électronique] / BENZAAMIA IKRAM, Auteur . - 2012-2013 . - 103 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : piles batteries polyélectrolyte chitosane lithium, Résumé : Dans ce travail, nous présentons une étude des propriétés physico-chimique d’un polyélectrolyte biodégradable à base du chitosane et du lithium dans le milieu aqueux. Cette étude à permis d’approfondir les connaissances sur les conductivités électrique des électrolytes qui est un paramètre essentiel dans l’élaboration des piles et batteries à base du lithium.
Notre objectifs est d’amélioré la conductivité en agissant sur la formule de la solution.
L’ensemble des résultats a convergé vers une unique conclusion que la conductivité de la solution qui à été préparé avec le gel du chitosane dans le milieu aqueux augmente à chaque fois en ajoutant la quantité du sel du lithium et que la solution possède une conductivité suffisante à base température et pour améliorer la conductivité dans le milieu hydro organique il faut utiliser un électrolyte qui se compose d’un mélange binaire ou ternaire de solvants organiques et d’un sel de lithium pour améliorer les conditions de l’électrolyte.Directeur de thèse : M. KAMECHE Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2469 02-09-447 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
LA CONDUCTIVITÉ ELECTRIQUE DES SOLUTIONS ÉLECTROLYTIQUES À BASE DE LITHIUMAdobe Acrobat PDF Contribution à l’étude et au Contrôle d’un Convertisseur DC-DC Utilisé dans les Système Photovoltaïque / SLAMNIA Djamel
Titre : Contribution à l’étude et au Contrôle d’un Convertisseur DC-DC Utilisé dans les Système Photovoltaïque Type de document : document électronique Auteurs : SLAMNIA Djamel, Auteur Année de publication : 20 15 / 20 16 Importance : 107 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : Convertisseur DC-DC Indicateurs couplées Contrôleur PID Contrôleur FLC Commande adaptatif Résumé : Cette mémoire propose également une étude, synthèse et simulation des différentes topologies de convertisseur boost statique à l’application énergie photovoltaïque. utilisant des inducteurs couplés et circuit d’amortissement pour avoir un grand gain en tension et un faible ondulation entrée-sortie de courant d’entrée et tension de sortie , efficacité et petite taille et poids léger, et pour résoudre les problèmes phénomène (reverse covry) les contraintes sur les interrupteurs (diode et transistor), la technique de inducteurs couplés selon les résultats de simulation présente meilleur solution.
Et on a fait aussi dans ce mémoire de la modélisation mathématique de convertisseur boost a haut gain avec un inducteurs couplés (HOBC) par la méthode de modèle espace d’état moyenne pour la conception de le régulateur en mode tension.
Et on a Proposée de comparaison des différents régulateurs en mode tension (PID conventionnelle numérique, a base de la logique floue, PID-adaptatif floue), les tests de robustesses de différentes régulateurs par une variation de tension de référence, tension d’entrée, perturbation dans la charge et selon les résultats de simulations on constate que le régulateur PID-adaptatif floue est le régulateur le plus robuste.
Tous les résultats de simulation dance ce mémoire on a utilisé les outilles de logiciel MATLAB/SIMULINK.
Directeur de thèse : BENGHANEM .M Contribution à l’étude et au Contrôle d’un Convertisseur DC-DC Utilisé dans les Système Photovoltaïque [document électronique] / SLAMNIA Djamel, Auteur . - 20 15 / 20 16 . - 107 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : Convertisseur DC-DC Indicateurs couplées Contrôleur PID Contrôleur FLC Commande adaptatif Résumé : Cette mémoire propose également une étude, synthèse et simulation des différentes topologies de convertisseur boost statique à l’application énergie photovoltaïque. utilisant des inducteurs couplés et circuit d’amortissement pour avoir un grand gain en tension et un faible ondulation entrée-sortie de courant d’entrée et tension de sortie , efficacité et petite taille et poids léger, et pour résoudre les problèmes phénomène (reverse covry) les contraintes sur les interrupteurs (diode et transistor), la technique de inducteurs couplés selon les résultats de simulation présente meilleur solution.
Et on a fait aussi dans ce mémoire de la modélisation mathématique de convertisseur boost a haut gain avec un inducteurs couplés (HOBC) par la méthode de modèle espace d’état moyenne pour la conception de le régulateur en mode tension.
Et on a Proposée de comparaison des différents régulateurs en mode tension (PID conventionnelle numérique, a base de la logique floue, PID-adaptatif floue), les tests de robustesses de différentes régulateurs par une variation de tension de référence, tension d’entrée, perturbation dans la charge et selon les résultats de simulations on constate que le régulateur PID-adaptatif floue est le régulateur le plus robuste.
Tous les résultats de simulation dance ce mémoire on a utilisé les outilles de logiciel MATLAB/SIMULINK.
Directeur de thèse : BENGHANEM .M Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2554 02-09-531 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
Contribution à l’étude et au Contrôle d’un Convertisseur DC-DC Utilisé dans les Système PhotovoltaïqueAdobe Acrobat PDF PermalinkPermalinkPermalinkETUDE DES CARACTERISTIQUES DE DETECTION D’UN CAPTEUR A EFFET DE CHAMP ISFET AVEC MEMBRANE EN NITRURE D’ALUMINIUM / BENATTOU Nadia
PermalinkEtude des circuits de mesure d’un capteur chimique ISFET à membrane en nitrure d’aluminium. / BENATTOU Nadia
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PermalinkEtude et Modèlisation des Propriètès èlectriques des Transistors MOS Fortement Submicroniques / BAGHDAD Fatima Zohra
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