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Auteur BENAISSE Djoumana
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Faire une suggestion Affiner la rechercheEtude ,modélisation ,et simulation des transistors de filières CMOS sur SOI avancées / BENAISSE Djoumana
Titre : Etude ,modélisation ,et simulation des transistors de filières CMOS sur SOI avancées Type de document : document électronique Auteurs : BENAISSE Djoumana, Auteur Année de publication : 2018 / 2019 Importance : 102 p. Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : La technologie MOS SOI (« Silicon On Insulator ») .
La technologie MOS sur substrat massif (« bulk »).
Les fréquences de coupures élevées.
Les applications hyperfréquences .
Les circuits numériques, analogiques et hyperfréquences.
Le modèle non linéaire pour les transistors MOS SOI
l’effet kink.
Le transistor partiellement désertés sur substrat SOI.Résumé : La technologie MOS SOI (« Silicon On Insulator ») a déjà montré son intérêt pour les circuits numériques par rapport à la technologie MOS sur substrat massif (« bulk »). Avec l’entrée des technologies MOS dans l’ère des dimensions nanométriques, les transistors atteignent des fréquences de coupures élevées, ouvrant la voie aux applications hyperfréquences et de ce fait à l’intégration sur la même puce des circuits numériques, analogiques et hyperfréquences.
Dans ce mémoire, nous avons étudié par simulation un modèle non linéaire pour les transistors MOS SOI utile pour les applications en hyperfréquences. Ce modèle reproduit de manière précise les caractéristiques hyperfréquences des transistors MOS en régime grand signal. Il tient en compte l’effet kink, présent dans les composants partiellement désertés sur substrat SOI.
قد أظهرت التكنولوجيا اهتماما فائقا في مجال صناعة الذارات الرقمية بدلا من التكنولوجيا على حامل جد مضخم . إن دخول هده التكنولوجيا أدى إلى تصغير أبعاد المقاحل التي استدركت عملها في ترددات القطع العالية وهدا راجع إلى عملية تصغير الأبعاد على نفس الجزء للذارات الرقمية, الغير رقمية والعالية الترددات. في هده المذكرة, قمنا بدراسة عن طريق المحاكاة لنموذج غير خطي للمقاحل المستعملة في الترددات العالية. هدا النموذج يعيد حساب خصائص الترددات المرتفعة للمقاحل في نطاق الإشارات الكبيرة . يأخذ هدا الأخير بعين الاعتبار مفعول الذي يظهر في العناصر المرغوب فيها جزئيا على حامل
.
CMOS SOI technology ("Silicon On Insulator") has already shown interest in digital circuits relative to MOS technology on bulk substrate ("bulk"). With the entry of MOS technology in the era of nanometer dimensions, the transistors attain frequencies of higher denominations, paving the way for microwave applications and thus integrating on the same chip digital circuits, analog and microwave.
In this paper, we studied a nonlinear simulation model for SOI MOS transistors useful for microwave applications. This model reproduces accurately the microwave characteristics of MOS transistors in large signal regime. It takes into account the kink effect, present in partially deserted SOI substrate components.
Directeur de thèse : PACHA Ali Etude ,modélisation ,et simulation des transistors de filières CMOS sur SOI avancées [document électronique] / BENAISSE Djoumana, Auteur . - 2018 / 2019 . - 102 p. + CD.
Langues : Français (fre)
Catégories : Electronique:COMPOSANT ET SYSTÈME DE LA MICROÉLECTRONIQUE AVANCÉE Mots-clés : La technologie MOS SOI (« Silicon On Insulator ») .
La technologie MOS sur substrat massif (« bulk »).
Les fréquences de coupures élevées.
Les applications hyperfréquences .
Les circuits numériques, analogiques et hyperfréquences.
Le modèle non linéaire pour les transistors MOS SOI
l’effet kink.
Le transistor partiellement désertés sur substrat SOI.Résumé : La technologie MOS SOI (« Silicon On Insulator ») a déjà montré son intérêt pour les circuits numériques par rapport à la technologie MOS sur substrat massif (« bulk »). Avec l’entrée des technologies MOS dans l’ère des dimensions nanométriques, les transistors atteignent des fréquences de coupures élevées, ouvrant la voie aux applications hyperfréquences et de ce fait à l’intégration sur la même puce des circuits numériques, analogiques et hyperfréquences.
Dans ce mémoire, nous avons étudié par simulation un modèle non linéaire pour les transistors MOS SOI utile pour les applications en hyperfréquences. Ce modèle reproduit de manière précise les caractéristiques hyperfréquences des transistors MOS en régime grand signal. Il tient en compte l’effet kink, présent dans les composants partiellement désertés sur substrat SOI.
قد أظهرت التكنولوجيا اهتماما فائقا في مجال صناعة الذارات الرقمية بدلا من التكنولوجيا على حامل جد مضخم . إن دخول هده التكنولوجيا أدى إلى تصغير أبعاد المقاحل التي استدركت عملها في ترددات القطع العالية وهدا راجع إلى عملية تصغير الأبعاد على نفس الجزء للذارات الرقمية, الغير رقمية والعالية الترددات. في هده المذكرة, قمنا بدراسة عن طريق المحاكاة لنموذج غير خطي للمقاحل المستعملة في الترددات العالية. هدا النموذج يعيد حساب خصائص الترددات المرتفعة للمقاحل في نطاق الإشارات الكبيرة . يأخذ هدا الأخير بعين الاعتبار مفعول الذي يظهر في العناصر المرغوب فيها جزئيا على حامل
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CMOS SOI technology ("Silicon On Insulator") has already shown interest in digital circuits relative to MOS technology on bulk substrate ("bulk"). With the entry of MOS technology in the era of nanometer dimensions, the transistors attain frequencies of higher denominations, paving the way for microwave applications and thus integrating on the same chip digital circuits, analog and microwave.
In this paper, we studied a nonlinear simulation model for SOI MOS transistors useful for microwave applications. This model reproduces accurately the microwave characteristics of MOS transistors in large signal regime. It takes into account the kink effect, present in partially deserted SOI substrate components.
Directeur de thèse : PACHA Ali Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2605 02-09-582 Version numérique et papier Bibliothèque Centrale Mémoire de Magister Exclu du prêt Documents numériques
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